放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法
阅读：702发布：2024-01-10
专利汇可以提供放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法。放射线检测器具备： 基板 ，在具有微粒层的基材的与具有所述微粒层的面相反侧的面的 像素 区域，形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素，所述基材为可挠性且为 树脂 制，所述微粒层包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒；变换层，设置在所述基材的设置有所述像素区域的面，将所述放射线变换为光；和增强基板，设置在层叠有所述基板以及所述变换层的层叠体的所述基板侧的面以及所述变换层侧的面的至少一方。，下面是放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法专利的具体信息内容。
1.一种放射线检测器，具备：
基板，在具有微粒层的基材的与具有所述微粒层的面相反侧的面的像素区域，形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素，所述基材为可挠性且为树脂制，所述微粒层包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒；
变换层，设置在所述基材的设置有所述像素区域的面，将所述放射线变换为光；和增强基板，设置在层叠有所述基板以及所述变换层的层叠体的所述基板侧的面以及所述变换层侧的面的至少一方。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述基材在300℃～400℃下的热膨胀系数为20ppm/K以下。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器，其中，
所述基材在厚度为25μm的状态下，满足400℃下的纵向MD方向的热收缩率为0.5％以下以及500℃下的弹性模量为1GPa以上的至少一方。
4.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述微粒包含原子序号比构成所述基材的元素大且原子序号为30以下的元素。
5.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下。
6.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的热膨胀系数相对于所述变换层的热膨胀系数之比为0.5以上且2以下。
7.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的热膨胀系数为30ppm/K以上且80ppm/K以下。
8.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板包含具有屈服点的材料。
9.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板与所述基材相比刚性高。
10.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的厚度比所述基材的厚度厚。
11.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述变换层覆盖所述像素区域，并且设置在所述基材的设置有所述像素区域的面的一部分的区域，
所述增强基板设置在比设置有所述变换层的区域大的区域。
12.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板设置在层叠有所述基板以及所述变换层的层叠体的所述基板侧的面以及所述变换层侧的面，
在所述变换层侧的面设置的增强基板的厚度比在所述基板侧的面设置的增强基板的厚度厚。
13.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板是将塑料作为材料的基板。
14.根据权利要求13所述的放射线检测器，其中，
所述塑料为聚碳酸酯以及聚对苯二甲酸乙二醇酯的至少一种。
15.根据权利要求13或14所述的放射线检测器，其中，
所述塑料为苯乙烯、丙烯酸、聚缩醛、以及尼龙的至少一种。
16.根据权利要求13所述的放射线检测器，其中，
所述塑料为聚丙烯、ABS、工程塑料、聚对苯二甲酸乙二醇酯、以及聚苯醚的至少一种。
17.根据权利要求13所述的放射线检测器，其中，
所述塑料为热可塑性的树脂。
18.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
还具备：缓冲层，设置在所述基板与所述变换层之间，对所述变换层的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数之差进行缓冲。
19.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述像素具有：
传感器部，产生与被照射的放射线的剂量相应的电荷，并对产生的电荷进行蓄积；和开关元件，将所述传感器部中蓄积的电荷读出。
20.根据权利要求19所述的放射线检测器，其中，
所述开关元件为具有栅极电极的晶体管，
所述基板在所述基材与所述栅极电极之间设置有由无机材料形成的层。
21.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板设置在层叠有所述变换层的层叠体的所述基板侧的面，
在所述增强基板与所述基板中的所述变换层侧的面之间还具备对所述变换层的侧面进行密封的密封构件。
22.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述层叠体在所述变换层侧还具有依次层叠了粘结层、粘合层和保护层的部分，所述粘结层是对由所述变换层变换后的光进行反射的反射性的粘结层，所述粘合层对包含从所述粘结层的端部到所述基板的表面的区域在内的区域进行覆盖，所述保护层对所述粘结层以及所述粘合层进行覆盖，
所述增强基板设置在所述层叠体的所述基板侧的面以及所述保护层侧的面的至少一方。
23.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述层叠体在所述变换层侧还具有依次层叠了粘结层和保护层的部分，所述粘结层是对由所述变换层变换后的光进行反射、并对包含所述变换层整体以及到所述基板的表面的区域在内的区域进行覆盖的反射性的粘结层，所述保护层对所述粘结层进行覆盖，所述增强基板设置在所述层叠体的所述基板侧的面以及所述保护层侧的面的至少一方。
24.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述变换层包含CsI的柱状晶体。
25.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板设置在所述层叠体的所述变换层侧的面。
26.根据权利要求25所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板在比所述变换层延伸的范围大的范围内延伸。
27.根据权利要求25所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板在与所述变换层的中央部以及周缘部对应的区域延伸。
28.根据权利要求26或27所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板以沿着所述变换层的周缘部中的倾斜的方式折弯。
29.根据权利要求26所述的放射线检测器，其中，
在所述增强基板与所述变换层之间形成有与所述变换层的周缘部中的倾斜相应的空间。
