基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片及其制备方法
专利汇可以提供基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且基于环 氧 树脂 膜抗热失配的 晶圆 级封装芯片及其制备方法，所述的封装芯片包括有压电基材层；覆于所述的压电基材层的背面的抗热失配层；覆于所述的压电基材层的表面的IDT层和PAD层；覆于所述的IDT层上的IDT保护层；设于PAD层上方的由感光材料制成的树脂墙，以及位于PAD层上方的位于所述的树脂墙内的 铜 柱；架设于所述的树脂墙上的树脂盖，所述的树脂盖和IDT保护层之间设有空腔结构；所述的铜柱上设有 锡 球，所述的铜柱用于连接所述的PAD层和锡球。本 发明 的有益效果在于：树脂形成的空腔结构保护了芯片的功能层，保证产品的电性能；IDT的保护层抑制了产品的 温度 偏移；抗热失配层抑制上表面架桥结构产生的热应 力 ，同时也保护了裸芯片背面。，下面是基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述的封装芯片包括有
压电基材层8；
覆于所述的压电基材层8的背面的抗热失配层9；
覆于所述的压电基材层8的表面的IDT层5和PAD层3；
覆于所述的IDT层5上的IDT保护层4；
设于PAD层5上方的由感光材料制成的树脂墙1，以及位于PAD层5上方的位于所述的树脂墙1内的铜柱6；
架设于所述的树脂墙1上的树脂盖2，所述的树脂盖2和IDT保护层4之间设有空腔结构；
所述的铜柱6上设有锡球7，所述的铜柱6用于连接所述的PAD层5和锡球7。
2.如权利要求1所述的基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述的抗热失配层9的材料为环氧树脂。
3.如权利要求1所述的基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述的压电基材层8的制备材料为钽酸锂或/和铌酸锂。
4.如权利要求1所述的基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述的IDT保护层4的材料为SiO2或者Si3N4。
5.如权利要求1所述的基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述的空腔结构高度为20um-40um。
6.如权利要求1-5任一权利要求所述的一种基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下的步骤：
第一：取来料裸晶圆，在裸晶圆表面覆上环氧树脂膜；
第二：使用掩模板通过UV光照射完成曝光，曝光后进行显影去掉环氧树脂膜多余部分，得到树脂墙，对树脂墙进行固化；
第三：在上表面继续第二次覆盖环氧树脂膜，在IDT保护层的上方形成一个高度为
20um-40um的空腔结构，在PAD层上方形成一个盲孔，最终形成树脂盖；
第四：在晶圆背面覆盖环氧树脂，固化，形成抗热失配层；
第五：在晶圆上表面涂覆光刻胶，然后去除盲孔处的光刻胶，接着通过电镀的方法在盲孔处制作铜柱，最后通过剥离的工艺去掉的光刻胶；
第六：通过锡膏印刷和回流焊的工艺将锡球焊接到铜柱上，完成连接。
基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
压电基材层；
覆于所述的压电基材层的背面的抗热失配层；所述的抗热失配层9的材料为环氧树脂，由于环氧树脂与芯片的热膨胀系数相差较大，其容易产生热应力导致翘曲影响到产品的电性能以及可靠性，本申请采用环氧树脂膜来抑制绝缘上表面的环氧树脂膜架桥结构（空腔结构）产生的热应力，同时该层也起到了裸芯片背面保护效果。
设于PAD层上方的由感光高分子材料制成的树脂墙，以及位于PAD层上方的位于所述的树脂墙内的铜柱，铜柱采用电镀的方法完成；；
设于所述的树脂墙上的树脂盖，所述的树脂盖和IDT保护层之间设有空腔结构，树脂空腔结构是通过借鉴光刻工艺完成，该结构用于保护了芯片的功能层，保证产品的电性能；
所述的铜柱上设有锡球，所述的铜柱用于连接所述的PAD层和锡球；锡球用于实现芯片与主板（PCB）的连接，采用印刷和回流焊工艺完成；
优选的，所述的压电基材层8的制备材料为钽酸锂或/和铌酸锂。
第二：使用掩模板通过UV光照射完成曝光，曝光后进行显影去掉环氧树脂膜多余部分，得到树脂墙，对树脂墙进行固化；
第三：在上表面继续第二次覆盖环氧树脂膜，在IDT保护层的上方形成一个高度为
20um-40um的空腔结构，在PAD层上方形成一个盲孔，最终形成树脂盖；
第四：在晶圆背面覆盖环氧树脂，固化，形成抗热失配层；
第五：在晶圆上表面涂覆光刻胶，然后去除盲孔处的光刻胶，接着通过电镀的方法在盲孔处制作铜柱，最后通过剥离的工艺去掉的光刻胶；
第六：通过锡膏印刷和回流焊的工艺将锡球焊接到铜柱上，完成连接。
（9）为抗热失配层，该层材料为环氧树脂膜B，由于环氧树脂与芯片的热膨胀系数相差较大，其容易产生热应力导致翘曲影响到产品的电性能以及可靠性，采用环氧树脂膜B来抑制环氧树脂膜A架桥结构（树脂墙（1）、树脂盖（2）构成）产生的热应力，同时该层也起到了裸芯片背面保护效果。
请参照图2，首先取来料晶圆，该来料晶圆包括有压电基材层（8），以及位于压电基材层（8）上的IDT层（5）、IDT保护层（4）和PAD层（3），
请参照图3，首先在裸晶圆上覆环氧树脂膜A；
请参照图4，覆膜完成后使用掩模板B通过UV光照射完成曝光；
请参照图5，曝光后进行显影去掉环氧树脂膜多余部分，得到所需要的第一层树脂墙（1），将树脂墙部分进行固化；
请参照图6，继续覆盖一层环氧树脂膜C；
请参照图7，覆膜完成后使用掩膜版D覆膜完成后完成二次曝光；
请参照图8，曝光后进行显影去掉环氧树脂膜多余部分，得到第二层的树脂盖（2），在芯片的功能层上方形成一个20um-40um高度的空腔结构，在芯片的PAD位置形成一个盲孔；
请参照图9，在树脂盖完成后在晶圆的背面进行覆膜，覆膜完成后将树脂膜进行固化，得到抗热失配层（9）；
请参照图10，开始制作铜柱（6），制作过程为在其表面涂覆光刻胶（10）；
请参照图11，采用掩膜版E通过曝光显影等去除盲孔处的光刻胶；
请参照图12，然后通过电镀的方法制作铜柱（6）；
请参照图13，接着通过剥离的工艺去掉的光刻胶；
请参照图14，锡球（7）通过锡膏印刷和回流焊的工艺将锡球焊接到铜柱（6）上，完成连接。
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