技术领域：
[0001] 本
发明涉及照明技术领域，特指一种新型LED光源结构及其制作方法。背景技术：
[0002] 1.在
现有技术中，因为应用端多次
回流焊应用的局限性，LED
倒装芯片的
焊接大多采用高温回流焊的工艺焊接导致少量LED倒装芯片内部结构受损而出现漏电、
电压偏高及光衰严重的品质及产品可靠性
风险，而采用低温
锡膏通过低温回流焊工艺焊接LED芯片能够有效降低相应的风险，确保产品的可靠性及品质一致性。
[0003] 2.随着LED光源在照明应用市场上已经得到了广泛的使用，人们对LED光源的要求也越来越高，不断追求LED光源具有高光效及长寿命的稳定特性。但是，高功率的LED光源在使用时将产生大量的热量，累计热量无法及时并有效得到散发，将严重影响LED光源的
发光效率及使用寿命。
[0004] 3.目前市场上大多LED光源在恶劣环境下使用易出现
氧化、硫化等问题导致LED光衰严重,如
汽车用光源长期在二氧化硫的环境下使用易出现硫化的问题导致失效及光衰严重的问题，如在LED光源外部增加外封胶对功能区加以防护则有效降低内部功能区出现氧化、硫化、污染及
荧光粉脱落漏蓝光的风险。
[0005] 4.目前大多单颗LED光源发光
角度均较小，如单颗体积小的大功率LED光源需要满足全方位发光应用需求则需要新的产品满足需求。
[0006] 鉴于以上LED倒装芯片多次回流焊易出现光衰，LED光源在恶劣环境下使用易出现氧化、硫化、污染、荧光粉脱落导致光衰或失效及全方位光源发光角度需求，本
发明人提出一种新型LED光源结构及制作方法以满足应用需求。发明内容：
[0007] 本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种新型LED光源结构及其制作方法。
[0008] 为了解决上述技术问题，本发明采用了下述第一种技术方案：该新型LED光源结构包括：
镀银铜柱、内置
电路基板、LED倒装芯片、荧光层、
硅胶、内置电路结构塑胶套壳；所述镀银铜柱上端的柱体外侧设置有多个平面，各平面均匀涂覆高温锡膏，内置电路基板贴至于柱体的平面上，通过高温回流焊工艺使高温锡膏
固化以将内置电路基板粘贴于柱体的平面上，内置电路基板上的芯片放置
位置通过点低温锡膏工艺分别在正负极两端涂覆第一低温锡膏、第二低温锡膏，至少一片LED倒装芯片放置于内置电路基板上的芯片放置位置处，且该LED倒装芯片底部正负极分别与第一低温锡膏、第二低温锡膏
接触，再通过低温回流焊工艺使LED倒装芯片与内置电路基板固连，并形成导通电路；LED倒装芯片表面通
过喷粉或贴荧光膜的工艺形成有荧光层，且通过治具遮挡住内置电路基板的正
电极以预留焊接面，所述内置电路结构塑胶套壳套设于该柱体各平面的内置电路基板上，且内置电路结构塑胶套壳内部电路与内置电路基板的正
电极形成并联连接；该内置电路结构塑胶套壳单独引出耐高温绝缘层
导线作为正极，所述硅胶通过灌胶的方式一体固定于柱体外围的芯片区域。
[0009] 进一步而言，上述技术方案中，所述的内置电路基板为氮化
铝陶瓷基板、氧化铝陶瓷基板、超导铝基板或铜基板中的任意一种，其中该内置电路基板上部设置有至少一个负电极，该内置电路基板下部设置有至少一个正电极，内置电路基板背面设置有与负电极电性连接并起到导电及导热效果的负电极焊接面。
[0010] 进一步而言，上述技术方案中，所述的镀银铜柱采用具有良好的
导电性能及导热性能的T2红铜材料制成，其表面镀银层厚度为40u"以上。
[0011] 进一步而言，上述技术方案中，所述的高温锡膏为锡锑
