专利汇可以提供半导体激光器封装硅基板芯片及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 半导体 激光器 封装 硅 基板 芯片及其制备方法。其中半导体激光器封装硅基板芯片包括硅基板衬底,绝缘层和金层;绝缘层设于硅基板衬底与金层之间;绝缘层由彼此连接的 二 氧 化硅 层和氮化硅层构成; 二氧化硅 层连接硅基板衬底;氮化硅层连接金层。本发明能够减少加工时间,降低设备成本,提高 刻蚀 精度 ,具有良好的热导率,有利于激光器芯片的 散热 。,下面是半导体激光器封装硅基板芯片及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种半导体激光器封装硅基板芯片,包括硅基板衬底(1),绝缘层(2)和金层(3);所述绝缘层(2)设于硅基板衬底(1)与金层(3)之间;
其特征在于:所述绝缘层(2)由彼此连接的二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)构成;所述二氧化硅层(21)连接硅基板衬底(1);所述氮化硅层(22)连接金层(3)。
2.如权利要求1所述半导体激光器封装硅基板芯片,其特征在于:所述二氧化硅层(21)厚度为10-3000埃;所述氮化硅层(22)的厚度为100-10000埃。
3.如权利要求2所述半导体激光器封装硅基板芯片,其特征在于:所述二氧化硅层(21)厚度为2000埃;所述氮化硅层(22)的厚度为1500埃。
4.一种半导体激光器封装硅基板芯片制备方法,其特征在于包括如下步骤:
S1:选取硅基板衬底(1)放入管式炉中,以低压化学沉积的方式在硅基板衬底(1)表面生成二氧化硅层(21);
S2:以低压化学沉积的方式在二氧化硅层(21)表面生成氮化硅层(22);
S3:以光刻蚀方法在氮化硅层(22)表面形成定位V型槽的图形光刻;
S4:对二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)进行刻蚀;
S5:对二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)进行光刻胶旋涂;
S6:在氮化硅层(22)表面进行金层图形光刻,在氮化硅层(22)表面形成金属波导结构的光刻胶图形;
S7:用电子束蒸发的方式将金薄膜蒸发在步骤S6所得光刻胶图形上;
S8:将步骤S7所得产品放入溶解剂中浸泡,令氮化硅层(22)表面的光刻胶图形溶解,而金薄膜得到保留、在氮化硅层(22)表面形成呈金属波导电路图形的金层(3);
S9:将步骤S8所得产品以用氢氧化钾或者TMAH浸泡,腐蚀没有得到氮化硅层保护的区域,得到带有定位V型槽的半导体激光器封装硅基板芯片。
5.如权利要求4所述半导体激光器封装硅基板制备方法,其特征在于:所述步骤S1中:
以硅酸乙酯为源物质,在675℃的加工温度下以管式炉低压化学沉积的方式在硅基板衬底(1)表面形成二氧化硅层(21)。
6.如权利要求4所述半导体激光器封装硅基板制备方法,其特征在于:所述步骤S2中:
以二氯二氢硅与氨气为源物质,在670℃的加工温度下以管式炉低压化学沉积的方式在二氧化硅层(21)表面形成氮化硅层(22)。
7.如权利要求4所述半导体激光器封装硅基板制备方法,其特征在于:所述步骤S7中:
首先蒸发一层厚度100~1000埃的铬或者钛、形成铬/金或者钛/金结构的粘附层,随后以电子束蒸发的方式将金薄膜蒸发在步骤S6所得光刻胶图形上。
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