一种温度检测电路
专利汇可以提供一种温度检测电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种 温度 检测 电路 ，包括用于提供基准 电压 的基准电压源、用于将基准电压转换为第一 电流 和第二电流的电压电流转换器、用于接收第一电流和第二电流，并产生随温度变化的 正温度系数 电压的温度感应器及用于放大并输出正温度系数电压的电压 放大器 。通过基准电压源为电压电流转换器提供基准电压，电压电流转换器将基准电压转换为两路电流，两路电流经过温度感应器产生随温度变化的电压 信号 ，再经过电压放大器后输出，实现温度检测，该温度检测电路的结构简单、面积小、成本低、温度检测范围宽，能够实现高集成度、高 精度 ，可集成于需要温度检测的电路系统中。，下面是一种温度检测电路专利的具体信息内容。
1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：
基准电压源，用于提供一基准电压VREF；
电压电流转换器，用于将所述基准电压VREF转换为第一电流和第二电流；
温度感应器，用于接收所述第一电流和所述第二电流，并产生随温度变化的正温度系数电压VPTAT；及
电压放大器，用于放大并输出所述正温度系数电压VPTAT。
2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，所述基准电压源包括：
启动电路，包括PMOS管M101、PMOS管M102、PMOS管M103、NMOS管M104、NMOS管M105及NMOS管M106；
偏置电路，包括PMOS管M107、PMOS管M108、NMOS管M109、NMOS管M110、PMOS管M111、NMOS管M112、PMOS管M113、PMOS管M114及NMOS管M115；及
输出电路，包括PMOS管M116、PMOS管M117、PMOS管M118、PMOS管M119、PMOS管M120及PMOS管M121，三极管Q1、三极管Q2及三极管Q3，电阻R101、电阻R102及运算放大器；
其连接关系为：
所述PMOS管M101的栅极与漏极连接，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M102的栅极与漏极连接，源极接所述PMOS管M101的漏极；所述PMOS管M103的栅极与漏极连接，源极接所述PMOS管M102的漏极；所述NMOS管M104的栅极接第一偏置电压Vb1，漏极接所述PMOS管M103的漏极，源极接地；所述NMOS管M105的栅极接所述NMOS管M104的栅极，源极接地；所述NMOS管M106的栅极接所述NMOS管M104的栅极，源极接地；所述PMOS管M107的栅极接所述NMOS管M105的漏极并作为第四偏置电压Vb4，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M108的栅极接所述NMOS管M106的漏极并作为第三偏置电压Vb3，源极接所述PMOS管M107的漏极；所述NMOS管M109的栅极与漏极连接后接至所述PMOS管M108的漏极并作为第二偏置电压Vb2；所述NMOS管M110的栅极与漏极连接后接至所述NMOS管M109的源极，源极接地；所述PMOS管M111的栅极接所述NMOS管M105的漏极，源极接电源电压VCC；所述NMOS管M112的栅极与漏极连接后接至所述PMOS管M111的漏极并作为第一偏置电压Vb1，源极接地；所述PMOS管M113的栅极与漏极连接，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M114的栅极与漏极连接，源极接所述PMOS管M113的漏极；所述NMOS管M115的栅极接所述NMOS管M112的栅极，漏极接所述PMOS管M114的漏极，源极接地；所述PMOS管M116的源极接电源电压VCC；所述PMOS管M117的栅极接所述NMOS管M106的漏极，源极接所述PMOS管M116的漏极；所述PMOS管M118的源极接电源电压VCC；所述PMOS管M119的栅极接所述NMOS管M106的漏极，源极接所述PMOS管M118的漏极；所述PMOS管M120的源极接电源电压VCC；所述PMOS管M121的栅极接所述NMOS管M106的漏极，源极接所述PMOS管M120的漏极，漏极输出所述基准电压VREF；所述三极管Q1的基极和集电极接地，发射极接至所述PMOS管M117的漏极；所述三极管Q2的基极和集电极接地，发射通过电阻R101接至所述PMOS管M119的漏极；所述三极管Q3的基极和集电极接地，发射通过电阻R102接至所述PMOS管M121的漏极；所述运算放大器的第一输入端接至所述PMOS管M119的漏极，第二输入端接至所述PMOS管M117的漏极，输出端分别连接至所述PMOS管M116的栅极、所述PMOS管M118的栅极和所述PMOS管M120的栅极。