合金,熔点为250℃左右；所述第一低温锡膏、第二低温锡膏均为锡铋合金,熔点为138℃。
[0012] 进一步而言，上述技术方案中，所述LED倒装芯片为LED倒装蓝光芯片、LED倒装红光芯片、LED倒装绿光芯片中的任意一种。
[0013] 进一步而言，上述技术方案中，所述的内置电路结构塑胶套壳包括通过注塑方式一体成型的ABS塑胶套与铜片，该铜片的导接触点还置于ABS塑胶套内壁，并与所述内置电路基板的正电极对接，以使所有内置电路基板并联连接；所述耐高温绝缘层导线与铜片电性连接。
[0014] 进一步而言，上述技术方案中，所述耐高温绝缘层导线通过强
力胶与所述柱体粘接，以形成一个整体。
[0015] 为了解决上述技术问题，本发明采用了下述第二种技术方案：该新型LED光源结构的制作方法包括以下制作步骤：
[0016] A.刷锡膏：将镀银铜柱上端柱体的多个平面印刷高温锡膏,且高温锡膏的印刷需用治具控制其厚度均匀性；
[0017] B.贴基板：将内置电路基板背面贴片于已经涂覆锡膏镀银铜柱各个平面，并确保内置电路基板背面与高温锡膏完全接触，且整齐排列于柱体之上，此工艺完成后在线时间需要控制在4H以内；
[0018] C.高温回流焊：将已经贴好内置电路基板的镀银铜柱放置于治具中，通过高温回流焊的工艺使高温锡膏固化，以致使内置电路基板完全焊接于柱体上，回流焊最高
温度为280℃-310℃，同时焊接好的材料通过X-ray观察焊接空洞状况，并确保空洞率＜5％方可作业；
[0019] D.点低温锡膏：将低温锡膏注入高
精度点胶机的胶腔体中，通过高精度点胶机将低温锡膏精准点至内置电路基板的正、负极上；
[0020] E.固晶：将LED倒装芯片通过高精度固晶机
吸附放置于低温锡膏上方，通过低温回流焊工艺使LED倒装芯片固定于内置电路基板上，低温回流焊温度小于或等于200℃，同时焊接好的材料通过X-ray观察焊接空洞状况，并确保空洞率＜3％方可作业；
[0021] F.清洗：将已经固晶后的半成品放置于等离子清洗机中清洗，确保柱体、内置电路基板及LED倒装芯片表面为洁净状态，且清洗后的材料流入至下一工序前在线时间不能超过4H，超过4H需要重新清洗，且清洗次数不超过3次；
[0022] G.喷粉：将由荧光粉及硅胶结合配置完成的荧光胶放置于高精度喷粉机的胶腔之中，使用治具将已经固晶的半成品固定于喷粉固
定位置，并由高精度喷粉机在LED倒装芯片表面喷粉处理，以形成荧光层，其中在喷粉时，治具匀速旋转以确保LED倒装芯片表面荧光胶
覆盖均匀性；
[0023] H.塑胶套件组装：通过
注塑模具将铜片与ABS塑胶材料结合形成内置电路结构塑胶套壳，该内置电路结构塑胶套壳内壁显露的铜片的导接触点与所述内置电路基板的正电极对接，以使所有内置电路基板并联连接，且内置电路结构塑胶套壳单独引出耐高温绝缘层导线作为正极；
[0024] I.灌胶：将已经配置混合及抽
真空完好的A/B硅胶通过高精度点胶机定量注入至模腔中，将以上工艺完成塑胶套件组装后的半成品装配至模腔中，并放置于高温
烤箱中分段
烘烤，其中，初步固化条件为135℃/1.5H，完全固化烘烤条件为150℃/4H,通过以上烘烤使完成塑胶套件组装后的半成品外封胶完全固化，令完成塑胶套件组装后的半成品外围一体成型有硅胶，形成LED光源结构；
[0025] J.分光：在测试系统中设置相应的BIN,每个BIN包含电压、
亮度、
波长、
显色指数、色容差设定范围，将已经成型的LED光源结构通过测试治具放置于含积分球的LED测试仪测试，同时将同BIN材料放置一起确保同BIN材料光电参数的一致性。
