基于三线态-三线态湮灭上转换发光的光致形变高分子材料
专利汇可以提供基于三线态-三线态湮灭上转换发光的光致形变高分子材料专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 属于光响应高分子材料领域，具体为一种基于三线态-三线态湮灭上转换发光机制的光致形变高分子材料。该材料由含有偶氮苯基团的 液晶 高分子和基于三线态-三线态湮灭的上转换发光材料组成。含有偶氮苯基团的液晶高分子本身对长 波长 可见光或 近红外 光没有刺激响应性，在材料体系制备过程引入三线态-三线态湮灭的上转换发光材料，通过上转换过程产生使偶氮苯基团发生刺激响应的短波可见光，使得整个材料体系在长波长可见光或者近红外光的照射下能够实现形变；该长波长可见光或近红外 光驱 动材料体系可促进光致形变高分子材料在 生物 芯片领域和微执行器件等方面的应用。，下面是基于三线态-三线态湮灭上转换发光的光致形变高分子材料专利的具体信息内容。
1. 基于三线态-三线态湮灭上转换发光的光致形变高分子材料，其特征在于由基于三线态-三线态湮灭的上转换材料和含有偶氮苯基团的液晶高分子组成；所述的液晶高分子材料由单体X和交联剂Y，在热引发剂或光引发剂存在的条件下，发生热聚合反应或者光聚合反应而获得；所述单体X的结构通式为：
D1—A1—R
交联剂Y的结构通式为：
D2—A2—D3
其中，R是H，或者是C1-C18的取代或未取代的羟基或烷氧基，或者是具有极性的端基，该端基选择自氰基、异氰基、羟基、卤素、酯基、羧基、硝基、氨基或酰胺基；
A1、A2选自如下结构式1～15中的一种、两种或者三种；且A1和A2中至少有一个含有偶氮苯的共轭结构：
结构式5-12中，B、B1、B2是取代或未取代的脂肪族环、芳环、稠环、杂环，或者是他们的衍生物；
D1-D3是含有可聚合反应官能团结构的基团，该可聚合反应官能团结构为碳碳双键结构、环氧乙烷结构或异氰酸酯结构，选自下述结构式16-21中的一种：
其中R1是H或者CH3；R2是H，或者在单体通式中不出现，或者是C1-C18的取代或未取代的的羟基或烷氧基、烷硫基、烷氨基、二烷氨基、烷酰基、烷酰氧基，烷酰氨基、烷磺酰基，或者是他们相应的衍生物。
2. 根据权利要求1所述的光致形变高分子材料，其特征在于该基于三线态-三线态湮灭的上转换材料由敏化剂和和湮灭剂组成，其中，敏化剂选自硼氟二类化合物，钌、铱、钯、铂的卟啉类和酞菁类金属配合物，湮灭剂选自联苯、并苯类化合物或其衍生物、硼氟二类化合物。
3. 根据权利要求1或2所述的光致形变高分子材料，其特征在于所述的液晶高分子中单体和交联剂的摩尔比值为：99:1-1:99。
4. 根据权利要求1或2所述的光致形变高分子材料，其特征在于所用的光引发剂为有机羰基类化合物或有机金属类化合物。
5. 根据权利要求1或2所述的光致形变高分子材料，其特征在于所用的热引发剂为偶氮类化合物。
6. 根据权利要求1或2所述的光致形变高分子材料，其特征在于敏化剂和湮灭剂的摩尔比值为 1:50-1:250。
7. 一种如权利要求1所述的光致形变高分子材料制备方法，其特征在于，采用机械压致胶接法或原位聚合法；其中：
机械压制胶接法的步骤为：首先将基于三线态-三线态湮灭的上转换材料作为填充材料，掺杂到聚合物基底中，制备出能够实现上转换发光的固体聚合物薄膜；接着将该上转换发光的固体聚合物薄膜均匀地涂上一层粘结剂，然后将其与液晶高分子薄膜复合，加压，从而制备成光致形变高分子薄膜材料；
原位聚合法的步骤为：首先将制备液晶高分子的单体X、交联剂Y、引发剂和基于三线态-三线态湮灭的上转换材料混合均匀；然后将混合物灌入到具有一定形状的模具中，通过加热或光照使得聚合反应发生，再脱模，从而得到掺杂有基于三线态-三线态湮灭的上转换材料的液晶高分子复合材料，即光致形变高分子材料。
8. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于所述能够实现上转换发光的固体聚合物薄膜中，基于三线态-三线态湮灭的上转换材料为聚合物基底质量的0.1%-5.0% ；所选的聚合物基底为聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯、聚丙烯中的一种。
9. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于在机械压制胶接法中，粘结剂选自聚丙烯酸酯类粘结剂、聚氨酯类粘结剂、环氧树脂类粘结剂、橡胶类粘结剂。
10. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于在原位聚合法中，所得到的液晶高分子复合材料采用光聚合或者热聚合方法固化，其中，采用光聚合方法时，光波长
