专利汇可以提供Schottky-barrier field-effect transistor专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且A Schottky-barrier field-effect transistor is disclosed with a semiconductor channel of relatively low conductivity between the source and drain electrodes which may be electrically influenced by a Schottky-barrier gate electrode located on the semiconductor channel. The transistor is characterized by a zone or region of higher conductivity which extends from the vicinity of the source electrode to near the gate electrode. Further, source and drain regions are conveniently provided for the transistor of semiconductor of the same conductivity type as the channel semiconductor at the Schottky-barrier electrode. Advantageously, the drain region may be made of semiconductor of high conductivity and the same conductivity type as the source region. The high conductivity region may be achieved through either diffusion or epitaxial growth technique.,下面是Schottky-barrier field-effect transistor专利的具体信息内容。
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