3.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述电压电流转换器包括NMOS管M201、NMOS管M202、NMOS管M203、PMOS管M204、PMOS管M205、PMOS管M206、PMOS管M207、PMOS管M208、NMOS管M209、NMOS管M210、PMOS管M211、PMOS管M212、PMOS管M213、PMOS管M214、PMOS管M215及电阻R201；
其连接关系为：
所述NMOS管M201的栅极接所述第一偏置电压Vb1，源极接地；所述NMOS管M202的栅极接所述基准电压VREF，源极接所述NMOS管M201的漏极；所述NMOS管M203的栅极通过所述电阻R201接地，源极接所述NMOS管M201的漏极；所述PMOS管M204的栅极接所述NMOS管M203的漏极，源极接电源电压VCC，漏极接所述NMOS管M202的漏极；所述PMOS管M205的栅极接所述NMOS管M203的漏极，源极接电源电压VCC，漏极接所述NMOS管M203的漏极；所述PMOS管M206的栅极接所述PMOS管M204的漏极，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M207的源极接所述PMOS管M206的漏极，漏极接所述NMOS管M203的栅极；所述PMOS管M208的栅极与漏极相连并接至所述PMOS管M207的栅极，源极接电源电压VCC；所述NMOS管M209的源极接地，漏极接所述PMOS管M208的漏极；所述NMOS管M210的栅极与漏极相连并接至所述NMOS管M209栅极，源极接地；所述PMOS管M211的栅极接所述PMOS管M204的漏极，源极接电源电压VCC，漏极接所述NMOS管M210的漏极；所述PMOS管M212的栅极接所述PMOS管M204的漏极，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M213的栅极接所述PMOS管M207的栅极，源极接所述PMOS管M212的漏极，漏极输出所述第一电流；所述PMOS管M214的栅极接所述PMOS管M204的漏极，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M215的栅极接所述PMOS管M207的栅极，源极接所述PMOS管M214的漏极，漏极输出所述第二电流；
其中，所述第一电流为所述基准电压VREF与所述电阻R201阻值的商，所述第二电流为所述第一电流的N倍，其中N为整数且N≥1，N取值无限定。
4.根据权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，所述温度感应器包括NMOS管M301和NMOS管M302，其中，
所述NMOS管M301的栅极与漏极相连并接至所述第二电流，源极接至所述第一电流并作为所述正温度系数电压VPTAT；及
所述NMOS管M302的栅极接至所述第二电流，源极接地，漏极接至所述NMOS管M301的源极。
5.根据权利要求4所述的温度检测电路，其特征在于，所述电压放大器包括PMOS管M401、PMOS管M402、PMOS管M403、PMOS管M404、PMOS管M405、PMOS管M406、PMOS管M407、PMOS管M408、NMOS管M409、NMOS管M410、NMOS管M411、NMOS管M412、PMOS管M413、NMOS管M414、NMOS管M415、电阻R401、电阻R402、电阻RC和电容CC；
其连接关系为：
