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一种对称电容耦合型滤波器

阅读：573发布：2020-05-11

专利汇可以提供一种对称电容耦合型滤波器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种对称电容耦合型滤波器，属于滤波器技术领域，包括输入端口P1、第一滤波单元、电容CM、第二滤波单元和输出端口P2，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构对称电容耦合型滤波器，提高带外抑制度的同时保证了滤波器的小型化，并且结构中电感电容分离距离较大，降低了工艺难度提高成品率。，下面是一种对称电容耦合型滤波器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种对称电容耦合型滤波器，其特征在于：包括输入端口P1、第一滤波单元、电容CM、第二滤波单元和输出端口P2，输入端口P1、第一滤波单元、电容CM、第二滤波单元和输出端口P2为从左至右依次间隔设置；
第一滤波单元包括带状线R1、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、通孔V2、通孔V3、通孔V4、通孔V5、通孔V6和通孔V7，第一滤波单元分为第一电容层、第二电容层、第三电感层和第四电容层，第一电容层、第二电容层、第三电感层和第四电容层为从上至下依次间隔设置，电容C3和电容C6设于第一电容层上，电容C1、电容C2、电容C4和电容C7设于第二电容层上，电容C5、电感L1、电感L2、电感L3和电感L4设于第三电感层上，电容C8设于第四电容层上；
电容C1位于电感L1的上方，电容C1通过通孔 V1连接电感L1，电感L2位于电感L1的右边，电感L1连接电感L2，电容C2位于电感L2的上边，电容C3位于电容C2的上边，电容C2通过通孔V1连接电感L1，电容C3通过通孔V7连接电感L2，电感L2的前方间隔设有带状线R1，带状线R1设于第二电容层上，电感L2通过通孔V4连接带状线R1；
微带线R1的前方设有电感L4，电感L4通过通孔V5连接微带线R1，电容C7位于电感L4的上方，电容C8位于电感L4的右边，电容C7通过通孔V6连接电容C8，电感L4通过通孔V6连接电容C7，电容CM通过通孔V6连接电容C8；
电容C5位于电感L1的前方，电容C5连接电感L1，电容C5还连接输入端口P1；
电感L3位于电容C5的前方，电感L3通过通孔V2连接电容C5，电容C4位于电感L3的上方，电容C6位于电容C4的上方，电容C4通过通孔V2连接电感L3,电容C6通过通孔V3连接电感L3；
第二滤波单元包括带状线R2、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、通孔V8、通孔V9、通孔V10、通孔V11、通孔V12、通孔V13和通孔V14，第二滤波单元分为第五电容层、第六电容层、第七电感层和第八电容层，第五电容层与第一电容层在一个层面上，第六电容层与第二电容层在一个层面上，第七电感层与第三电感层在一个层面上，第八电容层与第四电容层在一个层面上；
第五电容层上设有电容C9和电容C14，第六电容层上设有带状线R2、电容C10、电容C11、电容C13和电容C15，第七电感层上设有电感L5、电感L6、电感L7、电感L8和电容C12，第八电容层上设有电容C16；
电感L5的上边设有电容C10，电容C10的上边设有电容C9，电感L5通过通孔V14连接电容C10，电感L5通过通孔V9连接电容C9，带状线R2位于电感L5的下边，带状线R2通过通孔V11连接电感L5，带状线R2的下边设有电感L7，电感L7通过通孔V12连接带状线R2，电感L7的左边设有电容C16，电感L7的上边设有电容C15，电容C15通过通孔V8连接电容C16，电感L7通过通孔V8连接电容C15，电容CM通过通孔V8连接电容C16；
电感L5的右边设有电感L6，电感L6连接电感L5，电感L6的上边设有电容C11，电容C11通过通孔V14连接电感L6，电感L6的前边设有电容C12，电容C12连接电感L6，电容C12还连接输出端口P2，电容C12的下边设有电感L8，电感L8通过通孔V10连接电容C12，电感L8的上边设有电容C14，电容C14的上边设有电容C13，电容C14通过通孔V13连接电感L8，电容C13通过通孔V13连接电感L8。
2.如权利要求1所述的一种对称电容耦合型滤波器，其特征在于：所述输入端口P2和输出端口P1均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。
3.如权利要求1所述的一种对称电容耦合型滤波器，其特征在于：所述一种对称电容耦合型滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。

说明书全文

一种对称电容耦合型滤波器

技术领域

[0001] 本发明属于滤波器技术领域。

背景技术

[0002] 近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对微波滤波器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。在一些国防尖端设备中，双工器已经成为该波段接收和发射支路中的关键电子部件，描述这种部件性能的主要指标有：通带工作频率范围、阻带频率范围、隔离度、通带插入损耗、阻带衰减、通带输入/输出电压驻波比、插入相移和时延频率特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。

