一种电容加载型缺口环C型滤波器专利检索-低温共烧陶瓷微电子学专利检索查询-专利查询网

一种电容加载型缺口环C型滤波器

阅读：764发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种电容加载型缺口环C型滤波器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种电容加载型缺口环C型滤波器，属于滤波器技术领域，包括输入端口P1、输出端口P2、第一带状线层，第二带状线层、第一电容层、第一金属柱H11、第二金属柱H12、第三金属柱H13、第四金属柱H14、第五金属柱H21、第六金属柱H22、第七金属柱H23、第八金属柱H24、第九金属柱H31、第十金属柱H32、第十一金属柱H33、第十二金属柱H34、第十三金属柱H41、第十四金属柱H42、第十五金属柱H43、第十六金属柱H44、第十七金属柱H51和第十八金属柱H52，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构滤波器。，下面是一种电容加载型缺口环C型滤波器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种电容加载型缺口环C型滤波器，其特征在于：包括输入端口P1、输出端口P2、第一带状线层，第二带状线层、第一电容层、第一金属柱H11、第二金属柱H12、第三金属柱H13、第四金属柱H14、第五金属柱H21、第六金属柱H22、第七金属柱H23、第八金属柱H24、第九金属柱H31、第十金属柱H32、第十一金属柱H33、第十二金属柱H34、第十三金属柱H41、第十四金属柱H42、第十五金属柱H43、第十六金属柱H44、第十七金属柱H51和第十八金属柱H52，输入端口P1和输出端口P2为左右间隔设置，第一带状线层，第二带状线层和第一电容层为从上至下依次设置；
第一带状线层包括第一级开口环形带状线K1、第二级开口环形带状线K2、第三级开口环形带状线K3和第四级开口环形带状线K4，所述第一级开口环形带状线K1的开口方向向右，所述第一级开口环形带状线K1的下方间隔设有第三级开口环形带状线K3，第三级开口环形带状线K3的开口方向向左，所述第一级开口环形带状线K1的右边间隔设有第二级开口环形带状线K2，第二级开口环形带状线K2的开口方向与所述第一级开口环形带状线K1的开口方向相对，所述第二级开口环形带状线K2的下方间隔设有第四级开口环形带状线K4，第四级开口环形带状线K4的开口方向与所述第三级开口环形带状线K3的开口方向相背；
第二带状线层包括第一Z形带状线T1和第二Z形带状线T2，第一Z形带状线T1的一端连接输入端口P1，另一端通过第十七金属柱H51连接第一级开口环形带状线K1，第二Z形带状线T2的一端连接输出端口P2，另一端通过第十八金属柱H52连接第二级开口环形带状线K2；
第一电容层包括电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C31、电容C32、电容C33、电容C34、电容C41、电容C42、电容C43和电容C44，所述第一级开口环形带状线K1、所述第二级开口环形带状线K2、所述第三级开口环形带状线K3和所述第四级开口环形带状线K4均为矩形的开口环形带状线；
所述第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点的下侧设有电容C11，第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点与电容C11之间设有第一金属柱H11，第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点与电容C11通过第一金属柱H11连接；
所述第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点的下侧设有电容C12，第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点与电容C12之间设有第二金属柱H12，第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点与电容C12通过第二金属柱H12连接；
所述第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点的下侧设有电容C13，第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点与电容C13之间设有第三金属柱H13，第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点与电容C13通过第三金属柱H13连接；
所述第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点的下侧设有电容C14，第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点与电容C14之间设有第四金属柱H14，第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点与电容C14通过第四金属柱H14连接；
所述第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点的下侧设有电容C21，第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点与电容C21之间设有第五金属柱H21，第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点与电容C21通过第五金属柱H21连接；
所述第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点的下侧设有电容C22，第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点与电容C22之间设有第六金属柱H22，第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点与电容C22通过第六金属柱H22连接；
所述第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点的下侧设有电容C23，第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点与电容C23之间设有第七金属柱H23，第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点与电容C23通过第七金属柱H23连接；
所述第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点的下侧设有电容C24，第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点与电容C24之间设有第八金属柱H24，第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点与电容C24通过第八金属柱H24连接；
所述第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点的下侧设有电容C31，第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点与电容C31之间设有第九金属柱H31，第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点与电容C31通过第九金属柱H31连接；
所述第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点的下侧设有电容C32，第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点与电容C32之间设有第十金属柱H32，第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点与电容C32通过第十金属柱H32连接；
所述第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点的下侧设有电容C33，第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点与电容C33之间设有第十一金属柱H33，第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点与电容C33通过第十一金属柱H33连接；
所述第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点的下侧设有电容C34，第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点与电容C34之间设有第十二金属柱H34，第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点与电容C34通过第十二金属柱H34连接；
所述第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点的下侧设有电容C41，第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点与电容C41之间设有第十三金属柱H41，第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点与电容C41通过第十三金属柱H41连接；
所述第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点的下侧设有电容C42，第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点与电容C42之间设有第十四金属柱H42，第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点与电容C42通过第十四金属柱H42连接；
所述第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点的下侧设有电容C43，第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点与电容C43之间设有第十五金属柱H43，第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点与电容C43通过第十五金属柱H43连接；
所述第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点的下侧设有电容C44，第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点与电容C44之间设有第十六金属柱H44，第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点与电容C44通过第十六金属柱H44连接。
2.如权利要求1所述的一种电容加载型缺口环C型滤波器，其特征在于：所述输入端口P1和输出端口P2均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。
3.如权利要求1所述的一种电容加载型缺口环C型滤波器，其特征在于：所述一种电容加载型缺口环C型滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。
4.如权利要求1所述的一种电容加载型缺口环C型滤波器，其特征在于：所述第一级开口环形带状线K1、所述第十七金属柱H51、所述第一Z形带状线T1、所述电容C11、所述电容C12、所述电容C13、所述电容C14、所述第一金属柱H11、所述第二金属柱H12、所述第三金属柱H13和所述第四金属柱H14组成了第一级滤波单元A1，所述第二级开口环形带状线K2、所述第十八金属柱H52、所述第二Z形带状线T2、所述电容C21、所述电容C22、所述电容C23、所述电容C24、所述第五金属柱H21、所述第六金属柱H22、所述第七金属柱H23和所述第八金属柱H24组成了第二级滤波单元A2，所述三级开口环形带状线K3、所述电容C31、所述电容C32、所述电容C33、所述电容C34、所述第九金属柱H31、所述第十金属柱H32、所述第十一金属柱H33和所述第十二金属柱H34组成了第三级滤波单元A3，所述第四级开口环形带状线K4、所述电容C41、所述电容C42、所述电容C43、所述电容C44、所述第十三金属柱H41、所述第十四金属柱H42、所述第十五金属柱H43和所述第十六金属柱H44组成了第四级滤波单元A4。

