氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置
阅读：342发布：2020-05-08
专利汇可以提供氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种 氧 化物 薄膜 晶体管显示 基板 及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。所述氧化物 薄膜晶体管 显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的 半导体 区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述制作方法包括：在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少 覆盖 所述第一区域的SiON层；形成覆盖所述第二区域的SiNx层。本发明的技术方案能够提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。，下面是氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置专利的具体信息内容。
1.一种氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，其特征在于，所述制作方法包括：
在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少覆盖所述第一区域的SiON层，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括有覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层；
形成覆盖所述第二区域的SiNx层；
形成覆盖所述第二区域的SiNx层之前，所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有贯穿栅绝缘层和钝化层的第一过孔，形成覆盖所述第二区域的SiNx层的同时还利用所述SiNx层填充所述第一过孔。
2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述第一区域的SiON层包括：
形成覆盖所述第一区域和所述第二区域的SiON层。
3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：
提供一形成有氧化物薄膜晶体管和公共电极线的衬底基板，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线与所述栅电极同层设置且呈狭缝状；
形成覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层；
在所述钝化层上形成像素电极和公共电极，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极连接；
在形成有所述像素电极和所述公共电极的衬底基板上涂覆光刻胶，从所述衬底基板背向所述氧化物薄膜晶体管的一侧进行曝光，未被所述栅电极遮挡的光刻胶被曝光；
显影后去除未被所述栅电极遮挡的光刻胶，保留被所述栅电极遮挡的光刻胶；
进行SiNx层的沉积，沉积的所述SiNx层填充部分所述第一过孔；
剥离剩余的光刻胶，光刻胶上的SiNx层也随之被剥离。
4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，其特征在于，在低于250℃的环境下进行所述SiNx层的沉积。
5.一种氧化物薄膜晶体管显示基板，包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，其特征在于，还包括：
位于所述氧化物薄膜晶体管上、至少覆盖所述第一区域的SiON层，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括有覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层；
位于所述SiON层上、覆盖所述第二区域的SiNx层；
所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有贯穿栅绝缘层和钝化层的第一过孔，所述SiNx层填充部分所述第一过孔。
6.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管显示基板，其特征在于，所述SiON层覆盖所述第一区域和所述第二区域。
7.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管显示基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管显示基板具体包括：
位于衬底基板上的氧化物薄膜晶体管和公共电极线，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线与所述栅电极同层设置且呈狭缝状；
覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层；
