一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
专利汇可以提供一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种垂直型多 电流 通道SiC光导 开关 及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需 电极 图形转移到SiC衬底一侧表面，利用 磁控溅射 工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用 真空 蒸发 镀 膜 工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成 接触 电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域 温度 升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流 密度 ，从而提高开关耐压能 力 及可靠性。，下面是一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
首先对SiC衬底做抛光处理，将SiC衬底依次通过丙酮、酒精、去离子水各超声清洗5-
10min，然后用浓H2SO4浸泡5-10min，再依次通过丙酮、酒精和去离子水各超声清洗5-10min，然后通过氮气吹干，去除SiC衬底表面的氧化物，然后采用lift-off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面：将抛光后的SiC衬底安装在甩胶机上，在抛光后的SiC衬底表面滴入光刻胶，然后通过甩胶机匀速转动即得到均匀的、没有缺陷的光刻胶膜；将得到光刻胶膜的SiC衬底置于90-110℃的加热台上，烘烤85-95s；然后用波长为360-370nm的紫外光曝光
175-185s，结束后取下样品；将曝光后的SiC衬底置于正胶显影液不少于55s，用去离子水冲洗不少于30s，除掉显影液残留，再用氮气吹干即可得到光刻后带有电极图像的SiC衬底，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，去除圆孔内的胶；磁控溅射过程中在Ar气氛围下进行，功率为80W，溅射气压为1.2Pa；
对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，去胶后在SiC衬底的另一侧表面用真空蒸发镀膜蒸镀金锗镍合金层，通过退火处理得到SiC光导开关；SiC光导开关的SiC衬底一面为接触电极，SiC衬底另一面为全电极，SiC衬底中间为多个通光孔。
2.根据权利要求1所述的一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，采用光刻胶为正性光刻胶SUN-110P；甩胶机转速为2000转/min-3000转/min。
3.根据权利要求1所述的一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，将制作完接触电极的SiC衬底依次通过丙酮、酒精、去离子水各超声清洗3-5min，去除圆孔内的胶，同时胶上附着的金属也会脱落。
4.根据权利要求3所述的一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，其中酒精浓度大于95％，浓硫酸浓度大于95％。
5.根据权利要求1所述的一种垂直型多电流通道SiC光导开关的制作方法，其特征在于，通过在惰性气体氛围下在700-800℃下退火50-70s完成退火处理。
6.一种基于权利要求1所述的制作方法制作的SiC光导开关，其特征在于，SiC衬底一面为接触电极，SiC衬底另一面为全电极，SiC衬底中间为多个通光孔，通光孔的半径为80μm，SiC衬底的半径为750μm，所述SiC光导开关的Ti层为40nm、W层为100nm、NiCr层为20nm、Au层为150nm。
一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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