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一种浪涌电路和天线电调控制器

阅读：794发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种浪涌电路和天线电调控制器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型提供一种浪涌电路和天线电调控制器 ,其技术方案要点是浪涌电路包括电子开关模块、储能模块、可变电阻模块和开关电源模块，可变电阻模块和电子开关模块的输入端与外接电压输入端连接，所述储能模块的一端与所述开关电源模块连接且其另一端接地，所述电子开关模块和可变电阻模块的输出端分别与储能模块连接，所述储能模块用于使所述开关电源模块延时上电，所述可变电阻模块用于输出恒流充电电流。通过设置可变电阻模块，使上电浪涌电流不受输入电压、输出电压及储能模块的影响，上电时间稳定，实现上电电流稳定的效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利，下面是一种浪涌电路和天线电调控制器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种浪涌电路，其特征是：包括电子开关模块、储能模块、可变电阻模块和开关电源模块，可变电阻模块和电子开关模块的输入端与外接电压输入端连接，所述储能模块的一端与所述开关电源模块连接且其另一端接地，所述电子开关模块和可变电阻模块的输出端分别与储能模块连接，所述储能模块用于使所述开关电源模块延时上电，所述可变电阻模块用于输出恒流充电电流。
2.根据权利要求1所述的浪涌电路，其特征是：还包括延时模块，所述延时模块连接于所述外接电压输入端和所述电子开关模块之间，所述延时模块用于延迟使电子开关模块导通。
3.根据权利要求2所述的浪涌电路，其特征是：还包括稳压模块，所述稳压模块连接于所述外接电压输入端和所述延时模块之间，所述稳压模块用于为延时模块提供基准电压。
4.根据权利要求3所述的浪涌电路，其特征是：所述稳压模块包括相互串联的第一电阻和稳压二极管，所述稳压二极管的正极接地，所述第一电阻两端分别与外接电压输入端和所述稳压二极管的负极连接，所述稳压模块的输出端连接于所述稳压二极管和所述第一电阻之间。
5.根据权利要求4所述的浪涌电路，其特征是：所述延时模块包括第二电阻和第一电容，所述第二电阻与所述稳压模块的输出端连接，所述第一电容的一端接地，其另一端与第二电阻连接，所述延时模块的输出端连接于所述第二电阻和第一电容之间。
6.根据权利要求5所述的浪涌电路，其特征是：所述可变电阻模块包括第三电阻、第四电阻、第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的集电极与所述可变电阻模块的输入端连接，所述第三电阻的两端分别连接于第一三极管的集电极和基极，所述第一三极管的发射极与第四电阻连接，所述第四电阻远离第一三极管的一端接地，所述第二三极管的基极连接于所述第一三极管的发射极和所述第四电阻之间，所述第二三极管的集电极连接于所述第一三极管的基极和所述第三电阻之间，所述第二三极管的发射极连接于所述可变电阻模块的输出端，所述第一三极管和第二三极管为PNP型三极管。
7.根据权利要求5所述的浪涌电路，其特征是：所述电子开关模块包括MOS管、第五电阻、第六电阻和第三三极管，所述第三三极管的基极与所述延时模块的输出端连接，其集电极与第六电阻连接且其发射极接地，所述第五电阻连接于外接电压输入端和所述第六电阻之间，所述MOS管的源极连接于第五电阻和外接电压输入端之间，其漏极连接于可变电阻模块和储能模块之间，其栅极连接于第五电阻和第六电阻之间，所述MOS管为P沟道MOS管，所述第三三极管为NPN型三极管。
8.根据权利要求1所述的浪涌电路，其特征是：所述开关电源模块包括稳压芯片，还包括第三电容，所述第三电容的一端接地，其另一端与所述稳压芯片的使能端电连接，所述稳压芯片的电压输入端与所述可变电阻模块的输出端连接。
9.一种天线电调控制器，其特征是：包括如权利要求1至8任意一项所述的浪涌电路。