说明书全文

一种电容加载型缺口环C型滤波器

技术领域

[0001] 本发明属于滤波器技术领域。

背景技术

[0002] 近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对微波滤波器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。在一些国防尖端设备中，双工器已经成为该波段接收和发射支路中的关键电子部件，描述这种部件性能的主要指标有：通带工作频率范围、阻带频率范围、隔离度、通带插入损耗、阻带衰减、通带输入/输出电压驻波比、插入相移和时延频率特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。

[0003] 低温共烧陶瓷是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部，同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。LTCC技术在成本、集成封装、布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计多样性和灵活性及高频性能等方面都显现出众多优点，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，便于内嵌无源器件，散热性好，可靠性高，耐高温，冲震等优点，利用LTCC技术，可以很好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。

发明内容

[0004] 本发明的目的是提供一种电容加载型缺口环C型滤波器，采用LTCC技术，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构滤波器。

[0005] 为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

[0006] 一种电容加载型缺口环C型滤波器，包括输入端口P1、输出端口P2、第一带状线层，第二带状线层、第一电容层、第一金属柱H11、第二金属柱H12、第三金属柱H13、第四金属柱H14、第五金属柱H21、第六金属柱H22、第七金属柱H23、第八金属柱H24、第九金属柱H31、第十金属柱H32、第十一金属柱H33、第十二金属柱H34、第十三金属柱H41、第十四金属柱H42、第十五金属柱H43、第十六金属柱H44、第十七金属柱H51和第十八金属柱H52，输入端口P1和输出端口P2为左右间隔设置，第一带状线层，第二带状线层和第一电容层为从上至下依次设置；

[0007] 第一带状线层包括第一级开口环形带状线K1、第二级开口环形带状线K2、第三级开口环形带状线K3和第四级开口环形带状线K4，所述第一级开口环形带状线K1的开口方向向右，所述第一级开口环形带状线K1的下方间隔设有第三级开口环形带状线K3，第三级开口环形带状线K3的开口方向向左，所述第一级开口环形带状线K1的右边间隔设有第二级开口环形带状线K2，第二级开口环形带状线K2的开口方向与所述第一级开口环形带状线K1的开口方向相对，所述第二级开口环形带状线K2的下方间隔设有第四级开口环形带状线K4，第四级开口环形带状线K4的开口方向与所述第三级开口环形带状线K3的开口方向相背；

