专利汇可以提供一种类金刚石薄膜的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供在类金刚石材料上,利用 等离子体 增强 化学气相沉积 法制备方式,在类金刚石表面进行 镀 膜 。利用利用双放电腔 微波 -ECR等离子体全方位注入设备,采用PECVD技术制备的DLC 薄膜 能够达到对薄膜表面改性的目的。PECVD复合技术制备的Si/SiC/DLC梯度薄膜表面光滑致密, 缺陷 少,由尺寸均匀的纳米颗粒组成。薄膜的RMS粗糙度较低,在1.5nm左右变化。利用表面轮廓仪测得梯度薄膜的厚度约为1.2±0.1μm,Si,SiC过渡层厚度大约分别为:80±10nm,100±10nm,150±10nm,200±10nm。,下面是一种类金刚石薄膜的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于使用了一种新型系统,双放电腔微波-ECR等离子体全方位注入装置,同时应用了电子回旋共振和全方位离子注入技术,在低工作气压下实现了较高的等离子体密度,微波ECR全方位离子注入系统抽真空部分由机械泵和分子泵组成,最低气压可以抽到10-4Pa,本发明真空抽到4.0×10-3Pa,等离子产生是根据电子回旋共振原理设计的,主真空室为圆柱形腔体,两个ECR谐振腔相对的分别安置在主真空室两侧,微波系统是有频率为2.45 GHz的微波发生器、环形器、双向耦合器、三销钉调配器以及波导管所组成,如果线圈通有电流时能产生875 G的磁场,并且此时微波频率与电子在磁场中的回旋频率相等,便可以产生电子回旋共振进而产生等离子体,进而运用等离子体增强化学气相沉积法制备类合金薄膜。
2.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于仪器载物台能够转动,并可以通冷却水,高压电源为脉冲高压电源,负脉冲高压通过带陶瓷环的绝缘线连接到不锈钢样品台,调节样品台偏压的大小和频率来控制等离子体的能量和离子流密度,该设备工作特点为:低温成膜,对基体影响很小;能用多种方法成膜,能在大面积,复杂形状工件上成膜。
3.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于选择医用NiTi合金,NiTi合金为等轴晶,其中含有夹杂物,将NiTi合金片(Ф12mm×lmm)经400、800和1200号砂纸进行机械打磨后抛光,使其抛光后表面粗糙度达到0.1μm左右。
4.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于采用微波-ECR等离子体源系统制备梯度类金刚石薄膜,将试样置入真空室,用加离子对试样表面溅射清洗10分钟,离子的轰击和溅射作用将使表层吸附静杂质、酒污分子、氧化物脱离基体表面,从而大幅度改善界面状态,有助于提高膜基结合强度,将其放入真空室,真空室的需要达到的真空度为1.2×10-4Pa。
5.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于用Ar离子对试样表面进行溅射清晰20min,然后在试样表面沉积一层Si,保持Si靶射频溅射功率200W,左右谐振线圈电流60.81A和69.3A;沉积一定时间后将Si靶射频功率降为100W,同时通入氨气和甲烷的混台气体,制备30min的Si/a-C:H层,最后制备DLC薄膜,保待氩气与甲烷的流量比为l:
4,真空度为2.8×10-1Pa。
6.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于改变Si层沉积时间,分别为20,30,60和90min,制得Si/(Si.a-c:H)/DLC结构的薄膜。
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