30.根据权利要求26所述的放射线检测器，其中，
在所述增强基板与所述变换层之间形成的空间填充有填充材料。
31.根据权利要求26所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板的端部被隔离件支承。
32.根据权利要求26所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板以沿着所述变换层的周缘部中的倾斜的方式折弯，
所述增强基板的端部被密封构件密封。
33.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
所述增强基板设置在所述层叠体的所述基板侧的面。
34.根据权利要求33所述的放射线检测器，其中，
在所述增强基板的与和所述基板相接的一侧相反的一侧设置有增强构件，所述增强构件设置在跨越所述变换层的端部的区域，并且设置在不与像素区域重叠的区域。
35.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，
设置有增强构件，该增强构件设置在所述基板的与所述变换层相反侧的面，并且对所述基板进行增强，所述增强构件设置在跨越所述变换层的端部的区域，并且设置在不与像素区域重叠的区域。
36.一种放射线图像摄影装置，具备：
权利要求1所述的放射线检测器；
控制部，输出用于将所述多个像素中蓄积的电荷读出的控制信号；
驱动部，根据所述控制信号使得从所述多个像素读出电荷；和
信号处理部，输入与从所述多个像素读出的电荷相应的电信号，生成与输入的电信号相应的图像数据并输出至所述控制部。
37.根据权利要求36所述的放射线图像摄影装置，其中，
还具备：壳体，具有被照射放射线的照射面，将所述放射线检测器收纳为所述放射线检测器中的传感器基板以及变换层之中的所述传感器基板与所述照射面对置的状态。
38.一种放射线检测器的制造方法，包括：
在与放射线检测器相应的大小的增强基板涂敷粘结层的工序；
在支承体隔着剥离层形成基板的工序，所述基板在具有微粒层的基材的与具有所述微粒层的面相反侧的面的像素区域，设置有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素，所述基材为可挠性且为树脂制，所述微粒层包含平均粒径为0.05μm以上且
2.5μm以下的无机的微粒；
在所述基材的设置有所述像素区域的面形成将所述放射线变换为光的变换层的工序；
在所述基板连接用于将所述像素与电路部连接的布线的工序；
在所述变换层的与和所述基板对置的面相反侧的面粘贴所述增强基板的工序；和将连接有所述布线且设置有所述变换层以及所述增强基板的所述基板从所述支承体剥离的工序。
放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法。
背景技术
[0002] 以往，已知有进行以医疗诊断为目的的放射线摄影的放射线图像摄影装置。在这样的放射线图像摄影装置中，利用了用于检测透过了被摄体的放射线并生成放射线图像的放射线检测器。
[0003] 作为放射线检测器，有具备将放射线变换为光的闪烁器等变换层、和在基材的像素区域设有多个像素的基板的放射线检测器，其中，所述多个像素对根据由变换层变换后的光而产生的电荷进行蓄积。作为这样的放射线检测器的基板的基材，已知利用了可挠性基材的基材(例如，参照日本特开2013-217769号公报)。通过利用可挠性基材，例如能够使放射线图像摄影装置(放射线检测器)轻量化，此外存在被摄体的摄影变得容易的情况。
[0004] 但是，在放射线图像摄影装置的制造工序的中途等，存在放射线检测器以单体来处理的情况。
[0005] 在与变换层和基板被层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路，并且遍及放射线检测器以及电气电路的整体地设置了挠曲调整构件的放射线图像摄影装置中，未考虑以放射线检测器单体来处理的情况。因而，在上述结构的放射线图像摄影装置中的放射线检测器以单体来处理的情况下，变换层有可能被破坏。
发明内容
[0006] 发明要解决的课题
[0007] 本公开提供一种放射线检测器、放射线图像摄影装置以及制造方法，较之于在与变换层和基板被层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路、且遍及放射线检测器以及电气电路的整体设置了挠曲调整构件的放射线图像摄影装置，能够抑制放射线检测器单体中的变换层的破坏。
[0008] 用于解决课题的手段
[0009] 本公开的第1形态为放射线检测器，具备：基板，在具有微粒层的基材的与具有微粒层的面相反侧的面的像素区域，形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素，所述基材为可挠性且为树脂制，所述微粒层包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒；变换层，设置在基材的设置有像素区域的面，将放射线变换为光；
和增强基板，设置在层叠有基板以及变换层的层叠体的基板侧的面以及变换层侧的面的至少一方。在上述方案中，包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒的基材，可以为单层或者改变了无机微粒的含有率(重量％)的两层以上的层叠的任意构造。
和增强基板，设置在层叠有基板以及变换层的层叠体的基板侧的面以及变换层侧的面的至少一方。在上述方案中，包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒的基材，可以为单层或者改变了无机微粒的含有率(重量％)的两层以上的层叠的任意构造。
[0011] 本公开的第3形态的放射线检测器在第1形态的放射线检测器或者第2形态的放射线检测器中，基材在厚度为25μm的状态下，满足400℃下的MD(Machine Direction；纵向)方向的热收缩率为0.5％以下以及500℃下的弹性模量为1GPa以上的至少一方。
[0012] 本公开的第4形态的放射线检测器在第1形态至第3形态的任一个形态的放射线检测器中，微粒包含原子序号比构成基材的元素大且原子序号为30以下的元素。
[0013] 本公开的第5形态的放射线检测器在第1形态至第4形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板的弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下。
[0014] 本公开的第6形态的放射线检测器在第1形态至第5形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板的热膨胀系数相对于变换层的热膨胀系数之比为0.5以上且2以下。
[0015] 本公开的第7形态的放射线检测器在第1形态至第6形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板的热膨胀系数为30ppm/K以上且80ppm/K以下。
[0016] 本公开的第8形态的放射线检测器在第1形态至第7形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板包含具有屈服点的材料。
[0017] 本公开的第9形态的放射线检测器在第1形态至第8形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板与基材相比刚性高。
[0018] 本公开的第10形态的放射线检测器在第1形态至第9形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板的厚度比基材的厚度厚。
[0019] 本公开的第11形态的放射线检测器在第1形态至第10形态的任一个形态的放射线检测器中，变换层覆盖像素区域，并且设置在基材的设置有像素区域的面的一部分的区域，增强基板设置在比设置有变换层的区域大的区域。