[0008] 第二带状线层包括第一Z形带状线T1和第二Z形带状线T2，第一Z形带状线T1的一端连接输入端口P1，另一端通过第十七金属柱H51连接第一级开口环形带状线K1，第二Z形带状线T2的一端连接输出端口P2，另一端通过第十八金属柱H52连接第二级开口环形带状线K2；

[0009] 第一电容层包括电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C31、电容C32、电容C33、电容C34、电容C41、电容C42、电容C43和电容C44，所述第一级开口环形带状线K1、所述第二级开口环形带状线K2、所述第三级开口环形带状线K3和所述第四级开口环形带状线K4均为矩形的开口环形带状线；

[0010] 所述第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点的下侧设有电容C11，第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点与电容C11之间设有第一金属柱H11，第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点与电容C11通过第一金属柱H11连接；

[0011] 所述第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点的下侧设有电容C12，第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点与电容C12之间设有第二金属柱H12，第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点与电容C12通过第二金属柱H12连接；

[0012] 所述第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点的下侧设有电容C13，第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点与电容C13之间设有第三金属柱H13，第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点与电容C13通过第三金属柱H13连接；

[0013] 所述第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点的下侧设有电容C14，第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点与电容C14之间设有第四金属柱H14，第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点与电容C14通过第四金属柱H14连接；

[0014] 所述第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点的下侧设有电容C21，第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点与电容C21之间设有第五金属柱H21，第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点与电容C21通过第五金属柱H21连接；

[0015] 所述第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点的下侧设有电容C22，第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点与电容C22之间设有第六金属柱H22，第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点与电容C22通过第六金属柱H22连接；

[0016] 所述第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点的下侧设有电容C23，第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点与电容C23之间设有第七金属柱H23，第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点与电容C23通过第七金属柱H23连接；

[0017] 所述第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点的下侧设有电容C24，第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点与电容C24之间设有第八金属柱H24，第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点与电容C24通过第八金属柱H24连接；

[0018] 所述第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点的下侧设有电容C31，第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点与电容C31之间设有第九金属柱H31，第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点与电容C31通过第九金属柱H31连接；

[0019] 所述第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点的下侧设有电容C32，第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点与电容C32之间设有第十金属柱H32，第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点与电容C32通过第十金属柱H32连接；

[0020] 所述第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点的下侧设有电容C33，第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点与电容C33之间设有第十一金属柱H33，第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点与电容C33通过第十一金属柱H33连接；

[0021] 所述第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点的下侧设有电容C34，第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点与电容C34之间设有第十二金属柱H34，第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点与电容C34通过第十二金属柱H34连接；

[0022] 所述第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点的下侧设有电容C41，第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点与电容C41之间设有第十三金属柱H41，第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点与电容C41通过第十三金属柱H41连接；

[0023] 所述第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点的下侧设有电容C42，第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点与电容C42之间设有第十四金属柱H42，第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点与电容C42通过第十四金属柱H42连接；

[0024] 所述第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点的下侧设有电容C43，第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点与电容C43之间设有第十五金属柱H43，第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点与电容C43通过第十五金属柱H43连接；

[0025] 所述第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点的下侧设有电容C44，第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点与电容C44之间设有第十六金属柱H44，第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点与电容C44通过第十六金属柱H44连接。

[0026] 所述输入端口P1和输出端口P2均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。

[0027] 所述一种电容加载型缺口环C型滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。

[0028] 所述第一级开口环形带状线K1、所述第十七金属柱H51、所述第一Z形带状线T1、所述电容C11、所述电容C12、所述电容C13、所述电容C14、所述第一金属柱H11、所述第二金属柱H12、所述第三金属柱H13和所述第四金属柱H14组成了第一级滤波单元A1，所述第二级开口环形带状线K2、所述第十八金属柱H52、所述第二Z形带状线T2、所述电容C21、所述电容C22、所述电容C23、所述电容C24、所述第五金属柱H21、所述第六金属柱H22、所述第七金属柱H23和所述第八金属柱H24组成了第二级滤波单元A2，所述三级开口环形带状线K3、所述电容C31、所述电容C32、所述电容C33、所述电容C34、所述第九金属柱H31、所述第十金属柱H32、所述第十一金属柱H33和所述第十二金属柱H34组成了第三级滤波单元A3，所述第四级开口环形带状线K4、所述电容C41、所述电容C42、所述电容C43、所述电容C44、所述第十三金属柱H41、所述第十四金属柱H42、所述第十五金属柱H43和所述第十六金属柱H44组成了第四级滤波单元A4。