位于所述钝化层上的像素电极和公共电极，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极连接；
位于所述钝化层上的所述SiNx层，所述SiNx层在所述衬底基板上的正投影与所述栅电极在所述衬底基板上的正投影不重合。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5-7中任一项所述的氧化物薄膜晶体管显示基板。
氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
背景技术
[0002] 氧化物TFT显示基板因其在低功耗，窄边框方面的优势，市场占有率越来越高。但氧化物TFT对空气中的水汽以及H离子非常敏感，水汽和游离态的H离子会剥夺氧化物半导体中的氧，使得半导体导体化，TFT失去开关作用，从而导致显示不良。
[0003] 现有技术中一般采用SiNx或SiON来作为氧化物TFT的绝缘层。其中，SiNx绝缘特性较好，膜质致密，有非常优异的阻挡水汽和游离态的Na，K等离子的能力，但SiNx中游离态的H+很多，很容易扩散到TFT的半导体区域中，导致TFT失效，使得氧化物TFT显示基板的良率下降很多。SiON中虽然不含有游离态的H+，但SiON的膜质疏松，对水汽和游离态的Na，K等离子的阻挡能力很弱，水汽和Na，K等离子非常容易进入氧化物TFT显示基板的各膜层中，从而影响像素电极以及TFT的器件特性，造成显示不良。综上所述，现有氧化物TFT显示基板的良率较低。
发明内容
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0006] 一方面，提供一种氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述制作方法包括：
[0007] 在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少覆盖所述第一区域的SiON层；
[0008] 形成覆盖所述第二区域的SiNx层。
[0009] 进一步地，所述形成至少覆盖所述第一区域的SiON层包括：
[0010] 形成覆盖所述第一区域和所述第二区域的SiON层。
[0011] 进一步地，形成覆盖所述第二区域的SiNx层之前，所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有深度大于阈值的第一过孔，形成覆盖所述第二区域的SiNx层的同时还利用所述SiNx层填充所述第一过孔。
[0012] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0013] 提供一形成有氧化物薄膜晶体管和公共电极线的衬底基板，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线与所述栅电极同层设置且呈狭缝状；
[0015] 在所述钝化层上形成像素电极和公共电极，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极连接；
[0016] 在形成有所述像素电极和所述公共电极的衬底基板上涂覆光刻胶，从所述衬底基板背向所述氧化物薄膜晶体管的一侧进行曝光，未被所述栅电极遮挡的光刻胶被曝光；
[0017] 显影后去除未被所述栅电极遮挡的光刻胶，保留被所述栅电极遮挡的光刻胶；
[0018] 进行SiNx层的沉积，沉积的所述SiNx层填充部分所述第一过孔；
[0019] 剥离剩余的光刻胶，光刻胶上的SiNx层也随之被剥离。
[0020] 进一步地，在低于250℃的环境下进行所述SiNx层的沉积。
[0021] 本发明实施例还提供了一种氧化物薄膜晶体管显示基板，包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，还包括：
[0022] 位于所述氧化物薄膜晶体管上、至少覆盖所述第一区域的SiON层；
[0023] 位于所述SiON层上、覆盖所述第二区域的SiNx层。
[0024] 进一步地，所述SiON层覆盖所述第一区域和所述第二区域。
[0025] 进一步地，所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有深度大于阈值的第一过孔，所述SiNx层填充部分所述第一过孔。
[0026] 进一步地，所述氧化物薄膜晶体管显示基板具体包括：
[0027] 位于衬底基板上的氧化物薄膜晶体管和公共电极线，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅电极在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线与所述栅电极同层设置且呈狭缝状；
[0028] 覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层；
[0029] 位于所述钝化层上的像素电极和公共电极，所述公共电极通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极连接；