[0020] 本公开的第12形态的放射线检测器在第1形态至第11形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板设置在层叠有基板以及变换层的层叠体的基板侧的面以及变换层侧的面，在变换层侧的面设置的增强基板的厚度比在基板侧的面设置的增强基板的厚度厚。
[0021] 本公开的第13形态的放射线检测器在第1形态至第12形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板是将塑料作为材料的基板。
[0024] 本公开的第16形态的放射线检测器在第13形态至第15形态的任一个形态的放射线检测器中，塑料为聚丙烯、ABS、工程塑料、聚对苯二甲酸乙二醇酯、以及聚苯醚的至少一种。
[0025] 本公开的第17形态的放射线检测器在第13形态的放射线检测器中，塑料为热可塑性的树脂。
[0026] 本公开的第18形态的放射线检测器在第1形态至第17形态的任一个形态的放射线检测器中，还具备：缓冲层，设置在基板与变换层之间，对变换层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差进行缓冲。
[0027] 本公开的第19形态的放射线检测器在第1形态至第18形态的任一个形态的放射线检测器中，像素具有：传感器部，产生与被照射的放射线的剂量相应的电荷，并对产生的电荷进行蓄积；以及开关元件，将传感器部中蓄积的电荷读出。
[0029] 本公开的第21形态的放射线检测器在第1形态至第20形态的任一个形态的放射线检测器中，增强基板设置在层叠有变换层的层叠体的基板侧的面，在增强基板与基板中的变换层侧的面之间还具备对变换层的侧面进行密封的密封构件。
[0030] 本公开的第22形态的放射线检测器在第1形态至第21形态的任一个形态的放射线检测器中，层叠体在变换层侧还具有依次层叠了粘结层、粘合层和保护层的部分，所述粘结层是对由变换层变换后的光进行反射的反射性的粘结层，所述粘合层对包含从粘结层的端部到基板的表面的区域在内的区域进行覆盖，所述保护层对粘结层以及粘合层进行覆盖，增强基板设置在层叠体的基板侧的面以及保护层侧的面的至少一方。
[0031] 本公开的第23形态的放射线检测器在第1形态至第21形态的任一个形态的放射线检测器中，在变换层侧还具有依次层叠了粘结层和保护层的部分，所述粘结层是对由变换层变换后的光进行反射、并对变换层整体以及包含到基板的表面的区域在内的区域进行覆盖的反射性的粘结层，所述保护层对粘结层进行覆盖，增强基板设置在层叠体的基板侧的面以及保护层侧的面的至少一方。
[0032] 本公开的第24形态的放射线检测器在第1形态至第23形态的任一个形态的放射线检测器中，变换层包含CsI的柱状晶体。
[0033] 此外，本公开的第25形态的放射线图像摄影装置具备：第1形态至第24形态的任一个形态的放射线检测器；控制部，输出用于将多个像素中蓄积的电荷读出的控制信号；驱动部，根据控制信号使得从多个像素读出电荷；和信号处理部，输入与从多个像素读出的电荷相应的电信号，生成与输入的电信号相应的图像数据并输出至控制部。
[0034] 此外，本公开的第26形态的放射线图像摄影装置在第25形态的放射线图像摄影装置中，还具备：壳体，具有被照射放射线的照射面，将放射线检测器收纳为放射线检测器中的传感器基板以及变换层之中的传感器基板与照射面对置的状态。
[0035] 此外，本公开的第27形态为制造方法，包括：在与放射线检测器相应的大小的增强基板涂敷粘结层的工序；在支承体隔着剥离层形成基板的工序，所述基板在具有微粒层的基材的与具有微粒层的面相反侧的面的像素区域，设置有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素，所述基材为可挠性且为树脂制，所述微粒层包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒；在基材的设置有像素区域的面形成将放射线变换为光的变换层的工序；在基板连接用于将像素与电路部连接的布线的工序；在变换层的与和基板对置的面相反侧的面粘贴增强基板的工序；和将连接有布线且设置有变换层以及增强基板的基板从支承体剥离的工序。在上述方案中，包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒的基材，可以为单层或者改变了无机微粒的含有率(重量％)的两层以上的层叠的任意构造。
[0036] 发明效果
[0037] 根据本公开，较之于在与变换层和基板被层叠的层叠方向交叉的方向上排列配置放射线检测器和电气电路、且遍及放射线检测器以及电气电路的整体设置了挠曲调整构件的放射线图像摄影装置，能够抑制放射线检测器单体中的变换层的破坏。附图说明
[0039] 图2A是用于说明示例的实施方式的基材的一例的剖视图。
[0040] 图2B是用于说明由于透过了被摄体的放射线而在具有微粒层的基材内产生的后方散射线的说明图。
[0041] 图2C是用于说明由于透过了被摄体的放射线而在不具有微粒层的基材内产生的后方散射线的说明图。
[0042] 图3是从设置有变换层的一侧观察第1示例的实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
[0043] 图4是图3所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
[0044] 图5是说明第1示例的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的图。
[0045] 图6是从设置有变换层的一侧观察第1示例的实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。
[0046] 图7是图6所示的放射线检测器的A-A线剖视图。
[0047] 图8是用于说明第2示例的实施方式的变换层中的周缘部和中央部的剖视图。
[0048] 图9是表示第2示例的实施方式的放射线检测器中的粘结层、粘合层、以及保护层的层叠状态的一例的剖视图。
[0049] 图10是示意性地表示第2示例的实施方式的粘结层、粘合层、以及保护层的一例的剖面的剖视图。
[0050] 图11是第3示例的实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
[0051] 图12是第4示例的实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
[0052] 图13是第5示例的实施方式的放射线检测器的一例的剖视图。
[0053] 图14是表示第5示例的实施方式的放射线检测器中的粘结层以及保护层的层叠状态的一例的剖视图。
[0054] 图15是示例的实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
[0055] 图16是关于示例的实施方式的放射线检测器的另一例的一像素部分的剖视图。
[0056] 图17是示例的实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。
[0057] 图18是表示应用了示例的实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的一例的剖面的剖视图。
[0058] 图19是表示应用了示例的实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的另一例的剖面的剖视图。
