专利汇可以提供一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种基于 氧 化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法,属于光电探测技术领域。该器件为多层结构, 自下而上 依次为p型Si衬底、SiO2绝缘薄层、Au 薄膜 层和单根MoO3微米带,其中,SiO2绝缘薄层部分 覆盖 在p型Si衬底上,SiO2绝缘薄层和Au薄膜层形成Au/SiO2薄膜,所述单根MoO3微米带能同时与p型Si衬底和Au/SiO2结构 接触 。本发明的产品对紫外/可见光有着非常好的光响应,响应时间迅速。本发明提供的制备方法不需要催化剂,重复性好,工艺操作简单,制造成本低。,下面是一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种基于氧化钼微米带/p型Si的多波段光响应器件的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
①以p型Si为衬底,在衬底上分成镀膜区和非镀膜区,首先对非镀膜区采用绝缘胶带进行遮挡,然后采用磁控溅射生长SiO2薄膜,其厚度为10-20nm;
②将镀膜区生长得到SiO2薄膜置于离子溅射仪进行表面镀Au薄膜,其厚度为10-20nm;
③去除非镀膜区表面绝缘胶带后,将步骤②所得样品置于退火炉中于100-200℃快速退火,自然冷却至室温;
④然后采用气相输运法生长MoO3微米带,其长度为100-200μm;
⑤将步骤④得到的MoO3微米带置于显微镜下,用镊子提取单根MoO3微米棒,置于步骤③镀膜区形成的Au/SiO2薄膜和p型Si衬底表面上,使得MoO3微米棒同时与p型Si衬底表面及Au/SiO2薄膜接触;所述的多波段光响应器件指的是对紫外/可见光光响应的器件。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤②中,离子溅射的条件为:生长条件为真空度1pa,溅射电流为15mA,溅射时间为120s。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤①中,还包括对p型Si衬底进行超声清洗、烘干处理。
方法
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