Semiconductor device

阅读:20发布:2023-03-22

专利汇可以提供Semiconductor device专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE:To reduce the area of a checking transistor by forming a characteristics checking transistor formed by integrating a bipolar transistor and a junction type field effect transistor. CONSTITUTION:An N type buried layer 22, an N type epitaxial layer 23 and a P type isolation region 24 are formed on a P type semiconductor substrate 21. Then, the P type drain region 26 of a junction type FET(J-FET), and the P type base region 27, N type emitter region 28 and N type collector leading region 29 of a bipolar transistor are formed. Subsequently, boron ions are injected between the drain 26 and the region 29 to form a channel region 31, and phosphorus is injected to form an N type top gate region 32. Then, an aluminum is deposited to form electrodes 34, 35, 36.,下面是Semiconductor device专利的具体信息内容。

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