[0026] 采用上述技术方案后，本发明与现有技术相比较具有如下有益效果：本发明采用镀银铜柱作为
支架，其具有良好的导热性能，能够及时并有效散发LED倒装芯片产生的热量，保证本发明的发光效率及使用寿命。本发明于柱体外围的芯片区域通过灌胶方式一体成型硅胶，以此对功能区加以防护则有效降低内部功能区出现氧化、硫化、污染及荧光粉脱落漏蓝光的风险。本发明将多个内置电路基板分别贴至于柱体外围的多个平面上，且每个内置电路基板上设置有至少一个LED倒装芯片，以此实现全方位发光的目的，可满足不同的使用要求。
附图说明：
[0027] 图1是本发明中镀银铜柱的结构图；
[0028] 图2是本发明中镀银铜柱的顶视示意图；
[0029] 图3是本发明中内置电路基板通过高温回流焊工艺贴于柱体各面示意图；
[0030] 图4是本发明中LED倒装芯片通过低温回流焊工艺贴于内置电路基板示意图；
[0031] 图5是本发明中内置电路基板
正面示意图；
[0032] 图6是本发明中内置电路基板
反面示意图；
[0033] 图7是本发明中LED倒装芯片表面
喷涂荧光粉后示意图；
[0034] 图8是本发明中内置电路结构塑胶套壳组装后的示意图；
[0035] 图9是本发明中内置电路结构塑胶套壳结构示意图；
[0036] 图10是本发明中内置电路结构塑胶套壳电路连接示意图；
[0037] 图11是本发明中LED光源结构外封胶注胶模型结构示意图；
[0038] 图12是本发明中LED光源结构半成品放置于已注胶模型装配示意图；
[0039] 图13是本发明LED光源结构的示意图。具体实施方式：
[0040] 下面结合具体
实施例和附图对本发明进一步说明。
[0041] 见图1-13所示，为一种新型LED光源结构，其包括：镀银铜柱1、内置电路基板2、LED倒装芯片3、荧光层4、硅胶5、内置电路结构塑胶套壳6；所述镀银铜柱1上端的柱体11外侧设置有多个平面，各平面均匀涂覆高温锡膏，内置电路基板2贴至于柱体11的平面上，通过高温回流焊工艺使高温锡膏固化以将内置电路基板2粘贴于柱体11的平面上，内置电路基板2上的芯片放置位置通过点低温锡膏工艺分别在正负极两端涂覆第一低温锡膏、第二低温锡膏，至少一片LED倒装芯片3放置于内置电路基板2上的芯片放置位置处，且该LED倒装芯片3底部正负极分别与第一低温锡膏、第二低温锡膏接触，再通过低温回流焊工艺使LED倒装芯片3与内置电路基板2固连，并形成导通电路；LED倒装芯片3表面通过喷粉或贴荧光膜的工艺形成有荧光层4，已经焊接于内置电路基板上的LED倒装芯片表面通过喷粉或贴荧光膜的工艺确保LED倒装芯片与荧光粉均匀激发，同时可根据需求调节荧光粉的种类及用量形成不同参数(包含
色温、显色指数、色容差等参数)白光，且在喷粉或贴膜工艺时需要通过治具遮挡住内置电路基板2的正电极20以预留焊接面，所述内置电路结构塑胶套壳6套设于该柱体各平面的内置电路基板2上，且内置电路结构塑胶套壳6内部电路与内置电路基板2的正电极20形成并联连接；该内置电路结构塑胶套壳6单独引出耐高温绝缘层导线60作为正极，所述硅胶5通过灌胶的方式一体固定于柱体11外围的芯片区域，该硅胶5起到保护在作用，且以形成一种多面发光LED光源。本发明将内置电路基板2通过高温回流焊工艺粘贴于柱体11的平面上，且该LED倒装芯片3通过低温回流焊工艺与内置电路基板2固连，以此不仅可以保证结构的
