Method of growing single crystal silicon carbide
阅读：853发布：2022-06-25
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1. A METHOD OF GROWING AN EPITAXIAL SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE LAYER ONTO A SILICON CARBIDE SEED COMPRISING SPACING SAID SEED AND A CHARGE OF SILICON CARBIDE, HEATING SAID SEED AND CHARGE TO A TEMPERATURE OF AT LEAST SUBSTANTIALLY 2000*C. WITH THE TEMPERATURE OF THE CHARGE IN EXCESS BY AT LEAST SUBSTANTIALLY 50*C. OF THE TEMPERATURE OF THE SEED WHILE MAINTAINING THE CONCENTRATION OF SILI CON CARBIDE VAPORS IN THE ENVIRONMENT OF SAID SEED BELOW SUPERSATURATION UNTIL SAID TEMPERATURES ARE REACHED, BY HEATING THE SEED QUICKLY THROUGH THE CRITICAL RANGE OF SUBSTANTIALLY 1800*C. TO 2000*C. TO AVOID MEASURABLE VAPORIZATION OF THE SEED AND AFTER SAID TEMPERATURES ARE REACHED, RAISING THE CONCENTRATION OF SILICON CARBIDE VAPORS PRODUCED BY SAID CHARGE IN THE VICINITY OF SAID SEED TO ABOVE SUPERSATURATION TO FORM AN EPITAXIAL SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE LAYER.
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