所述PMOS管M401的栅极接参考偏置电压Vfb；所述PMOS管M402的栅极接所述正温度系数电压VPTAT，源极接所述PMOS管M401的源极；所述PMOS管M403的栅极接所述第四偏置电压Vb4，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M404的栅极接所述第三偏置电压Vb3，源极接所述PMOS管M403的漏极，漏极接所述PMOS管M401的源极；所述PMOS管M405的源极接电源电压VCC；所述PMOS管M406的栅极接所述PMOS管M405的栅极，源极接电源电压VCC；所述PMOS管M407的栅极接所述PMOS管M404的栅极，源极接所述PMOS管M405的漏极，漏极接所述PMOS管M405的栅极；所述PMOS管M408的栅极接所述PMOS管M404的栅极，源极接所述PMOS管M406的漏极；所述NMOS管M409的栅极接所述第二偏置电压Vb2，源极接所述PMOS管M401的漏极，漏极接所述PMOS管M407的漏极；所述NMOS管M410的栅极接所述NMOS管M409的栅极，源极接所述PMOS管M402的漏极，漏极接所述PMOS管M408的漏极；所述NMOS管M411的栅极接所述第一偏置电压Vb1，源极接地，漏极接所述PMOS管M401的漏极；所述NMOS管M412的栅极接所述NMOS管M411的栅极，源极接地，漏极接所述PMOS管M402的漏极；所述PMOS管M413的栅极接所述PMOS管M408的漏极，源极接电源电压VCC，漏极依次通过所述电容CC和所述电阻RC接至所述NMOS管M410的漏极；所述NMOS管M414的栅极接所述NMOS管M409的栅极，漏极接所述PMOS管M413的漏极；所述NMOS管M415的栅极接所述NMOS管M411的栅极，源极接地，漏极接所述NMOS管M414的漏极；所述电阻R401的第一端接地，第二端输出所述参考偏置电压Vfb；所述电阻R402的第一端接所述参考偏置电压Vfb，第二端接所述PMOS管M413的漏极并作为所述温度检测电路的输出电压Vout；
其中，所述电阻R402的阻值为所述电阻R401的阻值的K倍，K为整数且K≥1，K可根据希望的输出电压幅度范围进行取值。
6.根据权利要求5所述的温度检测电路，其特征在于，所述温度检测电路的输出电压Vout＝(K+1)×VPTAT。
一种温度检测电路
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
NMOS管M115的栅极接NMOS管M112的栅极，漏极接PMOS管M114的漏极，源极接地；PMOS管M116的源极接电源电压VCC；PMOS管M117的栅极接NMOS管M106的漏极，源极接PMOS管M116的漏极；PMOS管M118的源极接电源电压VCC；PMOS管M119的栅极接NMOS管M106的漏极，源极接PMOS管M118的漏极；PMOS管M120的源极接电源电压VCC；PMOS管M121的栅极接NMOS管M106的漏极，源极接PMOS管M120的漏极，漏极输出基准电压VREF；三极管Q1的基极和集电极接地，发射极接至PMOS管M117的漏极；三极管Q2的基极和集电极接地，发射通过电阻R101接至PMOS管M119的漏极；三极管Q3的基极和集电极接地，发射通过电阻R102接至PMOS管M121的漏极；
运算放大器的第一输入端接至PMOS管M119的漏极，第二输入端接至PMOS管M117的漏极，输出端分别连接至PMOS管M116的栅极、PMOS管M118的栅极和PMOS管M120的栅极。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 太阳能电池 | 2021-08-26 | 0 |
| 一种可调节的自动焊电极机构 | 2023-01-20 | 1 |
| 有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法 | 2020-08-04 | 0 |
| 一种显示面板及其制造方法、显示装置 | 2022-10-13 | 0 |
| 一种网络设备自感自救PDU及其自感自救方法 | 2020-05-24 | 0 |
| 锂离子电池浆料中固体物质分散均匀性的快速分析方法 | 2020-07-10 | 1 |
| 一种用于电镀的镀铜设备 | 2021-11-06 | 1 |
| 一种炼钢全流程模拟实验系统及方法 | 2023-12-04 | 1 |
| 一种医用加热电极散热线缆 | 2020-06-18 | 1 |
| 显示面板及显示设备 | 2022-11-22 | 0 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