[0059] 图20是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0060] 图21是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0061] 图22是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0062] 图23是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0063] 图24是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0064] 图25是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0065] 图26是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0066] 图27是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0067] 图28是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0068] 图29是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0069] 图30是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0070] 图31是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0071] 图32是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0072] 图33是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0073] 图34是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0074] 图35是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0075] 图36是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0076] 图37是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0077] 图38是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0078] 图39是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0079] 图40是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0080] 图41是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0081] 图42是表示公开的技术的示例的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的俯视图。
[0082] 图43是表示公开的技术的示例的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的立体图。
[0083] 图44是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0084] 图45是表示公开的技术的示例的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的俯视图。
[0085] 图46是表示公开的技术的示例的实施方式的挠曲抑制构件的构造的一例的俯视图。
[0086] 图47是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0087] 图48是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0088] 图49是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0089] 图50是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0090] 图51是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0091] 图52A是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0092] 图52B是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0093] 图52C是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0094] 图53是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线检测器的结构的一例的剖视图。
[0095] 图54是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
[0096] 图55是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
[0097] 图56是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
[0098] 图57是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
[0099] 图58是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
[0100] 图59是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
[0101] 图60是表示公开的技术的示例的实施方式的放射线图像摄影装置的结构的一例的剖视图。
具体实施方式
[0102] 以下，参照附图来详细地说明本发明的示例的实施方式。另外，本示例的实施方式并不限定本发明。
[0103] [第1示例的实施方式]
[0104] 本示例的实施方式的放射线检测器具有检测透过了被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息的功能。本示例的实施方式的放射线检测器具备：TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)基板、和将放射线变换为光的变换层(参照图4、放射线检测器10的TFT基板12以及变换层14)。
[0105] 首先，参照图1来说明本示例的实施方式的放射线检测器中的TFT基板12的结构的一例。另外，本示例的实施方式的TFT基板12是在基材11的像素区域35形成有包含多个像素30的像素阵列31的基板。因此，以下，将“像素区域35”这一表现作为与“像素阵列31”相同含义来使用。本示例的实施方式的TFT基板12为公开的技术的基板的一例。
[0106] 基材11为树脂制且具有可挠性。基材11例如为包含聚酰亚胺等塑料的树脂片等。基材11的厚度只要是根据材质的硬度以及TFT基板12的大小等可得到希望的可挠性的厚度即可。例如，在基材11为树脂片的情况下，厚度为5μm～125μm即可，如果厚度为20μm～50μm，则更优选。
[0107] 另外，基材11具有能承受制造后述详情的像素30的特性，在本示例的实施方式中，具有能承受制造非晶硅TFT(a-Si TFT)的特性。作为这样的基材11具有的特性，300℃～400℃下的热膨胀系数优选为与非晶硅(Si)晶片相同程度(例如，±5ppm/K)，具体而言，优选为20ppm/K以下。此外，作为基材11的热收缩率，在厚度为25μm的状态下，400℃下的MD(Machine Direction；纵向)方向的热收缩率优选为0.5％以下。此外，基材11的弹性模量优选的是，在300℃～400℃间的温度区域，不具有一般的聚酰亚胺所具有的转变点，500℃下的弹性模量为1GPa以上。
