专利汇可以提供一种CMOS组合逻辑电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型提供了一种CMOS组合逻辑 电路 ,用以在加法器电路设计时,替代工艺厂提供的标准单元库中的组合逻辑运算单元电路。该CMOS组合 逻辑电路 包括PMOS网络和NMOS网络,PMOS网络和NMOS网络各包含三个晶体管。通过较少的晶体管实现了 逻辑运算功能,减少了面积,降低了功耗,同时缩短了路径,降低了传输延时。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是一种CMOS组合逻辑电路专利的具体信息内容。
1.一种CMOS组合逻辑电路,包括PMOS网络和NMOS网络,其特征在于:
所述PMOS网络中包括:
第一晶体管为PMOS管,所述第一晶体管的栅极G与第一输入信号连接,所述第一晶体管的源极S与电源电压连接,所述第一晶体管的漏极D与第二晶体管的漏极D、第三晶体管的源极S连接;
第二晶体管为PMOS管,所述第二晶体管的栅极G与第二输入信号连接,所述第二晶体管的源极S与电源电压连接,所述第二晶体管的漏极D与第一晶体管的漏极D、第三晶体管的源极S连接;
第三晶体管为PMOS管,所述第三晶体管的栅极G与第三输入信号连接,所述第三晶体管的源极S与第一晶体管的漏极D、第二晶体管的漏极D连接,所述第三晶体管的漏极D与第四晶体管的漏极D、第五晶体管的漏极D、输出信号连接;
所述NMOS网络中包括:
第四晶体管为NMOS管,所述第四晶体管的栅极G与第三输入信号连接,所述第四晶体管的漏极D与第三晶体管的漏极D、第五晶体管的漏极D、输出信号连接,所述第四晶体管的源极S与接地信号连接;
第五晶体管为NMOS管,所述第五晶体管的栅极G与第一输入信号连接,所述第五晶体管的漏极D与第三晶体管的漏极D、第四晶体管的漏极D、输出信号连接,所述第五晶体管的源极S与第六晶体管的漏极D连接;
第六晶体管为NMOS管,所述第六晶体管的栅极G与第二输入信号连接,所述第六晶体管的漏极D与第五晶体管的源极S连接,所述第六晶体管的源极S与接地信号连接。
2.如权利要求1所述的CMOS组合逻辑电路,其特征在于:所述电源电压为高电平电压,所述接地信号为低电平电压。
3.如权利要求1所述的CMOS组合逻辑电路,其特征在于:当第一输入信号、第二输入信号、第三输入信号为低电平时,输出信号为高电平;第一输入信号、第三输入信号为低电平,第二输入信号为高电平时,输出信号为高电平;第一输入信号、第二输入信号为低电平,第三输入信号为高电平时,输出信号为低电平;第一输入信号为低电平,第三输入信号、第二输入信号为高电平时,输出信号为低电平;第一输入信号为高电平,第二输入信号、第三输入信号为低电平时,输出信号为高电平;第一输入信号、第二输入信号为高电平,第三输入信号为低电平时,输出信号为低电平;第一输入信号、第三输入信号为高电平,第二输入信号为低电平时,输出信号为低电平;第一输入信号、第二输入信号、第三输入信号为高电平时,输出信号为低电平。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种液质联用测定血浆中格列吡嗪浓度的方法 | 2021-10-14 | 0 |
一种提高陶瓷基复合材料EBC涂层结合强度的方法 | 2020-09-18 | 1 |
梯度功率放大器的控制装置、梯度功率放大器及PET-MR设备 | 2022-08-20 | 1 |
基于超低功耗设计的无线开启式电流互感器及其控制方法 | 2023-08-15 | 1 |
一种(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦的液相串联质谱检测方法 | 2020-12-03 | 1 |
齿轮总成及包括该齿轮总成的门装机构 | 2022-10-20 | 0 |
一种短波高性能混频器 | 2020-10-06 | 0 |
一种手机触摸屏幕检测治具 | 2020-10-16 | 2 |
一种防晃电双联风机开关 | 2020-06-29 | 0 |
一种凝露去除装置及电力电子设备 | 2022-03-17 | 0 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。