[0030] 位于所述钝化层上的所述SiNx层，所述SiNx层在所述衬底基板上的正投影与所述栅电极在所述衬底基板上的正投影不重合。
[0031] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的氧化物薄膜晶体管显示基板。
[0032] 本发明的实施例具有以下有益效果：
[0033] 上述方案中，在氧化物薄膜晶体管的半导体区域上方覆盖有SiON层，没有覆盖SiNx层，因此，SiNx层中的H离子不会扩散到氧化物薄膜晶体管的有源层中，避免了氧化物薄膜晶体管的有源层导体化的风险，在除半导体区域区域之外的其他区域覆盖有SiNx层，由于SiNx层的绝缘特性较好，膜质致密，因此能够很好地阻挡水汽和游离态的Na，K等离子，保证氧化物薄膜晶体管的器件特性，提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。附图说明
[0034] 图1和图2为现有氧化物薄膜晶体管显示基板的结构示意图；
[0035] 图3-图6为本发明实施例制作氧化物薄膜晶体管显示基板的示意图。
[0036] 附图标记
[0037] 1 衬底基板
[0038] 2 SiNx层
[0040] 4 氧化硅层
[0041] 5 SiON层
[0042] 6 源电极
[0043] 7 有源层
[0044] 8 栅电极
[0045] 9 漏电极
[0046] 10 公共电极线
[0047] 11 像素电极
[0048] 12 公共电极
[0049] 13 SiNx层
[0050] 14 紫外光
[0051] 15 光刻胶
[0052] 151 未曝光的光刻胶
[0053] 152 曝光后的光刻胶
具体实施方式
[0054] 为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0055] 氧化物TFT显示基板因其在低功耗，窄边框方面的优势，市场占有率越来越高。但氧化物TFT对空气中的水汽以及H离子非常敏感，水汽和游离态的H离子会剥夺氧化物半导体中的氧，使得半导体导体化，TFT失去开关作用，从而导致显示不良。
[0056] 现有技术中一般采用SiNx或SiON来作为氧化物TFT的绝缘层。如图1所示，现有的一种氧化物薄膜晶体管显示基板采用SiON层5来作为绝缘层，氧化物薄膜晶体管显示基板包括位于衬底基板1上的氧化物薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管包括栅电极8、栅绝缘层、有源层7、源电极8和漏电极9，其中，栅绝缘层采用氧化硅层3和SiNx层2，有源层采用氧化物半导体。在氧化物薄膜晶体管上覆盖有钝化层，钝化层包括氧化硅层4和SiON层5，钝化层上形成有公共电极12和像素电极11，像素电极11通过贯穿钝化层的过孔与漏电极9连接，公共电极12通过贯穿钝化层和栅绝缘层的过孔A与公共电极线10连接，可以看出，过孔A的深度较+深。SiON层5中虽然不含有游离态的H，但SiON层5的膜质疏松，对水汽和游离态的Na，K等离子的阻挡能力很弱，水汽和Na，K等离子非常容易进入氧化物TFT显示基板的各膜层中，从而影响像素电极以及TFT的器件特性，造成显示不良。并且过孔A的深度较深，与周围段差太大，在Cell(对盒)工艺时，容易因段差过大产生PI(聚酰亚胺)扩散不均等问题，对显示基板的良率影响很大。
[0057] 如图2所示，现有的另一种氧化物薄膜晶体管显示基板采用SiNx层13来作为绝缘层，氧化物薄膜晶体管显示基板包括位于衬底基板1上的氧化物薄膜晶体管，氧化物薄膜晶体管包括栅电极8、栅绝缘层、有源层7、源电极8和漏电极9，其中，栅绝缘层采用氧化硅层3和SiNx层2，有源层采用氧化物半导体。在氧化物薄膜晶体管上覆盖有钝化层，钝化层包括氧化硅层4和SiNx层13，钝化层上形成有公共电极12和像素电极11，像素电极11通过贯穿钝化层的过孔与漏电极9连接，公共电极12通过贯穿钝化层和栅绝缘层的过孔A与公共电极线10连接，可以看出，过孔A的深度较深。SiNx层13的绝缘特性较好，膜质致密，有非常优异的阻挡水汽和游离态的Na，K等离子的能力，但SiNx层13中游离态的H+很多，很容易扩散到TFT的半导体区域上，导致TFT失效，使得氧化物TFT显示基板的良率下降很多。并且过孔A的深度较深，与周围段差太大，在Cell工艺时，容易因段差过大产生PI扩散不均等问题，对显示基板的良率影响很大。
[0058] 本发明的实施例针对上述问题，提供一种氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。
[0059] 本发明实施例提供一种氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法，所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述制作方法包括：
[0060] 在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少覆盖所述第一区域的SiON层；
[0061] 形成覆盖所述第二区域的SiNx层。
