METHOD AND APPARATUS FOR CONSTANT ANGLE OF INCIDENCE SCANNING IN ION BEAM SYSTEMS
专利汇可以提供METHOD AND APPARATUS FOR CONSTANT ANGLE OF INCIDENCE SCANNING IN ION BEAM SYSTEMS专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且An ion beam (18) is scanned over a semiconductor wafer (30) in an ion implanter by deforming the wafer to have a concave contour selected to provide a constant angle of incidence of the scanned beam on the wafer surface. In one embodiment, the beam is scanned along one axis with a constant angle of incidence and is scanned about a center of deflection (46) along a second orthogonal axis. The wafer is deformed to have a concave cylindrical contour. The wafer can be clamped to a concave cylindrical platen surface by electrostatic or peripheral clamping. In a second embodiment, the beam is scanned in two dimensions about a center of deflection and the wafer is deformed to have a concave spherical contour. The wafer can be clamped to a concave spherical platen surface by electrostatic clamping.，下面是METHOD AND APPARATUS FOR CONSTANT ANGLE OF INCIDENCE SCANNING IN ION BEAM SYSTEMS专利的具体信息内容。
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