说明书全文

一种浪涌电路和天线电调控制器

技术领域

[0001] 本实用新型涉及浪涌电路设计领域，尤其涉及一种浪涌电路和天线电调控制器。

背景技术

[0002] 现有的标准天线接口3.0协议电调控制器在开关电源上电的过程中存在上电浪涌电流的问题，上电电流不稳定，导致上电时间不稳定且上电时间较长。实用新型内容

[0003] 本实用新型的首要目的旨在提供一种上电电流稳定的浪涌电路。

[0004] 本实用新型的另一目的旨在提供一种采用上述浪涌电路的天线电调控制器。

[0005] 为了实现上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

[0006] 一种浪涌电路，包括电子开关模块、储能模块、可变电阻模块和开关电源模块，可变电阻模块和电子开关模块的输入端与外接电压输入端连接，所述储能模块的一端与所述开关电源模块连接且其另一端接地，所述电子开关模块和可变电阻模块的输出端分别与储能模块连接，所述储能模块用于使所述开关电源模块延时上电，所述可变电阻模块用于输出恒流充电电流。

[0007] 进一步设置：所述浪涌电路还包括延时模块，所述延时模块连接于所述外接电压输入端和所述电子开关模块之间，所述延时模块用于延迟使电子开关模块导通。

[0008] 进一步设置：所述浪涌电路还包括稳压模块，所述稳压模块连接于所述外接电压输入端和所述延时模块之间，所述稳压模块用于为延时模块提供基准电压。

[0009] 进一步设置：所述稳压模块包括相互串联的第一电阻和稳压二极管，所述稳压二极管的正极接地，所述第一电阻两端分别与外接电压输入端和所述稳压二极管的负极连接，所述稳压模块的输出端连接于所述稳压二极管和所述第一电阻之间。

[0010] 进一步设置：所述延时模块包括第二电阻和第一电容，所述第二电阻与所述稳压模块的输出端连接，所述第一电容的一端接地，其另一端与第二电阻连接，所述延时模块的输出端连接于所述第二电阻和第一电容之间。

[0011] 进一步设置：所述可变电阻模块包括第三电阻、第四电阻、第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的集电极与所述可变电阻模块的输入端连接，所述第三电阻的两端分别连接于第一三极管的集电极和基极，所述第一三极管的发射极与第四电阻连接，所述第四电阻远离第一三极管的一端接地，所述第二三极管的基极连接于所述第一三极管的发射极和所述第四电阻之间，所述第二三极管的集电极连接于所述第一三极管的基极和所述第三电阻之间，所述第二三极管的发射极连接于所述可变电阻模块的输出端，所述第一三极管和第二三极管为PNP型三极管。

[0012] 进一步设置：所述电子开关模块包括MOS管、第五电阻、第六电阻和第三三极管，所述第三三极管的基极与所述延时模块的输出端连接，其集电极与第六电阻连接且其发射极接地，所述第五电阻连接于外接电压输入端和所述第六电阻之间，所述MOS管的源极连接于第五电阻和外接电压输入端之间，其漏极连接于可变电阻模块和储能模块之间，其栅极连接于第五电阻和第六电阻之间，所述MOS管为P沟道MOS管，所述第三三极管为NPN型三极管。

[0013] 进一步设置：所述开关电源模块包括稳压芯片，还包括第三电容，所述第三电容的一端接地，其另一端与所述稳压芯片的使能端电连接，所述稳压芯片的电压输入端与所述可变电阻模块的输出端连接。

[0014] 本实用新型还提供了一种天线电调控制器，包括上述的浪涌电路。

[0015] 相比现有技术，本实用新型的方案具有以下优点：

[0016] 1.本实用新型涉及的浪涌电路中，通过设置可变电阻模块，使上电浪涌电流不受输入电压、输出电压及储能模块的影响，上电时间稳定，实现上电电流稳定的效果。

[0017] 2.本实用新型涉及的天线电调控制器中，通过采用上述的浪涌电路，使天线电调控制器在上电过程中能够满足AISG3.0上电浪涌电流要求，上电电流稳定，提高工作稳定性。

