一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片
专利汇可以提供一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括N+衬底、N-型基区、P型基区，N+集电区，源极 电极 、 二 氧 化 硅 绝缘层、漏极电极，屏蔽栅设置在两个P型基区之间深入N-型基区内部，上述屏蔽栅 覆盖 沟槽薄氧，上述沟槽薄氧内部设置有栅极 多晶硅 、连栅极多晶硅；在两个P型基区的外侧各有一个贯穿 二氧化硅 绝缘层抵达P型基区表面的源极电极凸起，上述源极电极凸起下方垂直设置贯穿P型基区抵达N-型基区内部的连源极多晶硅，上述连源极多晶硅覆盖有沟槽厚氧；上述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区。有益效果是可以提高器件击穿 电压 、降低器件导通 电阻 。，下面是一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片专利的具体信息内容。
1.一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括底层的N+衬底(1)，在N+衬底(1)上方设有N-型基区(2)，在N-型基区(2)上方嵌入有两个P型基区(3)，在每个P型基区(3)上方嵌入有两个N+集电区(4)，源极电极(11)设置在P型基区(3)上并连通P型基区(3)上两个N+集电区(4)，在连接源极电极(11)之外的P型基区(3)表面、N-型基区(2)表面覆盖有二氧化硅绝缘层(15)，漏极电极(12)和N+衬底(1)连接，屏蔽栅(14)设置在两个P型基区(3)之间深入N-型基区(2)内部，其特征在于：所述屏蔽栅(14)覆盖沟槽薄氧(8)，所述沟槽薄氧(8)内部设置有栅极多晶硅(9)、连栅极多晶硅(13)；在两个P型基区(3)的外侧各有一个贯穿二氧化硅绝缘层(15)抵达P型基区(3)表面的源极电极(11)凸起，所述源极电极(11)凸起下方垂直设置贯穿P型基区(3)抵达N-型基区(2)内部的连源极多晶硅(10)，所述连源极多晶硅(10)覆盖有沟槽厚氧(7)；所述沟槽厚氧(7)、沟槽薄氧(8)底部设置P+型基区(5)。
2.根据权利要求1所述的一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，其特征在于：在所述P+型基区(5)和P型基区(3)之间的屏蔽栅(14)周围设置N-型浮空层(6)。
一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片
【技术领域】
【具体实施方式】
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