包含異質接面之半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION
专利汇可以提供包含異質接面之半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明係關於一種半導體發光裝置(10)，其包括一半導體結構(12)，該半導體結構(12)包括：一第一半導體材料(在此情況下係Ge)之第一本體(14)，其包括一第一摻雜種類(在此情況下係n)之第一區域；及一第二半導體材料(在此情況下係Si)之第二本體(18)，其包括一第二摻雜種類(在此情況下係p)之第一區域。該結構包括一接面區域(15)，其包括一形成於該第一本體(14)與該第二本體(18)之間的第一異質接面(16)及一形成於該結構中分別為第一及第二摻雜種類之區域之間的pn接面(17)。一偏壓配置(20)係連接至該結構供在使用中反向偏壓該pn接面，藉此導致光之發射。，下面是包含異質接面之半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING HETEROJUNCTION专利的具体信息内容。
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