[0018] 本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。附图说明

[0019] 本实用新型上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

[0020] 图1为本实用新型中一种实施例的浪涌电路的框架图；

[0021] 图2为本实用新型中一种实施例的浪涌电路的电路原理图；

[0022] 图3为本实用新型中一种实施例的浪涌电路的工作流程图。

具体实施方式

[0023] 下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。

[0024] 如图1和图2所示，本实用新型提供了一种天线电调控制器，包括浪涌电路，所述浪涌电路包括电子开关模块1、延时模块2、稳压模块3、储能模块4、可变电阻模块5和开关电源模块6，所述稳压模块3、可变电阻模块5和电子开关模块1的输入端与外接电压输入端连接。所述储能模块4的一端与所述开关电源模块6连接且其另一端接地，所述电子开关模块1和可变电阻模块5的输出端分别与储能模块4连接，所述稳压模块3与外接电压输入端连接，所述延时模块2连接于所述稳压模块3和所述电子开关模块1之间。所述储能模块4用于使所述电子开关模块1延时上电，所述可变电阻模块5用于输出恒流充电电流，所述延时模块2用于延迟使电子开关模块1导通，所述稳压模块3用于为延时模块2提供基准电压。

[0025] 在本实施例中，所述稳压模块3包括相互串联的第一电阻R1和稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的正极接地，所述第一电阻R1两端分别与外接电压输入端和所述稳压二极管D1的负极连接，所述稳压模块3的输出端连接于所述稳压二极管D1和所述第一电阻R1之间。

[0026] 所述延时模块2包括第二电阻R2和第一电容C1，所述第三电容C3与所述稳压模块3的输出端连接，所述第一电容C1的一端接地，其另一端与所述第二电阻R2连接，所述延时模块2的输出端连接于所述第二电阻R2和所述第一电容C1之间。延时模块2起到了延时的作用，上电延时一段时间之后，电子开关模块1才导通。

[0027] 所述可变电阻模块5包括第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1和第二三极管Q2，所述第一三极管Q1的集电极与所述可变电阻模块5的输入端连接，所述第三电阻R3的两端分别连接于第一三极管Q1的集电极和基极，所述第一三极管Q1的发射极与第四电阻R4连接，所述第四电阻R4远离第一三极管Q1的一端接地，所述第二三极管Q2的基极连接于所述第一三极管Q1的发射极和所述第四电阻R4之间，所述第二三极管Q2的集电极连接于所述第一三极管Q1的基极和所述第三电阻R3之间，所述第二三极管Q2的发射极连接于所述可变电阻模块5的输出端，所述第一三极管Q1和第二三极管Q2为PNP型三极管。

[0028] 所述电子开关模块1包括MOS管Q3、第五电阻R5、第六电阻R6和第三三极管Q4，所述第三三极管Q4的基极与所述延时模块2的输出端连接，其集电极与第六电阻R6连接且第三三极管Q4的发射极接地，所述第五电阻R5连接于外界电压输入端和第六电阻R6之间，所述MOS管Q3的源极连接于第五电阻R5和外接电压输入端之间，MOS管Q3的漏极连接于可变电阻模块5和储能模块4之间，MOS管Q3的栅极连接于第五电阻R5和第六电阻R6之间。在本实施例中，所述MOS管Q3为P沟道MOS管Q3，所述第三三极管Q4为NPN型三极管。

[0029] 在本实施例中，所述储能模块4包括第二电容C2，第二电容C2的一端接地，其另一端与MOS管Q3的漏极连接，其典型值为1-10000μF。

[0030] 在本实施例中，所述开关电源模块6包括稳压芯片61，还包括第三电容C3，所述第三电容C3的一端接地，其另一端与所述稳压芯片61的使能端连接，所述稳压芯片61的电压输入端与所述可变电阻模块5的输出端连接。在本实施例中，第三电容C3为开关电源延时使能电容，当开关电源模块6延时时间大于延时模块2的延时时间，开关电源模块6才开始输出。

[0031] 所述开关电源模块6还包括第四电容C4，所述第四电容C4的一端接地，其另一端与稳压芯片61的软启动端连接，其用于为开关电源模块6软启动设置时间，软启动时间由浪涌电流大小决定。

[0032] 结合图3所示，展示了浪涌电路的工作流程，在上电时，首先对第二电容C2进行充电，当第二电容C2充满电后，MOS管Q3导通，开关电源使能，并最终启动完成。

[0033] 在本实施例中，第二电容C2充满电后，MOS管Q3才导通，由于外接输入电压经过稳压二极管D1，MOS管Q3的导通不受输入电压和MOS管Q3本身离散系数的影响，MOS管Q3的导通时间较为稳定，上电最多200ms即可导通。

[0034] 以上所述仅是本实用新型的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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