[0003] 低温共烧陶瓷是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部，同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。LTCC技术在成本、集成封装、布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计多样性和灵活性及高频性能等方面都显现出众多优点，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，便于内嵌无源器件，散热性好，可靠性高，耐高温，冲震等优点，利用LTCC技术，可以很好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。

发明内容

[0004] 本发明的目的是提供一种对称电容耦合型滤波器，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构对称电容耦合型滤波器，提高带外抑制度的同时保证了滤波器的小型化，并且结构中电感电容分离距离较大，降低了工艺难度提高成品率。

[0005] 为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

[0006] 一种对称电容耦合型滤波器，包括输入端口P1、第一滤波单元、电容CM、第二滤波单元和输出端口P2，输入端口P1、第一滤波单元、电容CM、第二滤波单元和输出端口P2为从左至右依次间隔设置；

[0007] 第一滤波单元包括带状线R1、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、通孔V2、通孔V3、通孔V4、通孔V5、通孔V6和通孔V7，第一滤波单元分为第一电容层、第二电容层、第三电感层和第四电容层，第一电容层、第二电容层、第三电感层和第四电容层为从上至下依次间隔设置，电容C3和电容C6设于第一电容层上，电容C1、电容C2、电容C4和电容C7设于第二电容层上，电容C5、电感L1、电感L2、电感L3和电感L4设于第三电感层上，电容C8设于第四电容层上；

[0008] 电容C1位于电感L1的上方，电容C1通过通过V1连接电感L1，电感L2位于电感L1的右边，电感L1连接电感L2，电容C2位于电感L2的上边，电容C3位于电容C2的上边，电容C2通过通孔V1连接电感L1，电容C3通过通孔V7连接电感L2，电感L2的前方间隔设有带状线R1，带状线R1设于第二电容层上，电感L2通过通孔V4连接带状线R1；

[0009] 微带线R1的前方设有电感L4，电感L4通过通孔V5连接微带线R1，电容C7位于电感L4的上方，电容C8位于电感L4的右边，电容C7通过通孔V6连接电容C8，电感L4通过通孔V6连接电容C7，电容CM通过通孔V6连接电容C8；

[0010] 电容C5位于电感L1的前方，电容C5连接电感L1，电容C5还连接输入端口P1；

[0011] 电感L3位于电容C5的前方，电感L3通过通孔V2连接电容C5，电容C4位于电感L3的上方，电容C6位于电容C4的上方，电容C4通过通孔V2连接电感L3,电容C6通过通孔V3连接电感L3；

[0012] 第二滤波单元包括带状线R2、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、通孔V8、通孔V9、通孔V10、通孔V11、通孔V12、通孔V13和通孔V14，第二滤波单元分为第五电容层、第六电容层、第七电感层和第八电容层，第五电容层与第一电容层在一个层面上，第六电容层与第二电容层在一个层面上，第七电感层与第三电感层在一个层面上，第八电容层与第四电容层在一个层面上；

[0013] 第五电容层上设有电容C9和电容C14，第六电容层上设有带状线R2、电容C10、电容C11、电容C13和电容C15，第七电感层上设有电感L5、电感L6、电感L7、电感L8和电容C12，第八电容层上设有电容C16；

[0014] 电感L5的上边设有电容C10，电容C10的上边设有电容C9，电感L5通过通孔V14连接电容C10，电感L5通过通孔V9连接电容C9，带状线R2位于电感L5的下边，带状线R2通过通孔V11连接电感L5，带状线R2的下边设有电感L7，电感L7通过通孔V12连接带状线R2，电感L7的左边设有电容C16，电感L7的上边设有电容C15，电容C15通过通孔V8连接电容C16，电感L7通过通孔V8连接电容C15，电容CM通过通孔V8连接电容C16；

[0015] 电感L5的右边设有电感L6，电感L6连接电感L5，电感L6的上边设有电容C11，电容C11通过通孔V14连接电感L6，电感L6的前边设有电容C12，电容C12连接电感L6，电容C12还连接输出端口P2，电容C12的下边设有电感L8，电感L8通过通孔V10连接电容C12，电感L8的上边设有电容C14，电容C14的上边设有电容C13，电容C14通过通孔V13连接电感L8，电容C13通过通孔V13连接电感L8。

[0016] 所述输入端口P2和输出端口P1均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。

[0017] 所述一种对称电容耦合型滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。

[0018] 本发明的目的是提供一种对称电容耦合型滤波器，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构对称电容耦合型滤波器，提高带外抑制度的同时保证了滤波器的小型化，并且结构中电感电容分离距离较大，降低了工艺难度提高成品率，适用于卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。附图说明