[0108] 此外，如图2A以及图2B所示，本示例的实施方式的基材11优选在与设置变换层14的一侧相反的一侧的面，具有包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒11P的微粒层11L。
[0109] 另外，图2B以及图2C表示将本示例的实施方式的放射线检测器10应用于从TFT基板12侧照射放射线R的ISS(Irradiation Side Sampling；辐照侧取样)方式的放射线检测器的情况下的例子。
[0110] 如图2B以及图2C所示，在基材11中，由于透过了被摄体S的放射线R而产生后方散射线Rb。在基材11为PI等树脂制的情况下，由于为有机物，因此构成有机物的原子序号比较小的C、H、O以及N等原子根据康普顿效应而后方散射线Rb变多。
[0111] 如图2B所示基材11具有包含对在基材11内产生的后方散射线Rb进行吸收的微粒11P的微粒层11L的情况下，与如图2C所示基材11不具有微粒层11L的情况相比，透过基材11并在后方散射的后方散射线Rb被抑制，因此优选。
[0112] 作为这样的微粒11P，优选包含自身引起的后方散射线Rb的产生量少、对后方散射线Rb进行吸收且透过了被摄体S的放射线R的吸收少的原子的无机物。另外，从后方散射线Rb的抑制和放射线R的透过性具有折衷关系的后方散射线Rb的抑制的观点出发，优选微粒11P包含原子序号比构成基材11的树脂的C、H、O以及N等大的元素。另一方面，虽然原子序号越大，对后方散射线Rb进行吸收的能力越高，但若原子序号超过30，则放射线R的吸收量增加，到达变换层14的放射线R的剂量显著减少，因此不优选。因而，在树脂性的基材11的情况下，微粒11P优选使用原子序号比构成作为基材11的有机物的原子大且为30以下的无机物。
作为这样的微粒11P的具体例，可列举原子序号为14的Si的氧化物即SiO2、原子序号为12的Mg的氧化物即MgO、原子序号为13的Al的氧化物即Al2O3、以及原子序号为22的Ti的氧化物即TiO2等。
作为这样的微粒11P的具体例，可列举原子序号为14的Si的氧化物即SiO2、原子序号为12的Mg的氧化物即MgO、原子序号为13的Al的氧化物即Al2O3、以及原子序号为22的Ti的氧化物即TiO2等。
[0113] 作为具有这种特性的树脂片的具体例，可列举XENOMAX(注册商标)。
[0114] 另外，关于本示例的实施方式中的上述的厚度，利用测微计进行了测定。关于热膨胀系数，依据JIS K7197：1991进行了测定。另外，在测定中，从基材11的主面，各15度地改变角度来切取试验片，对切取出的各试验片测定热膨胀系数，将最高的值设为基材11的热膨胀系数。在热膨胀系数的测定中，分别关于MD(Machine Direction；纵向)方向以及TD(Transverse Direction；横向)方向，在-50℃～450℃下以10℃间隔来进行，将(ppm/℃)换算成(ppm/K)。在热膨胀系数的测定中，利用MAC Science公司制TMA4000S装置，将样本长度2
设为10mm，将样本宽度设为2mm，将初始载重设为34.5g/mm ，将升温速度设为5℃/min，以及将气氛设为氩。关于弹性模量，依据JIS K7171：2016进行了测定。另外，在测定中，从基材11的主面，各15度地改变角度来切取试验片，对切取出的各试验片进行拉伸试验，将最高的值设为基材11的弹性模量。
设为10mm，将样本宽度设为2mm，将初始载重设为34.5g/mm ，将升温速度设为5℃/min，以及将气氛设为氩。关于弹性模量，依据JIS K7171：2016进行了测定。另外，在测定中，从基材11的主面，各15度地改变角度来切取试验片，对切取出的各试验片进行拉伸试验，将最高的值设为基材11的弹性模量。
[0115] 另外，由于微粒层11L中包含的微粒11P，有时会在基材11的表面产生凹凸。这样，在基材11的表面产生了凹凸的状态上，有时难以形成像素30。因而，如图2B所示，优选基材11在与形成像素30的第1面11A相反侧的第2面11B，换言之在与设置变换层14的第1面11A相反侧的第2面11B，具有微粒层11L。
[0116] 此外，为了充分地吸收在基材11内产生的后方散射线Rb，优选在基材11中在接近被摄体S的一侧的面具有微粒层11L，如图2B所示在ISS方式的放射线检测器10中，优选在第2面11B具有微粒层11L。
[0117] 这样，在ISS方式的放射线检测器10中，基材11在第2面11B具有微粒层11L，从而能够精度良好地形成像素30，并且能够有效地抑制后方散射线Rb。
[0118] 像素30分别包括：根据变换层变换后的光产生电荷并蓄积的传感器部34、以及将由传感器部34蓄积的电荷读出的开关元件32。在本示例的实施方式中，作为一例，将薄膜晶体管(TFT)用作开关元件32。因而，以下，将开关元件32称为“TFT32”。
[0119] 多个像素30在TFT基板12的像素区域35中，在一方向(与图1的横向对应的扫描布线方向，以下也称为“行方向”)以及相对于行方向的交叉方向(与图1的纵向对应的信号布线方向，以下也称为“列方向”)上呈二维状配置。在图1中，简化示出了像素30的排列，但例如像素30在行方向以及列方向上配置1024个×1024个。
[0120] 此外，在放射线检测器10中，相互交叉地设置有：用于对TFT32的开关状态(接通以及断开)进行控制的多个扫描布线38、和按照像素30的每列配备的将传感器部34中蓄积的电荷读出的多个信号布线36。多个扫描布线38各自分别经由设置于TFT基板12的焊盘(省略图示)而与放射线检测器10的外部的驱动部(参照图18以及图19、驱动部103)连接，由此流动从驱动部输出的对TFT32的开关状态进行控制的控制信号。此外，多个信号布线36各自分别经由设置于TFT基板12的焊盘(省略图示)而与放射线检测器10的外部的信号处理部(参照图18以及图19、信号处理部104)连接，由此从各像素30读出的电荷输出至信号处理部。
[0121] 此外，在各像素30的传感器部34，为了向各像素30施加偏置电压，在信号布线36的布线方向上设置有共用布线39。共用布线39经由设置于TFT基板12的焊盘(省略图示)而与放射线检测器10的外部的偏置电源连接，由此从偏置电源向各像素30施加偏置电压。
[0122] 在本示例的实施方式的放射线检测器10中，在TFT基板12上形成有变换层。图3是从形成有变换层14的一侧观察本示例的实施方式的放射线检测器10的俯视图。此外，图4是图3中的放射线检测器10的A-A线剖视图。另外，以下，在放射线检测器10的构造中称为“上”的情况下，表示在以TFT基板12侧为基准的位置关系中为上。
[0123] 如图3以及图4所示，本示例的实施方式的变换层14设置在TFT基板12的第1面12A中的包含像素区域35的一部分的区域上。这样，本示例的实施方式的变换层14未设置在TFT基板12的第1面12A的外周部的区域上。
[0124] 在本示例的实施方式中，作为变换层14的一例，利用了包含CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这样的闪烁器，例如优选包含X射线照射时的发光光谱为400nm～700nm的CsI：T1(添加有铊的碘化铯)、CsI：Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI：T1的可见光区域中的发光峰值波长为565nm。