[0062] 本实施例中，在氧化物薄膜晶体管的半导体区域上方覆盖有SiON层，没有覆盖SiNx层，因此，SiNx层中的H离子不会扩散到氧化物薄膜晶体管的有源层中，避免了氧化物薄膜晶体管的有源层导体化的风险，在除半导体区域区域之外的其他区域覆盖有SiNx层，由于SiNx层的绝缘特性较好，膜质致密，因此能够很好地阻挡水汽和游离态的Na，K等离子，保证氧化物薄膜晶体管的器件特性，提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。
[0063] 进一步地，所述形成至少覆盖所述第一区域的SiON层包括：
[0064] 形成覆盖所述第一区域和所述第二区域的SiON层，即SiON层可以覆盖整个显示基板。
[0065] 进一步地，形成覆盖所述第二区域的SiNx层之前，所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有深度大于阈值的第一过孔，形成覆盖所述第二区域的SiNx层的同时还利用所述SiNx层填充所述第一过孔。这样，SiNx层可以填充氧化物薄膜晶体管显示基板上的深孔，降低氧化物薄膜晶体管显示基板上的段差，减少因为段差产生的聚酰亚胺扩散不均相关不良。
[0066] 下面结合附图以及具体的实施例对本发明的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法进行详细介绍，本实施例的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法具体包括以下步骤：
[0067] 步骤1、提供一形成有氧化物薄膜晶体管和公共电极线10的衬底基板1；
[0068] 如图3所示，衬底基板1上形成有氧化物薄膜晶体管和公共电极线10，氧化物薄膜晶体管包括栅电极8、栅绝缘层、有源层7、源电极8和漏电极9，其中，栅绝缘层采用氧化硅层3和SiNx层2，所述有源层7在所述衬底基板1上的正投影落入所述栅电极8在所述衬底基板1上的正投影内，所述公共电极线10与所述栅电极8同层设置且呈狭缝状。
[0069] 步骤2、在步骤1提供的衬底基板1上形成覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层5；
[0070] 由于SiON层5与氧化物薄膜晶体管的半导体区域接触容易使得半导体区域导体化，因此，钝化层还包括氧化硅层4，氧化硅层4位于氧化物薄膜晶体管和SiON层5之间。
[0072] 之后，可以在钝化层上涂覆一层厚度约为 的有机树脂，有机树脂可以是苯并环丁烯(BCB)，也可以是其他的有机感光材料，曝光显影后，通过一次刻蚀工艺形成有第一过孔和第二过孔的钝化层的图形。其中，第一过孔位于公共电极线10上方，暴露出公共电极线10；第二过孔位于漏电极9上方，暴露出漏电极9。
[0073] 步骤3、在所述钝化层上形成像素电极11和公共电极12，所述公共电极12通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线10连接，所述像素电极11通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极9连接；
[0074] 具体地，在所述钝化层上通过溅射或热蒸发的方法沉积透明导电层，透明导电层可以是ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素电极11和公共电极12的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成像素电极11和公共电极12的图形。
[0075] 步骤4、如图3所示，在形成有所述像素电极11和所述公共电极12的衬底基板1上涂覆光刻胶15，从所述衬底基板1背向所述氧化物薄膜晶体管的一侧进行曝光，未被所述栅电极8遮挡的光刻胶15被曝光；
[0076] 如图3所示，在衬底基板1背向氧化物薄膜晶体管的一侧利用紫外光14进行曝光，有栅电极8遮挡的位置，紫外光14被遮挡，形成未曝光的光刻胶151；没被栅电极8遮挡的位置光刻胶被曝光，形成曝光后的光刻胶152。另外，由于公共电极线10呈狭缝状，因此，紫外光14可以通过衍射通过第一过孔，使得第一过孔位置处的光刻胶也可以被曝光。以氧化物薄膜晶体管的栅电极为掩膜进行曝光，可以不用再提供专门的掩膜板来进行曝光，能够降低氧化物薄膜晶体管显示基板的制作成本。
[0077] 步骤5、如图4所示，显影后去除未被所述栅电极8遮挡的光刻胶，保留被所述栅电极8遮挡的光刻胶；
[0078] 如图4所示，曝光后的基板进行显影，未曝光的光刻胶151得以保留，而曝光后的光刻胶152在显影后被去除。
[0079] 步骤6、如图5所示，进行SiNx层13的沉积，沉积的所述SiNx层13能够填充部分所述第一过孔；
[0080] 其中，在进行SiNx层13的沉积时，需要采用低温沉积工艺，成膜温度低于250℃，这样可以防止残留的光刻胶挥发，污染制作设备。
[0081] 步骤7、如图6所示，剥离剩余的光刻胶，光刻胶上的SiNx层13也随之被剥离，下面没有光刻胶的位置的SiNx层13留下。
[0082] 在经过步骤1-7后，氧化物薄膜晶体管显示基板的TFT半导体区域位置因为下面有栅电极8阻挡，正上方没有SiNx层13,因此没有SiNx层13中H离子扩散导致半导体区域导体化的风险，其余位置的SiNx层13保留，对氧化物薄膜晶体管显示基板的保护作用加强，另外，深孔位置处的SiNx层13也可以保留，用于填充深孔，减少因为段差产生的PI扩散不均相关不良。