[0019] 图1是本发明的整体结构俯视图；

[0020] 图2是本发明的第一滤波单元结构示意图。

具体实施方式

[0021] 如图1-2所示的一种对称电容耦合型滤波器，包括输入端口P1、第一滤波单元、电容CM、第二滤波单元和输出端口P2，输入端口P1、第一滤波单元、电容CM、第二滤波单元和输出端口P2为从左至右依次间隔设置；

[0022] 第一滤波单元包括带状线R1、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、通孔V2、通孔V3、通孔V4、通孔V5、通孔V6和通孔V7，第一滤波单元分为第一电容层、第二电容层、第三电感层和第四电容层，第一电容层、第二电容层、第三电感层和第四电容层为从上至下依次间隔设置，电容C3和电容C6设于第一电容层上，电容C1、电容C2、电容C4和电容C7设于第二电容层上，电容C5、电感L1、电感L2、电感L3和电感L4设于第三电感层上，电容C8设于第四电容层上；

[0023] 电容C1位于电感L1的上方，电容C1通过通过V1连接电感L1，电感L2位于电感L1的右边，电感L1连接电感L2，电容C2位于电感L2的上边，电容C3位于电容C2的上边，电容C2通过通孔V1连接电感L1，电容C3通过通孔V7连接电感L2，电感L2的前方间隔设有带状线R1，带状线R1设于第二电容层上，电感L2通过通孔V4连接带状线R1；

[0024] 微带线R1的前方设有电感L4，电感L4通过通孔V5连接微带线R1，电容C7位于电感L4的上方，电容C8位于电感L4的右边，电容C7通过通孔V6连接电容C8，电感L4通过通孔V6连接电容C7，电容CM通过通孔V6连接电容C8；

[0025] 电容C5位于电感L1的前方，电容C5连接电感L1，电容C5还连接输入端口P1；

[0026] 电感L3位于电容C5的前方，电感L3通过通孔V2连接电容C5，电容C4位于电感L3的上方，电容C6位于电容C4的上方，电容C4通过通孔V2连接电感L3,电容C6通过通孔V3连接电感L3；

[0027] 第二滤波单元包括带状线R2、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、通孔V8、通孔V9、通孔V10、通孔V11、通孔V12、通孔V13和通孔V14，第二滤波单元分为第五电容层、第六电容层、第七电感层和第八电容层，第五电容层与第一电容层在一个层面上，第六电容层与第二电容层在一个层面上，第七电感层与第三电感层在一个层面上，第八电容层与第四电容层在一个层面上；

[0028] 第五电容层上设有电容C9和电容C14，第六电容层上设有带状线R2、电容C10、电容C11、电容C13和电容C15，第七电感层上设有电感L5、电感L6、电感L7、电感L8和电容C12，第八电容层上设有电容C16；

[0029] 电感L5的上边设有电容C10，电容C10的上边设有电容C9，电感L5通过通孔V14连接电容C10，电感L5通过通孔V9连接电容C9，带状线R2位于电感L5的下边，带状线R2通过通孔V11连接电感L5，带状线R2的下边设有电感L7，电感L7通过通孔V12连接带状线R2，电感L7的左边设有电容C16，电感L7的上边设有电容C15，电容C15通过通孔V8连接电容C16，电感L7通过通孔V8连接电容C15，电容CM通过通孔V8连接电容C16；

[0030] 电感L5的右边设有电感L6，电感L6连接电感L5，电感L6的上边设有电容C11，电容C11通过通孔V14连接电感L6，电感L6的前边设有电容C12，电容C12连接电感L6，电容C12还连接输出端口P2，电容C12的下边设有电感L8，电感L8通过通孔V10连接电容C12，电感L8的上边设有电容C14，电容C14的上边设有电容C13，电容C14通过通孔V13连接电感L8，电容C13通过通孔V13连接电感L8。

[0031] 所述输入端口P2和输出端口P1均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。

[0032] 所述一种对称电容耦合型滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。

[0033] 工作时，信号从输入端口P1进入滤波器，先由第一滤波单元滤波后在通过电容CM传送给第二滤波单元滤波，第二滤波单元滤波后再由输出端口P2输出。

[0034] 本发明的目的是提供一种对称电容耦合型滤波器，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构对称电容耦合型滤波器，提高带外抑制度的同时保证了滤波器的小型化，并且结构中电感电容分离距离较大，降低了工艺难度提高成品率，适用于卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。

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一种对称电容耦合型滤波器

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