2 2
为250-900nm，光的强度为0.1 W/cm-30W/cm, 光聚合时间为0.5h-64h，光聚合温度为
30℃-250℃；采用热聚合方法时，热聚合时间为0.5h-120h，热聚合温度为10℃-200℃。
基于三线态-三线态湮灭上转换发光的光致形变高分子材
料
技术领域
背景技术
发明内容
D1—A1—R
交联剂Y的结构通式为：
D2—A2—D3
其中，R是H，或者是C1-C18的取代或未取代的羟基（饱和或不饱和）或烷氧基，或者是具有极性的端基，可以选择的有氰基，异氰基，羟基，卤素，酯基，羧基，硝基，氨基或酰胺基等。
机械压致胶接法：考虑到过去基于三线态-三线态湮灭的上转换材料大部分只限于溶液体系里，为了能够更好地将其与液晶高分子材料结合，拓宽这种材料在实际光学器件中的应用，本发明方法中，首先将三线态-三线态湮灭的上转换材料溶解到柔性高分子的溶液中，然后将混合物溶液涂覆到玻璃基板上，干燥成膜，制备出固态的基于三线态-三线态湮灭的上转换高分子薄膜。
250-900nm，光的强度为0.1 W/cm-30W/cm, 光聚合时间为0.5h-64h，光聚合温度为
30℃-250℃；采用热聚合方法时，热聚合时间为0.5h-120h，热聚合温度为10℃-200℃。
具体实施方式
四苯基苯并卟啉铂 (PtTPBP) 9-10-二磷酰基苯基蒽 (YN2)
此实施例采用机械压致胶接法制备高分子双层薄膜材料。该实例中选择的上转换材料为敏化剂八乙基卟啉钯和湮灭剂9，10-二苯基蒽，液晶高分子材料为A9ABT和C9A聚合后形成的液晶高分子薄膜。
此实施例采用原位聚合法中热聚合方法制备液晶高分子复合薄膜。参见图2所示：首先将A9ABT和C9A以摩尔数为4:6配比，然后加上A9ABT和C9A摩尔数之和的5%热引发剂偶氮二异丁氰，再加入A9ABT和C9A质量之和5%的八乙基卟啉钯和9，10-二苯基蒽。混合均匀后注入两块基板制成的液晶盒中。基板上涂覆了经过取向处理的聚酰亚胺薄膜，并且两块基板之间放置了一定直径的间隔材料以保持一定的间隔从而控制液晶高分子复合薄膜的厚度。控制温度在120℃，聚合24小时，打开液晶盒从而得到液晶高分子复合薄膜。
八丁氧基酞菁钯 红荧烯
此实施例采用原位聚合法中光聚合方法制备液晶高分子复合薄膜。参加图2所示，首先将A11AB6和DA11AB按摩尔数90:10配比，然后加入A11AB6和DA11AB摩尔数之和5%的光引发剂，再加入A11AB6和DA11AB质量之和5%的八丁氧基酞菁钯和红荧烯的混合物。混合均匀后注入两块基板制成的液晶盒中。基板上涂覆了经过取向处理的聚酰亚胺薄膜，并且两块基板之间放置了一定直径的间隔材料以保持一定的间隔从而控制液晶高分子复合薄膜的厚度。用加热台控制温度在100℃，并在光源所发出的波长大于540nm， 光强为3mW/
2
cm 的光照下反应10h，然后打开液晶盒得到液晶高分子复合薄膜。
2
波长为635 nm的照射光源，功率密度为200 mW/cm, 此时可以观察到高分子双层薄膜材料沿着摩擦方向朝着光源方向弯曲。
2
动波长为635 nm的照射光源，功率密度为200 mW/cm，此时可以观察到液晶高分子复合材料沿着摩擦方向向着光源方向弯曲。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种有机电致发光器件 | 2020-05-16 | 500 |
| 分光瞳差动共焦Raman-LIBS光谱探测的飞秒激光加工监测方法 | 2020-05-25 | 435 |
| 一种基于量子点的单光子源 | 2020-05-13 | 265 |
| 分光瞳共焦Raman-LIBS光谱探测的飞秒激光加工监测方法与装置 | 2020-05-25 | 463 |
| 一种基于SiPM的超快相机及其成像方法 | 2020-05-11 | 883 |
| 基于无氧条件下利用光敏剂三线态激发态的分子组及其制备方法 | 2020-05-20 | 520 |
| 一种苯乙烯-双菲并咪唑衍生物及其制备方法与应用 | 2020-05-15 | 159 |
| 差动共焦Raman-LIBS光谱探测的飞秒激光加工监测融合方法与装置 | 2020-05-21 | 297 |
| 一种激光共焦Raman-LIBS-质谱联用显微成像方法与装置 | 2020-05-22 | 736 |
| 一种四苯乙烯-菲并咪唑衍生物及其晶体、制备方法与应用 | 2020-05-20 | 838 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
-
4 光触媒装置