[0083] 上述实施例中，以氧化物薄膜晶体管的栅电极为掩膜进行曝光，可以不用再提供专门的掩膜板来进行曝光，能够降低氧化物薄膜晶体管显示基板的制作成本。
[0084] 当然，本发明的氧化物薄膜晶体管显示基板的制作方法还可以不以氧化物薄膜晶体管的栅电极为掩膜进行曝光，而是在形成有像素电极11和公共电极12的衬底基板1上涂覆光刻胶之后，利用专门的掩膜板从衬底基板形成有氧化物薄膜晶体管的一侧对光刻胶进行曝光，形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；之后沉积SiNx层，进行光刻胶的剥离，光刻胶保留区域的SiNx层随之也被剥离，则形成的SiNx层的图形未覆盖氧化物薄膜晶体管的半导体区域。
[0085] 或者在形成有像素电极11和公共电极12的衬底基板1上沉积SiNx层，在SiNx层上涂覆光刻胶，利用专门的掩膜板从衬底基板形成有氧化物薄膜晶体管的一侧对光刻胶进行曝光，形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域，光刻胶保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的SiNx层，剥离剩余的光刻胶，则形成的SiNx层的图形未覆盖氧化物薄膜晶体管的半导体区域。
[0086] 本发明实施例还提供了一种氧化物薄膜晶体管显示基板，包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，还包括：
[0087] 位于所述氧化物薄膜晶体管上、至少覆盖所述第一区域的SiON层；
[0088] 位于所述SiON层上、覆盖所述第二区域的SiNx层。
[0089] 本实施例中，在氧化物薄膜晶体管的半导体区域上方覆盖有SiON层，没有覆盖SiNx层，因此，SiNx层中的H离子不会扩散到氧化物薄膜晶体管的有源层中，避免了氧化物薄膜晶体管的有源层导体化的风险，在除半导体区域区域之外的其他区域覆盖有SiNx层，由于SiNx层的绝缘特性较好，膜质致密，因此能够很好地阻挡水汽和游离态的Na，K等离子，保证氧化物薄膜晶体管的器件特性，提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。
[0090] 进一步地，所述SiON层覆盖所述第一区域和所述第二区域即SiON层可以覆盖整个显示基板。
[0091] 进一步地，所述氧化物薄膜晶体管显示基板上形成有深度大于阈值的第一过孔，所述SiNx层填充部分所述第一过孔。这样，SiNx层可以填充氧化物薄膜晶体管显示基板上的深孔，降低氧化物薄膜晶体管显示基板上的段差，减少因为段差产生的聚酰亚胺扩散不均相关不良。
[0092] 进一步地，如图6所示，所述氧化物薄膜晶体管显示基板具体包括：
[0093] 位于衬底基板1上的氧化物薄膜晶体管和公共电极线10，所述氧化物薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板1上的栅电极8、栅绝缘层、有源层7、源电极6和漏电极9，所述有源层7在所述衬底基板1上的正投影落入所述栅电极8在所述衬底基板上的正投影内，所述公共电极线10与所述栅电极8同层设置且呈狭缝状；
[0094] 覆盖所述氧化物薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括所述SiON层5；
[0095] 位于所述钝化层上的像素电极11和公共电极12，所述公共电极12通过贯穿所述栅绝缘层和所述钝化层的所述第一过孔与所述公共电极线10连接，所述像素电极11通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述漏电极9连接；
[0096] 位于所述钝化层上的所述SiNx层13，所述SiNx层13在所述衬底基板1上的正投影与所述栅电极8在所述衬底基板上的正投影不重合。
[0097] 其中，栅绝缘层采用氧化硅层3和SiNx层2，氧化硅层3可以避免SiNx层2与氧化物薄膜晶体管的半导体区域相接触，从而避免SiNx层2中的H离子扩散到氧化物薄膜晶体管的半导体区域中。
[0098] 由于SiON层5与氧化物薄膜晶体管的半导体区域接触容易使得半导体区域导体化，因此，钝化层还包括氧化硅层4，氧化硅层4位于氧化物薄膜晶体管和SiON层5之间。
[0099] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的氧化物薄膜晶体管显示基板。所述显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
[0100] 在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
[0101] 除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0102] 可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
[0103] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
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