专利汇可以提供一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于 半导体 制造的技术领域,具体涉及一种加大 硅 基数字隔离器 铝 垫键合拉 力 的方法。本发明在硅基衬底上通过溅射或 蒸发 金属铝、 光刻 、等离子 刻蚀 金属形成上下相对应的初级线圈和次级线圈,初级线圈和次级线圈之间被聚酰亚胺隔离,在初级线圈的铝垫下方区域通过等离子刻蚀在聚酰亚胺上形成 榫 卯结构的小孔,起到加大铝垫键合拉力的作用。本发明在初级线圈的铝垫下方区域通过光刻和等离子刻蚀在聚酰亚胺上形成榫卯结构的孔,利用金属填充榫卯结构的孔与聚酰亚胺层形成榫卯连接,增加了 接触 面积和榫卯结构,起到加大铝垫键合拉力的作用,得到的硅基数字隔离器具有铝垫拉力大,封装可靠性高的优点,可应用于航空航天、通信、雷达等要求高的领域。,下面是一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法专利的具体信息内容。
1.一种加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(a) 提供P型高电阻率衬底(1),在衬底(1)上淀积一层厚度为1.2~2.4μm的SiO2层(2);
(b)在步骤(a)中的SiO2层(2)上形成一层厚度为2 4μm的金属层,在金属层上光刻和等~
离子刻蚀出次级线圈(3);
(c)在SiO2层(2)和次级线圈(3)涂布一层聚酰亚胺层(4)并固化,固化温度为300~350℃;
(d)在聚酰亚胺层(4)上通过光刻和等离子刻蚀出榫卯结构的孔(5);
(e)在聚酰亚胺层(4)上形成一层厚度为4 6μm的金属层,在金属层上光刻和等离子刻~
蚀出初级线圈(6);
(f)淀积钝化层(7),在钝化层(7)上光刻和刻蚀出芯片封装键合区域铝垫(8)。
2.根据权利要求1所述的加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征是在于,步骤(a)中所述P型高电阻率衬底(1)的电阻率为2000 3000Ω·cm。
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3.根据权利要求1所述的加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征是在于,步骤(b)和步骤(e)中所述金属层通过物理气相沉积法溅射铝硅铜或通过蒸发纯铝形成。
4.根据权利要求1所述的加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征在于,步骤(c)中固化后的聚酰亚胺层(4)的厚度为5 25μm。
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5.根据权利要求1所述的加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征在于,步骤(d)中所述聚酰亚胺层上榫卯结构的孔(5)的打孔深度为0.5 1μm,直径或边长为0.5 2μm。
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6.根据权利要求1所述的加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征在于,所述初级线圈(6)与次级线圈(3)的设置位置上下相对应,步骤(f)中所述铝垫(8)与步骤(d)中聚酰亚胺层上榫卯结构的孔(5)的打孔位置相对应。
7.根据权利要求1所述的加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征在于,所述钝化层(7)的厚度为600 1200nm,通过等离子增强化学汽相淀积法形成。
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8.根据权利要求1所述的加大硅基数字隔离器铝垫键合拉力的方法,其特征在于,所述次级线圈(3)的厚度为2.5 4.0μm,初级线圈(6)的厚度为4.0 6.0μm。
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