[0029] 本发明所述的一种电容加载型缺口环C型滤波器，采用LTCC技术，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构滤波器；本发明重量轻、体积小、可靠性高、电性能好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，适用于相应C频段的通信、卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。附图说明

[0030] 图1是本发明的结构示意图；

[0031] 图2是本发明第一级滤波单元A1结构示意图；

[0032] 图3是本发明第二级滤波单元A2结构示意图；

[0033] 图4是本发明第三级滤波单元A3结构示意图；

[0034] 图5是本发明第四级滤波单元A4结构示意图。

具体实施方式

[0035] 如图1-5所示的一种电容加载型缺口环C型滤波器，包括输入端口P1、输出端口P2、第一带状线层，第二带状线层、第一电容层、第一金属柱H11、第二金属柱H12、第三金属柱H13、第四金属柱H14、第五金属柱H21、第六金属柱H22、第七金属柱H23、第八金属柱H24、第九金属柱H31、第十金属柱H32、第十一金属柱H33、第十二金属柱H34、第十三金属柱H41、第十四金属柱H42、第十五金属柱H43、第十六金属柱H44、第十七金属柱H51和第十八金属柱H52，输入端口P1和输出端口P2为左右间隔设置，第一带状线层，第二带状线层和第一电容层为从上至下依次设置；

[0036] 第一带状线层包括第一级开口环形带状线K1、第二级开口环形带状线K2、第三级开口环形带状线K3和第四级开口环形带状线K4，所述第一级开口环形带状线K1的开口方向向右，所述第一级开口环形带状线K1的下方间隔设有第三级开口环形带状线K3，第三级开口环形带状线K3的开口方向向左，所述第一级开口环形带状线K1的右边间隔设有第二级开口环形带状线K2，第二级开口环形带状线K2的开口方向与所述第一级开口环形带状线K1的开口方向相对，所述第二级开口环形带状线K2的下方间隔设有第四级开口环形带状线K4，第四级开口环形带状线K4的开口方向与所述第三级开口环形带状线K3的开口方向相背；

[0037] 第二带状线层包括第一Z形带状线T1和第二Z形带状线T2，第一Z形带状线T1的一端连接输入端口P1，另一端通过第十七金属柱H51连接第一级开口环形带状线K1，第二Z形带状线T2的一端连接输出端口P2，另一端通过第十八金属柱H52连接第二级开口环形带状线K2；

[0038] 第一电容层包括电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C21、电容C22、电容C23、电容C24、电容C31、电容C32、电容C33、电容C34、电容C41、电容C42、电容C43和电容C44，所述第一级开口环形带状线K1、所述第二级开口环形带状线K2、所述第三级开口环形带状线K3和所述第四级开口环形带状线K4均为矩形的开口环形带状线；

[0039] 所述第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点的下侧设有电容C11，第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点与电容C11之间设有第一金属柱H11，第一级开口环形带状线K1的左后侧的角点与电容C11通过第一金属柱H11连接；

[0040] 所述第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点的下侧设有电容C12，第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点与电容C12之间设有第二金属柱H12，第一级开口环形带状线K1的右后侧的角点与电容C12通过第二金属柱H12连接；

[0041] 所述第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点的下侧设有电容C13，第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点与电容C13之间设有第三金属柱H13，第一级开口环形带状线K1的左前侧的角点与电容C13通过第三金属柱H13连接；

[0042] 所述第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点的下侧设有电容C14，第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点与电容C14之间设有第四金属柱H14，第一级开口环形带状线K1的右前侧的角点与电容C14通过第四金属柱H14连接，

[0043] 所述第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点的下侧设有电容C21，第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点与电容C21之间设有第五金属柱H21，第二级开口环形带状线K2的左后侧的角点与电容C21通过第五金属柱H21连接；

[0044] 所述第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点的下侧设有电容C22，第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点与电容C22之间设有第六金属柱H22，第二级开口环形带状线K2的右后侧的角点与电容C22通过第六金属柱H22连接；

[0045] 所述第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点的下侧设有电容C23，第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点与电容C23之间设有第七金属柱H23，第二级开口环形带状线K2的左前侧的角点与电容C23通过第七金属柱H23连接；

[0046] 所述第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点的下侧设有电容C24，第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点与电容C24之间设有第八金属柱H24，第二级开口环形带状线K2的右前侧的角点与电容C24通过第八金属柱H24连接；