稳定性，还可避免LED倒装芯片内部结构受损而出现漏电、电压偏高及光衰严重的品质及产品可靠性风险，而采用低温锡膏通过低温回流焊工艺焊接LED倒装芯片能够有效降低相应的风险，确保产品的可靠性及品质一致性。本发明采用镀银铜柱作为支架，其具有良好的导热性能，能够及时并有效散发LED倒装芯片产生的热量，保证本发明的发光效率及使用寿命。本发明于柱体11外围的芯片区域通过灌胶方式一体成型硅胶，以此对功能区加以防护则有效降低内部功能区出现氧化、硫化、污染及荧光粉脱落漏蓝光的风险。本发明将多个内置电路基板2分别贴至于柱体11外围的多个平面上，且每个内置电路基板2上设置有至少一个LED倒装芯片3，以此实现全方位发光的目的，可满足不同的使用要求。
[0042] 所述的内置电路基板2为氮化铝陶瓷基板、氧化铝陶瓷基板、超导铝基板或铜基板中的任意一种，其中该内置电路基板2上部设置有至少一个负电极21，该内置电路基板2下部设置有至少一个正电极20，内置电路基板2背面设置有与负电极21电性连接并起到导电及导热效果的负电极焊接面22。同时内置电路基板的线路设计可根据实际需要改变电路以达到LED倒装芯片串并联及极性改变之效果。
[0043] 所述的镀银铜柱采用具有良好的导电性能及导热性能的T2红铜材料制成，其表面镀银层厚度为40u"以上。
[0044] 所述的内置电路基板采用高温锡膏粘贴于柱体各个平面，而LED倒装芯片采用低温锡膏焊接于内置电路基板上，其中高温锡膏为锡锑合金,熔点为250℃左右，低温锡膏均为锡铋合金,熔点为138℃,此种二次回流焊工艺依次采用高温与低温锡膏工艺不影响首次基板的焊接，同时LED倒装芯片的焊接采用低温工艺避免其内部结构损伤出现漏电、电压偏高及光衰的风险，有效提升产品的品质。
[0045] 所述LED倒装芯片3为LED倒装蓝光芯片、LED倒装红光芯片、LED倒装绿光芯片中的任意一种。具体而言，所述的新型LED光源结构不限于LED倒装蓝光芯片与荧光粉均匀激发形成白光，可设计为LED倒装红光芯片、LED倒装绿光芯片等其他类型倒装芯片形成单色或多种
颜色混合一体式光源结构。
[0046] 所述的内置电路结构塑胶套壳6包括通过注塑方式一体成型的ABS塑胶套61与铜片62，该铜片62构成内部电路，该铜片62的导接触点621还置于ABS塑胶套61内壁，并与所述内置电路基板2的正电极20对接，以使所有内置电路基板2并联连接；所述耐高温绝缘层导线60与铜片62电性连接。所述耐高温绝缘层导线60通过强力胶与所述柱体11粘接，以形成一个整体，此种设计利于线路连接及产品外观。
[0047] 所述在芯片区域增加外封硅胶是通过在模型7中注入一定量的硅胶，将已经喷粉或贴荧光膜完毕的半成品发光区放置于模型中并确保芯片区域能够完全被胶
水覆盖，再放置于烤箱中烘烤以确保胶体完全固化，此硅胶能够确保内部功能区镀层或金属面避免被氧化、硫化、荧光粉脱落漏蓝光问题、污染物及水汽等附着影响，有效提升LED光源抗氧化、抗硫化及防水性能。
[0048] 综上所述，本发明采用镀银铜柱作为支架，其具有良好的导热性能，能够及时并有效散发LED倒装芯片产生的热量，保证本发明的发光效率及使用寿命。本发明于柱体11外围的芯片区域通过灌胶方式一体成型硅胶，以此对功能区加以防护则有效降低内部功能区出现氧化、硫化、污染及荧光粉脱落漏蓝光的风险。本发明将多个内置电路基板2分别贴至于柱体11外围的多个平面上，且每个内置电路基板2上设置有至少一个LED倒装芯片3，以此实现全方位发光的目的，可满足不同的使用要求。
[0049] 本发明一种新型LED光源结构的制作方法，其包括以下制作步骤：
[0050] A.刷锡膏：将镀银铜柱上端柱体的多个平面印刷高温锡膏,且高温锡膏的印刷需用治具控制其厚度均匀性；