[0125] 在本示例的实施方式的放射线检测器10中，如图4所示的一例那样，变换层14在TFT基板12上直接通过真空蒸渡法、溅射法、以及CVD(Chemical Vapor Deposition；化学气相沉积)法等气相沉积法形成为长条状的柱状晶体14A(参照图9)。作为变换层14的形成方法，例如可列举如下的真空蒸渡法，即，在作为变换层14使用了CsI：T1的情况下，在真空度为0.01Pa～10Pa的环境下，通过电阻加热式的坩埚等的加热手段对CsI：T1进行加热而使其气化，将TFT基板12的温度设为室温(20℃)～300℃，使CsI：Tl沉积在TFT基板12上。作为变换层14的厚度，优选100μm～800μm。
[0126] 另外，在本示例的实施方式中，将变换层14的柱状晶体14A(参照图9)的生长方向的基点侧(在本示例的实施方式中为TFT基板12侧)的端部称为“根部”，将生长方向上的与根部相反侧的尖锐的端部称为“前端”。在本示例的实施方式中，作为一例，如图4所示，在TFT基板12与变换层14之间设置有缓冲层13。作为缓冲层13，使用PI(PolyImide：聚酰亚胺)膜、派瑞林(注册商标)膜。
[0127] 本示例的实施方式的保护层22具有保护变换层14不受湿气等水分影响的功能。作为保护层22的材料，例如可列举有机膜，具体而言，可列举PET(Polyethylene Terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PPS(PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚)、OPP(Oriented PolyPropylene：双轴取向聚丙烯薄膜)、PEN(PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI等的单层膜或者层叠膜。此外，作为保护层22，可以使用通过在PET等的绝缘性的片材(薄膜)粘合铝箔等而层叠了铝的Alpet(注册商标)的片材。
[0128] 在作为层叠有TFT基板12、缓冲层13、变换层14以及保护层22的层叠体19的变换层14侧的面的第1面19A，通过粘结层48设置有增强基板40。
[0129] 增强基板40与基材11相比刚性高，相对于在与第1面19A所对置的面垂直的方向施加的力的尺寸变化(变形)，小于相对于在与基材11的第1面19A垂直的方向施加的力的尺寸变化。此外，本示例的实施方式的增强基板40的厚度比基材11的厚度厚。
[0130] 具体而言，本示例的实施方式的增强基板40优选使用弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下的素材。弯曲弹性模量的测定方法基于例如依据JIS K 7171：2016。增强基板40从抑制基材11的挠曲的观点出发，优选弯曲刚性比基材11高。另外，若弯曲弹性模量变低，则弯曲刚性也变低，为了得到希望的弯曲刚性而必须加厚增强基板40的厚度，从而放射线检测器10整体的厚度会增大。若考虑上述的增强基板40的材料，则在要得到超过140000Pacm4的弯曲刚性的情况下，具有增强基板40的厚度会变得比较厚的趋势。因而，在要得到适当的刚性且考虑放射线检测器10整体的厚度时，用于增强基板40的素材更优选的是弯曲弹性模量为150MPa以上且2500MPa以下。此外，增强基板40的弯曲刚性优选为
540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
540Pacm4以上且140000Pacm4以下。
[0131] 此外，本示例的实施方式的增强基板40的热膨胀系数优选接近变换层14的材料的热膨胀系数，更优选的是，增强基板40的热膨胀系数相对于变换层14的热膨胀系数之比(增强基板40的热膨胀系数/变换层14的热膨胀系数)优选为0.5以上且2以下。作为这样的增强基板40的热膨胀系数，优选为30ppm/K以上且80ppm/K以下。例如，在变换层14将CsI：Tl作为材料的情况下，热膨胀系数为50ppm/K。在该情况下，作为比较接近变换层14的材料，可列举热膨胀系数为60ppm/K～80ppm/K的PVC(Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯)、热膨胀系数为70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、热膨胀系数为65ppm/K～70ppm/K的PET、热膨胀系数为65ppm/K的PC、以及热膨胀系数为45ppm/K～70ppm/K的特氟隆(注册商标)等。
[0132] 进而，若考虑上述的弯曲弹性模量，则作为增强基板40的材料更优选为包含PET、PC以及LDPE的至少一种的材料。
[0133] 另外，增强基板40从弹性的观点出发优选包含具有屈服点的材料。另外，在本示例的实施方式中，“屈服点”是指在拉伸材料的情况下应力暂时急剧下降的现象，在表示应力与应变的关系的曲线上是指应力不增加而应变增加的点，是指对材料进行拉伸强度试验时的应力-应变曲线中的顶部。作为具有屈服点的树脂，一般可列举硬且粘性强的树脂、以及软且粘性强且中等程度的强度的树脂。作为硬且粘性强的树脂，例如可列举PC等。此外，作为软且粘性强且中等程度的强度的树脂，例如可列举聚丙烯等。
[0134] 本示例的实施方式的增强基板40是将塑料作为材料的基板。成为增强基板40的材料的塑料根据上述的理由而优选为热可塑性的树脂，可列举PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚缩醛、尼龙、聚丙烯、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene；丙烯腈丁二烯苯乙烯)、工程塑料、PET、以及聚苯醚的至少一种。另外，增强基板40优选为其中的聚丙烯、ABS、工程塑料、PET、以及聚苯醚的至少一种，更优选为苯乙烯、丙烯酸、聚缩醛、以及尼龙的至少一种，进一步优选为PC以及PET的至少一种。
[0135] 如图3以及图4所示，本示例的实施方式的增强基板40设置在TFT基板12的第1面12A中的、比设置有变换层14的区域更大的区域。因而，如图3以及图4所示，增强基板40的端部突出到比变换层14的外周部更靠外侧(TFT基板12的外周部侧)。
[0136] 在TFT基板12的外周部连接有后述详情的柔性线缆112。在增强基板40与TFT基板12的第1面12A之间，夹着柔性线缆112、防湿剂44以及粘结层45而设置有对变换层14的侧面进行密封的隔离件46。本示例的实施方式的隔离件46为本公开的密封构件的一例。
[0137] 设置隔离件46的方法未被特别限定，例如，可以预先在增强基板40的端部的粘结层48贴附隔离件46，将设置有隔离件46的状态的增强基板40贴附至设置有层叠体19、柔性线缆112、防湿剂44以及粘结层45的状态的TFT基板12，从而将隔离件46设置在TFT基板12与增强基板40之间。另外，隔离件46的宽度(与层叠体19的层叠方向交叉的方向)并不限定于图4所示的例子。例如，与图4所示的例子相比，也可以将隔离件46的宽度扩展至接近变换层14的位置。
[0138] 此外，在本示例的实施方式的层叠体19的TFT基板12侧的面即第2面19B，设置有具有进行保护使得不会受到湿气等水分影响的功能的保护膜42。作为保护膜42的材料，例如可列举与保护层22同样的材料。
[0139] 作为本示例的实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例，可列举以下的方法。
[0140] 预先在设为与放射线检测器10相符的希望的大小的增强基板40涂敷粘结层48，并在粘结层48设置隔离件46。另一方面，如图5所示，在厚度比基材11厚的玻璃基板等的支承体50，隔着剥离层52例如通过层压法等形成TFT基板12。进而，在TFT基板12上，直接如上述那样通过气相沉积法形成变换层14，此外，预先设置柔性线缆112、防湿剂44、以及粘结层45。
[0141] 然后，使设置有隔离件46的增强基板40粘贴于形成有变换层14的TFT基板12，从而对变换层14进行密封。另外，在进行上述的粘贴的情况下，在大气压下或者减压下(真空下)进行，但为了在粘贴期间抑制空气等进入而优选在减压下进行。
