专利汇可以提供改善第零层内介电层的填充能力的栅极及工艺方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种改善第零层内介电层的填充能 力 的栅极,在 半导体 基板 上具有多个栅极,所述多个栅极之间具有一定间距;所述栅极的剖面呈梯形,即栅极剖面的顶部宽度小于底部的宽度。本发明通过形成一种剖面呈梯形结构的栅极以取代传统的垂直型栅极设计,从而增加栅极之间沟槽顶部的开口距离,降低其深宽比,以此有效改善第零层内介电层制备过程中填充能力有限的问题,从而减少空洞的形成,提高器件的性能进而提高产品良率。本发明所述的工艺方法简单易于实施。,下面是改善第零层内介电层的填充能力的栅极及工艺方法专利的具体信息内容。
1.一种改善第零层内介电层的填充能力的栅极,其特征在于:提供一半导体基板,在所述半导体基板上具有多个栅极,所述多个栅极之间具有一定间距;
所述栅极的剖面呈梯形,即栅极剖面的顶部宽度小于底部的宽度。
2.如权利要求1所述的改善第零层内介电层的填充能力的栅极,其特征在于:所述的多个栅极之间,还填充有第零层内介电层。
3.如权利要求2所述的改善第零层内介电层的填充能力的栅极,其特征在于:所述的第零层内介电层为绝缘介质层,优选地为氧化硅。
4.如权利要求1所述的改善第零层内介电层的填充能力的栅极,其特征在于:所述的半导体基板,为半导体硅衬底,或者是砷化镓、锗硅衬底,或者是外延。
5.如权利要求1所述的改善第零层内介电层的填充能力的栅极,其特征在于:所述的梯形结构的栅极,能增大栅极之间的开口宽度,具有更高的填充性能。
6.如权利要求1所述的改善第零层内介电层的填充能力的栅极,其特征在于:所述的栅极与半导体基板之间,还具有栅介质层。
7.一种改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:包含:
步骤一,提供一半导体基板,在所述半导体基板上依次淀积栅介质层、第一多晶硅层、氮化硅硬掩模层、氧化硅硬掩模层以及无定形碳层;
步骤二,通过光刻定义栅极的高度及宽度,通过控制刻蚀模式,形成多个平行的、剖面形状为上小下大的梯形栅极;再去除顶部的无定形碳层;
步骤三,在所述栅极两侧形成第一层侧墙;
步骤四,进行LDD注入;
步骤五,在所述栅极两侧再形成第二层侧墙;
步骤六,再进行离子注入,形成器件的源区、漏区;
步骤七,去除光刻胶,去除顶部的硬掩模层,包括氧化硅硬掩模层、氮化硅硬掩模层;去除第二层侧墙;
步骤八,在整个半导体基板表面淀积一层钨接触孔刻蚀停止层;
步骤九,在整个半导体基板上再淀积一层第零层介电层,填充栅极之间的空隙。
8.如权利要求7所述的改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:所述步骤三中,形成第一层侧墙的工艺包含沉积膜层、刻蚀以及湿法清洗工艺。
9.如权利要求7所述的改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:所述步骤四中,形成LDD的工艺包含光刻、离子注入、干法灰化以及湿法清洗工艺;根据不同的器件需求形成不同器件的LDD。
10.如权利要求7所述的改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:所述步骤五中,形成第一层侧墙的工艺包含沉积膜层、刻蚀以及湿法清洗工艺。
11.如权利要求7所述的改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:所述步骤六中,形成器件的源区、漏区的工艺包含光刻、离子注入、干法灰化以及湿法清洗工艺;根据不同的器件需求形成不同器件的LDD。
12.如权利要求7所述的改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:所述步骤七中,通过光刻、刻蚀以及湿法清洗标准工艺进行光刻胶回刻过程,将栅极上方的硬掩膜层去除,消除宽窄栅极之间的高度落差。
13.如权利要求7所述的改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:所述步骤八中,采用化学气相沉积工艺生长一层具有拉应力的钨接触孔刻蚀停止层。
14.如权利要求7所述的改善第零层内介电层的填充能力的工艺方法,其特征在于:所述步骤九中,采用高深宽比工艺在栅极之间的空隙中填充绝缘介质层。
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