[0047] 所述第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点的下侧设有电容C31，第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点与电容C31之间设有第九金属柱H31，第三级开口环形带状线K3的左后侧的角点与电容C31通过第九金属柱H31连接；

[0048] 所述第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点的下侧设有电容C32，第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点与电容C32之间设有第十金属柱H32，第三级开口环形带状线K3的右后侧的角点与电容C32通过第十金属柱H32连接；

[0049] 所述第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点的下侧设有电容C33，第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点与电容C33之间设有第十一金属柱H33，第三级开口环形带状线K3的左前侧的角点与电容C33通过第十一金属柱H33连接；

[0050] 所述第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点的下侧设有电容C34，第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点与电容C34之间设有第十二金属柱H34，第三级开口环形带状线K3的右前侧的角点与电容C34通过第十二金属柱H34连接；

[0051] 所述第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点的下侧设有电容C41，第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点与电容C41之间设有第十三金属柱H41，第四级开口环形带状线K4的左后侧的角点与电容C41通过第十三金属柱H41连接；

[0052] 所述第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点的下侧设有电容C42，第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点与电容C42之间设有第十四金属柱H42，第四级开口环形带状线K4的右后侧的角点与电容C42通过第十四金属柱H42连接；

[0053] 所述第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点的下侧设有电容C43，第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点与电容C43之间设有第十五金属柱H43，第四级开口环形带状线K4的左前侧的角点与电容C43通过第十五金属柱H43连接；

[0054] 所述第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点的下侧设有电容C44，第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点与电容C44之间设有第十六金属柱H44，第四级开口环形带状线K4的右前侧的角点与电容C44通过第十六金属柱H44连接。所述输入端口P1和输出端口P2均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。

[0055] 所述一种电容加载型缺口环C型滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。

[0056] 所述第一级开口环形带状线K1、所述第十七金属柱H51、所述第一Z形带状线T1、所述电容C11、所述电容C12、所述电容C13、所述电容C14、所述第一金属柱H11、所述第二金属柱H12、所述第三金属柱H13和所述第四金属柱H14组成了第一级滤波单元A1，所述第二级开口环形带状线K2、所述第十八金属柱H52、所述第二Z形带状线T2、所述电容C21、所述电容C22、所述电容C23、所述电容C24、所述第五金属柱H21、所述第六金属柱H22、所述第七金属柱H23和所述第八金属柱H24组成了第二级滤波单元A2，所述三级开口环形带状线K3、所述电容C31、所述电容C32、所述电容C33、所述电容C34、所述第九金属柱H31、所述第十金属柱H32、所述第十一金属柱H33和所述第十二金属柱H34组成了第三级滤波单元A3，所述第四级开口环形带状线K4、所述电容C41、所述电容C42、所述电容C43、所述电容C44、所述第十三金属柱H41、所述第十四金属柱H42、所述第十五金属柱H43和所述第十六金属柱H44组成了第四级滤波单元A4。

[0057] 本发明所述的一种电容加载型缺口环C型滤波器，是采用多层低温共烧陶瓷工艺实现，其低温共烧陶瓷材料和金属图形在大约900℃温度下烧结而成，所以具有非常高的可靠性和温度稳定性，由于结构采用三维立体集成和多层折叠结构以及外表面金属屏蔽实现接地和封装，从而使体积大幅减小。

[0058] 本发明一种电容加载型缺口环C型滤波器的尺寸仅为4mm*6mm*1.5mm。

[0059] 本发明所述的一种电容加载型缺口环C型滤波器，采用LTCC技术，实现体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构滤波器；本发明重量轻、体积小、可靠性高、电性能好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，适用于相应C频段的通信、卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。

标题	发布/更新时间	阅读量
包括感应电力系统的无线遥测系统	2020-05-08	123
一种基于LTCC的新型吸收式带通滤波器	2020-05-08	800
一种低温烧成陶瓷结合剂砂轮及其制造方法	2020-05-11	686
高频多层互连衬底及其制造方法	2020-05-11	396
具有温度信号输出的电热陶瓷装置和温度监测方法	2020-05-13	319
中高介电常数的LTCC陶瓷材料及其制备方法	2020-05-12	767
一种工业纤维板生产的废水处理方法	2020-05-12	400
一种S波段无反射带通滤波器	2020-05-08	713
一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法	2020-05-11	553
一种耗能较低的催化燃烧设备	2020-05-12	699

一种电容加载型缺口环C型滤波器

一种电容加载型缺口环C型滤波器

技术领域

背景技术

发明内容

具体实施方式

该功能需要专业版企业版VIP权限，您可以：