[0142] 然后，通过剥离层52将TFT基板12从支承体50剥离。剥离方法未被特别限定，例如在机械剥离法中，将TFT基板12(基材11)的四边的任一边作为剥离的起点，从成为起点的边朝向对置的边逐渐将TFT基板12从支承体50剥掉即可。此外，例如在激光剥离(laser Lift Off)法中，从支承体50的背面(与设置有TFT基板12的面相反侧的面)照射激光，透过支承体50，通过激光使剥离层52分解，由此从支承体50剥离TFT基板12即可。
[0143] 另外，优选在通过热压接等将柔性线缆112粘合于TFT基板12之后，进行上述的机械剥离或者激光剥离。在从支承体50剥离了TFT基板12之后将柔性线缆112粘合于TFT基板12的情况下，由于TFT基板12挠曲，因此难以连接柔性线缆112，此外，容易引起位置偏离。在本示例的实施方式的放射线图像摄影装置1中，如后述，设为驱动部103以及信号处理部104(均后述详情)等的芯片设置在柔性线缆112上的、所谓的COF(Chip On Film；膜上芯片)。由于驱动部103以及信号处理部104等的芯片重，因此因柔性线缆112的重量而TFT基板12变得容易挠曲。尤其是，在TFT基板12连接多个作为COF的柔性线缆112的情况下，由于先连接的柔性线缆112的重量而TFT基板12挠曲，因此在后续连接的柔性线缆112中有可能容易发生位置偏离。因而，如上述，优选在将柔性线缆112连接于TFT基板12之后从支承体50剥离TFT基板12。另外，本示例的实施方式的柔性线缆112为本公开的布线的一例，本示例的实施方式的驱动部103以及信号处理部104为本公开的电路部的一例。
[0144] 在此，在从支承体50剥离TFT基板12的情况下，由于基材11具有可挠性，因此TFT基板12容易挠曲。在TFT基板12较大程度挠曲的情况下，TFT基板12也较大程度挠曲，结果有可能导致变换层14被破坏。此外，并不限定于从支承体50剥离TFT基板12的情况，在放射线图像摄影装置1的制造工序的中途等的放射线检测器10以单体来处理的情况下，有可能由于TFT基板12挠曲而导致变换层14被破坏。相对于此，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，由于增强基板40设置在层叠体19的变换层14侧的面即第1面19A，因此能够抑制TFT基板12较大程度挠曲，能够抑制变换层14被破坏。
[0145] [第2示例的实施方式]
[0146] 接下来，对第2示例的实施方式进行说明。另外，本示例的实施方式的放射线检测器10的层叠体19与第1示例的实施方式不同，因此参照附图对层叠体19进行说明。
[0147] 图6是从形成有变换层14的一侧观察本示例的实施方式的放射线检测器10的一例的俯视图。此外，图7是图6中的放射线检测器10的A-A线剖视图。
[0148] 如图7所示，关于本示例的实施方式的变换层14，外周的区域具有整体上观察时越朝向外侧则厚度变得越薄的趋势，因而，具有越朝向外侧则厚度变得越薄的倾斜。在本示例的实施方式中，将在忽视制造误差以及测定误差时厚度可视作大致一定的、变换层14的中央至规定的范围内的变换层14的厚度的平均值作为基准，作为一例，如图8所示，将相对于基准的厚度的相对的膜厚(以下称为“相对膜厚”)为90％以下的外周的区域称为“周缘部(周缘部14C)”。此外，如图8所示，将被周缘部14C包围的变换层14的区域称为“中央部(中央部14B)”。换言之，“中央部”是指至少包含变换层14的厚度大致一定的部分，也包含相对膜厚超过90％的部分的区域。另外，在本示例的实施方式中，如图7以及图8所示，像素区域35比中央部14B小，由中央部14B覆盖像素区域35。
[0149] 在本示例的实施方式中，作为具体例，将距变换层14的外周为5mm以内的区域内且相对膜厚为90％以下的外周的区域称为“周缘部(周缘部14C)”。因而，如图7以及图8等所示，在周缘部14C中具有变换层14的厚度朝向外周(缘)逐渐变薄的趋势。
[0150] 另外，在本示例的实施方式中，作为变换层14的厚度朝向外周变薄的例子，示例了具有倾斜角度为θ的一定的倾斜且厚度逐渐变薄的方式，但并不限定于该方式，例如可以为厚度呈台阶状变化的方式。
[0151] 另外，上述倾斜角度θ的测定方法未被特别限定，但在本示例的实施方式中，作为一例，在倾斜角度θ的测定方法中，在矩形状的变换层14的一边上的等间隔的四处位置，将变换层14的端部的一部分从TFT基板12剥离而分别作为样本。对四个样本进行研磨而出现剖面之后，利用光学显微镜进行观察，从而进行了测定。将四个样本的测定值的平均值作为制成样本的变换层14的边处的倾斜角度θ。
[0152] 进而，如图6以及图7所示，本示例的实施方式的放射线检测器10的层叠体19还具备粘结层16、粘合层20，在这一点上不同于第1示例的实施方式的层叠体19。在图10中示出示意性地表示本示例的实施方式的粘结层16、粘合层20、以及保护层22的一例的剖面的剖视图。如图10所示，在本示例的实施方式中，作为一例。将保护层22作为层叠有PET膜22A、铝箔膜22B、以及PET膜22C的层叠膜。
[0153] 粘结层16作为一例如图6以及图7所示设置在包含变换层14的周缘部14C的一部分以及中央部14B的整体的区域上。换言之，粘结层16覆盖变换层14的中央部14B以及周缘部14C的一部分。此外，如图9所示，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，变换层14的前端侵入粘结层16。
[0154] 本示例的实施方式的粘结层16是对由变换层14变换后的光进行反射的反射性的粘结层。在本示例的实施方式中，作为粘结层16的一例，使用在粘结性的树脂中分散了无机的白色的粉末得到的白色的粘结层。另外，在本示例的实施方式中，“白色”是指所有波长的可见光被漫反射的状态，在光具有指向性地反射的情况下是指“镜面”。此外，粘结层16等中的反射光的“反射性”是指500nm～550nm的光的反射率的平均值为80％以上的状态。
[0155] 此外，“粘结层”以及“粘合层”为直接相接的层，在本示例的实施方式中是指具有不易将变换层14以及基材18从粘结层16剥离的功能的层。此外，“粘结层”以及“粘合层”是指对于固体的表面具有通过不限定于化学键合的某些力来结合的状态的层。
[0156] 作为粘结性的树脂，例如可列举丙烯酸糊。作为无机的白色的粉末，可列举包含氧化钛(TiO2)、硫酸钡(BaSO4)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、以及氧化钙(CaO)等的至少一种的粉末。作为一例，在本示例的实施方式中，将白色粉末作为填料而分散于透明的糊(树脂)，由此得到白色的粘结层。
[0157] 如图10所示，本示例的实施方式的粘结层16形成于基材18，基材18配置在粘合层20侧，粘结层16配置在变换层14(在图10中省略图示)侧。作为基材18的材料的例子，可列举反射光的反射性的白PET(PolyEthylene Terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。并不限定于本示例的实施方式，基材18可以不具有反射性，具体而言，可以使用不对由变换层14变换后的光进行反射的材料例如透光性的材料，但优选如本示例的实施方式那样使用反射性的材料。在该情况下，由于能够通过基材18反射未完全被粘结层16反射(漏掉)的光，因此作为粘结层16以及基材18的整体，能够提高反射率。
[0158] 另外，白PET是指在PET中添加了TiO2、硫酸钡等的白色颜料。此外，聚酯系高反射片材是具有将薄的聚酯的片材重叠多个的多层构造的片材(薄膜)。此外，发泡白PET是表面成为多孔质的白PET。
