一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法
专利汇可以提供一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光 二极管 制作方法，涉及 半导体 光电器件。本 发明 方法包括步骤：①在蓝 宝石 衬底上 外延 生长 GaN基外延层；②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜，去除部分区域的多层介质膜，露出p型GaN半导体层表面；③在多层介质膜及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积欧姆 接触 金属层；④在 欧姆接触 金属层上表面沉积电 镀 种子 层；⑤在 电镀 种子层 上表面形成金属衬底；⑥将蓝宝石衬底去除，并将器件倒置；⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型 电极 ；⑧在金属衬底下表面沉积n型电极。本发明采用多层介质膜进一步提高垂直结构 发光二极管 p型GaN欧姆接触层的反射率，从而有效提高GaN基垂直结构发光二极管的光提取效率。，下面是一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法专利的具体信息内容。
1.一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，它包括步骤：
①在蓝宝石衬底(100)上外延生长GaN基外延层(101)，GaN基外延层(101)从下至上依次包括n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN半导体层；
②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜(102)，去除部分区域的多层介质膜(102)，露出p型GaN半导体层表面；
③在多层介质膜(102)及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103)；
④在欧姆接触金属层(103)上表面沉积电镀种子层(104)；
⑤在电镀种子层(104)上表面通过电镀的方式形成金属衬底(105)；
⑥将蓝宝石衬底(100)去除，并将器件倒置；
⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极(107)；
⑧在金属衬底(105)下表面沉积n型电极(106)。
2.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述外延生长GaN基外延层(101)是通过金属有机气相化学沉积MOCVD方法形成。
3.根据权利要求1或2所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述沉积多层介质膜(102)采用蒸发、溅射或者化学沉积的方法形成；多层介质膜(102)的制备材料选自SiO2、TiO2、ZnS、ZrO2、Ta2O5、PbF2、MgF2或者Al2O3；去除部分区域的多层介质膜(102)采用湿法或干法刻蚀的方法。
4.根据权利要求3所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103)后，对欧姆接触金属层(103)进行退火处理，退火温度
300-550℃，退火时间3-20min；欧姆接触金属层(103)的材料包含NiAgTiAu、NiAgPtAu、NiAgNiAu、NiAgWAu金属体系。
5.根据权利要求4所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述电镀种子层(104)的制备材料采用Au、Ni、Cu、Ta、Ti及其合金。
6.根据权利要求5所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述去除蓝宝石衬底(100)的方式采用激光剥离、研磨或者湿法腐蚀；所述p型电极(107)、n型电极(106)的沉积方式采用蒸镀或溅射的方法。
一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜，去除部分区域的多层介质膜，露出p型GaN半导体层表面；
③在多层介质膜及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积具有高反射率的欧姆接触金属层；
④在欧姆接触金属层上表面沉积电镀种子层；
⑤在电镀种子层上表面通过电镀的方式形成金属衬底；
⑥将蓝宝石衬底去除，并将器件倒置；
⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极；
⑧在金属衬底下表面沉积n型电极。
附图说明
具体实施方式
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