低功率晶体振荡器
专利汇可以提供低功率晶体振荡器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种皮尔斯 振荡器 设置有跨导 放大器 晶体管，该 跨导放大器 晶体管具有DC漏极 电压 ，该DC漏极电压独立于用于跨导放大器晶体管的DC栅极电压而被调节为等于基准电压。，下面是低功率晶体振荡器专利的具体信息内容。
1.一种电路，包括：
第一晶体管；
电流源，用于以偏置电流驱动所述第一晶体管的漏极；
第一去耦电容器，用于将用于所述第一晶体管的直流DC漏极电压与用于所述第一晶体管的DC栅极电压隔离，其中所述第一晶体管的栅极被配置成通过所述第一去耦电容器，被来自晶体的AC输入电压偏置；以及
运算放大器，被配置成响应于所述DC漏极电压与基准电压之间的比较而进一步偏置所述第一晶体管的所述栅极，以将所述DC漏极电压调节为等于所述基准电压。
2.根据权利要求1所述的电路，还包括：
分压器，具有第一电阻器，所述第一电阻器具有连接到所述第一晶体管的所述漏极的第一端子，并且具有连接到第二电阻器的第一端子的第二端子，其中所述运算放大器具有连接到所述第一电阻器的所述第二端子的第一输入，并且具有连接到用于承载所述基准电压的基准电压节点的第二输入。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一输入是所述运算放大器的正输入，并且其中所述第二输入是所述运算放大器的负输入。
4.根据权利要求2所述的电路，还包括偏置电阻器，其耦合在所述运算放大器的输出与所述第一晶体管的所述栅极之间。
5.根据权利要求4所述的电路，还包括反馈电容器，其耦合在所述运算放大器的所述输出与地之间。
6.根据权利要求2所述的电路，其中所述分压器的第二端子耦合到所述第一去耦电容器的一个端子。
7.根据权利要求6所述的电路，其中所述第一晶体管是具有连接到地的源极的NMOS晶体管，并且其中所述电流源包括PMOS电流源晶体管，所述PMOS电流源晶体管具有连接到用于提供电源电压的电源节点的源极和连接到所述NMOS晶体管的所述漏极的漏极。
8.根据权利要求7所述的电路，还包括第二去耦电容器，其耦合在所述第一去耦电容器的所述端子与所述PMOS电流源晶体管的栅极之间。
9.根据权利要求7所述的电路，还包括：
二极管连接的PMOS晶体管，具有耦合到所述PMOS电流源晶体管的所述栅极的栅极；以及
电流源，耦合在所述二极管连接的PMOS晶体管的漏极与地之间。
10.根据权利要求9所述的电路，还包括偏置电阻器，所述偏置电阻器被配置成将所述二极管连接的PMOS晶体管的所述栅极耦合到所述PMOS电流源晶体管的所述栅极。
11.根据权利要求6所述的电路，还包括：
第一反相器，被配置成将用于所述第一去耦电容器的所述端子的电压反相；以及第二反相器，被配置成将来自所述第一反相器的输出信号反相，以为所述电路提供输出电压。
12.根据权利要求11所述的电路，还包括：
基准PMOS晶体管，具有连接到用于提供电源电压的电源节点的源极；
基准NMOS晶体管，具有连接到地的源极，并且具有连接到所述基准PMOS晶体管的漏极的漏极；以及
基准电阻器，连接在所述基准NMOS晶体管的所述漏极与用于提供所述基准电压的基准节点之间，其中所述基准节点连接到所述基准PMOS晶体管的栅极和所述基准NMOS晶体管的栅极。
13.根据权利要求12所述的电路，其中所述电路被集成在电路封装中的集成电路内，所述电路封装还包括晶体，所述晶体具有连接到所述第一晶体管的所述漏极的第一端子，并且具有连接到所述第一去耦电容器的所述端子的第二端子。
14.一种使输出信号振荡的方法，包括：
通过利用来自电流源的电流驱动皮尔斯振荡器中的第一晶体管的漏极，来偏置用于所述第一晶体管的栅极的直流DC栅极电压；
通过第一去耦电容器将所述栅极与所述漏极隔离；
放大基准电压与用于所述漏极的DC漏极电压之间的差，以偏置用于所述栅极的交流AC栅极电压，以使所述DC漏极电压等于所述基准电压。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括通过所述第一去耦电容器，利用来自晶体的振荡电压来驱动所述第一晶体管的所述栅极。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在第二晶体管中生成来自所述电流源的所述电流；以及
通过第二去耦电容器将来自所述晶体的所述振荡电压耦合到所述第二晶体管的栅极。
17.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在第一反相器中将所述振荡电压反相，以形成反相器输出信号；以及
在第二反相器中将所述反相器输出信号反相，以形成振荡输出信号。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括使用第三反相器生成所述基准电压，使得所述基准电压等于用于所述第三反相器的阈值电压。
19.一种电路，包括：
第一晶体管；
电流源，用于利用偏置电流驱动所述第一晶体管的漏极，以偏置用于所述第一晶体管的DC栅极电压；
第一去耦电容器，用于将用于所述第一晶体管的直流DC漏极电压与所述DC栅极电压隔离，其中第一晶体管的栅极被配置成通过所述第一去耦电容器，被来自晶体的AC输入电压偏置；
晶体，具有连接到所述第一晶体管的所述漏极的第一端子，并且具有通过所述第一去耦晶体管耦合到所述第一晶体管的所述栅极的第二端子；以及
用于将所述DC漏极电压偏置为等于基准电压的装置。
20.根据权利要求19所述的电路，其中所述电流源包括第二晶体管，所述第二晶体管具有通过第二去耦电容器耦合到所述晶体的所述第二端子的栅极。
21.根据权利要求19所述的电路，还包括：
第一负载电容器，连接在所述晶体的所述第二端子与地之间；以及
第二负载电容器，连接在所述第一晶体管的所述漏极与地之间。
低功率晶体振荡器
技术领域
背景技术
具体实施方式
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