[0051] B.贴基板：将内置电路基板背面贴片于已经涂覆锡膏镀银铜柱各个平面，并确保内置电路基板背面与高温锡膏完全接触，且整齐排列于柱体之上，此工艺完成后在线时间需要控制在4H以内；
[0052] C.高温回流焊：将已经贴好内置电路基板的镀银铜柱放置于治具中，通过高温回流焊的工艺使高温锡膏固化，以致使内置电路基板完全焊接于柱体上，回流焊最高温度为280℃-310℃，同时焊接好的材料通过X-ray观察焊接空洞状况，并确保空洞率＜5％方可作业；
[0053] D.点低温锡膏：将低温锡膏注入高精度点胶机的胶腔体中，通过高精度点胶机将低温锡膏精准点至内置电路基板的正、负极上；
[0054] E.固晶：将LED倒装芯片通过高精度固晶机吸附放置于低温锡膏上方，通过低温回流焊工艺使LED倒装芯片固定于内置电路基板上，低温回流焊温度小于或等于200℃，同时焊接好的材料通过X-ray观察焊接空洞状况，并确保空洞率＜3％方可作业，[0055] F.清洗：将已经固晶后的半成品放置于等离子清洗机中清洗，确保柱体、内置电路基板及LED倒装芯片表面为洁净状态，且清洗后的材料流入至下一工序前在线时间不能超过4H，超过4H需要重新清洗，且清洗次数不超过3次；
[0056] G.喷粉：将由荧光粉及硅胶结合配置完成的荧光胶放置于高精度喷粉机的胶腔之中，使用治具将已经固晶的半成品固定于喷粉固定位置，并由高精度喷粉机在LED倒装芯片表面喷粉处理，以形成荧光层，其中在喷粉时，治具匀速旋转以确保LED倒装芯片表面荧光胶覆盖均匀性；
[0057] H.塑胶套件组装：通过注塑模具将铜片与ABS塑胶材料结合形成内置电路结构塑胶套壳，该内置电路结构塑胶套壳内壁显露的铜片的导接触点与所述内置电路基板的正电极对接，以使所有内置电路基板并联连接，且内置电路结构塑胶套壳单独引出耐高温绝缘层导线作为正极；
[0058] I.灌胶：将已经配置混合及抽真空完好的A/B硅胶通过高精度点胶机定量注入至模腔中，将以上工艺完成塑胶套件组装后的半成品装配至模腔中，并放置于高温烤箱中分段烘烤，其中，初步固化条件为135℃/1.5H，完全固化烘烤条件为150℃/4H,通过以上烘烤使完成塑胶套件组装后的半成品外封胶完全固化，令完成塑胶套件组装后的半成品外围一体成型有硅胶，形成LED光源结构；
[0059] J.分光：在测试系统中设置相应的BIN,每个BIN包含电压、亮度、波长、显色指数、色容差设定范围，将已经成型的LED光源结构通过测试治具放置于含积分球的LED测试仪测试，同时将同BIN材料放置一起确保同BIN材料光电参数的一致性。
[0060] 综上所述，本发明采用镀银铜柱作为支架，其具有良好的导热性能，能够及时并有效散发LED倒装芯片产生的热量，保证本发明的发光效率及使用寿命。本发明于柱体11外围的芯片区域通过灌胶方式一体成型硅胶，以此对功能区加以防护则有效降低内部功能区出现氧化、硫化、污染及荧光粉脱落漏蓝光的风险。本发明将多个内置电路基板2分别贴至于柱体11外围的多个平面上，且每个内置电路基板2上设置有至少一个LED倒装芯片3，以此实现全方位发光的目的，可满足不同的使用要求。
[0061] 当然，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并非来限制本发明实施范围，凡依本发明
申请专利范围所述构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括于本发明申请专利范围内。