[0159] 另外，若将粘结层16以及基材18合在一起的厚度变厚，则粘结层16以及基材18的外周部的上表面与变换层14的上表面之间的高低差变大。若上述高低差大，则将在变换层14粘贴有保护层22的粘结层16粘合于形成有变换层14的TFT基板12的情况下，在该高低差部分有时保护层22会浮起。此外，若将粘结层16以及基材18合在一起的厚度变厚，则可以说成为具有粘度的状态，因此有时沿着变换层14的周缘部14C的倾斜难以弯曲，变得难以加工。另一方面，粘结层16的厚度变得越薄，则反射率越下降。若反射率下降，则由放射线检测器10得到的放射线图像的画质也具有下降的趋势。因而，粘结层16以及基材18的厚度优选从基于由放射线检测器10得到的放射线图像的画质的观点的希望的反射率(例如，80％)和制造以及加工等的观点出发来决定。
[0160] 粘合层20作为一例，如图6以及图7所示覆盖包含从粘结层16的端部到TFT基板12的表面的区域在内的区域，具体而言，覆盖设置有粘结层16的变换层14整体、以及TFT基板12的表面的一部分。换言之，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，对设置有粘结层16的变换层14的整体进行覆盖的粘合层20被直接固定(粘合)于TFT基板12的表面的一部分。
粘合层20具有对于TFT基板12以及变换层14来固定粘结层16以及保护层22的功能。作为粘合层20的材料，例如可列举丙烯酸系粘结剂、热熔系粘结剂、以及硅酮系粘合剂等。作为丙烯酸系粘结剂，例如可列举聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯、以及环氧丙烯酸酯等。
作为热熔系粘结剂，例如可列举EVA(乙烯·乙酸乙烯酯共聚物树脂)、EAA(乙烯和丙烯酸的共聚物树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂)、以及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等的热可塑性塑料。另外，在本示例的实施方式中，粘合层20具有的粘合力比粘结层16具有的粘合力强。
粘合层20具有对于TFT基板12以及变换层14来固定粘结层16以及保护层22的功能。作为粘合层20的材料，例如可列举丙烯酸系粘结剂、热熔系粘结剂、以及硅酮系粘合剂等。作为丙烯酸系粘结剂，例如可列举聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯、以及环氧丙烯酸酯等。
作为热熔系粘结剂，例如可列举EVA(乙烯·乙酸乙烯酯共聚物树脂)、EAA(乙烯和丙烯酸的共聚物树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂)、以及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等的热可塑性塑料。另外，在本示例的实施方式中，粘合层20具有的粘合力比粘结层16具有的粘合力强。
[0161] 作为本示例的实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例，可列举以下的方法。
[0162] 预先将粘结层16涂敷于设为与放射线检测器10相符的希望的大小的基材18。将保护层22涂敷于设为与放射线检测器10相符的希望的大小的粘合层20。然后，使涂敷有粘结层16的基材18和涂敷有粘合层20的保护层22粘贴，由此来准备图10所示的状态的层叠薄膜。在本示例的实施方式中，如图10所示，基材18以及粘结层16比粘合层20以及保护层22小，在基材18以及粘结层16的周围设置有粘合部21。
[0163] 然后，与第1示例的实施方式的放射线检测器10同样地，在形成有变换层14的TFT基板12，将上述层叠薄膜配置为覆盖变换层14的整体的状态，使粘合部21粘贴于TFT基板12，由此对变换层14进行密封，形成层叠体19。
[0164] 而且，对于形成有层叠体19的TFT基板12，粘贴与第1示例的实施方式同样地准备的设置有隔离件46的增强基板40，由此对层叠体19进行密封。然后，通过剥离层52(参照图5)，将TFT基板12从支承体50(参照图5)剥离。
[0165] 这样，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，粘合层20以及保护层22覆盖粘结层16的整体。此外，粘合层20以及保护层22被直接固定在TFT基板12上。
[0166] 为了使由变换层14变换后的光更多地聚集(反射)到TFT基板12，变换层14的周缘部14C上也由具有反射光的功能的粘结层16覆盖，从而在倾斜的周缘部14C具有粘结层16易于从变换层14剥离的趋势。此外，由于TFT基板12的基材11具有可挠性，因此TFT基板12挠曲，从而具有粘结层16易于从变换层14剥离的趋势。相对于此，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，通过上述结构可抑制粘结层16的剥离，因此可抑制变换层14的剥离。
[0167] 此外，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，由于粘结层16具备具有反射光的功能的层、以及具有粘结性的层的两者的功能，因此与将各自设为不同的层的情况相比，能够增厚厚度。因此，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，能够增大粘结力，因此粘结层16变得更难以剥离。
[0168] 此外，关于变换层14与具有反射光的功能的层的间隔，从MTF(Modulation Transfer Function；调制传递函数)、以及DQE(Detective Quantum Efficiency；探测量子效应)的观点出发优选窄。在本示例的实施方式的放射线检测器10中，在变换层14上直接形成了具有反射光的功能的反射性的粘结层16。因而，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，能够进一步缩窄变换层14与具有反射光的功能的层的间隔。因此，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，与在具有反射光的功能的层与变换层之间设置了具有粘结性的层的情况相比，能够在不降低放射线图像的画质的情况下抑制具有反射光的功能的层的剥离。
[0169] 如图7所示，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，也在层叠体19的第1面19A设置有增强基板40。因而，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，也能够抑制TFT基板12较大程度挠曲，能够抑制变换层14被破坏。
[0170] [第3示例的实施方式]
[0171] 接下来，对第3示例的实施方式进行说明。在图11中示出本示例的实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。
[0172] 如图11所示，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，在层叠体19的TFT基板12侧的面即第2面19B设置有增强基板41。在本示例的实施方式的放射线检测器10中，如图11所示，在TFT基板12与增强基板41之间，与上述各示例的实施方式同样地设置有保护膜42。
[0173] 增强基板41与增强基板40同样地，与基材11相比刚性高，相对于在与第1面19B所对置的面垂直的方向施加的力的尺寸变化(变形)，小于相对于在与基材11的第1面19B垂直的方向施加的力的尺寸变化。此外，本示例的实施方式的增强基板41的厚度比基材11的厚度厚且比增强基板40的厚度薄。另外，增强基板41优选具有与增强基板40同样的特性。作为这样的本示例的实施方式的增强基板41的材料，优选为热可塑性的树脂，能够使用与增强基板40同样的材料，但增强基板40和增强基板41可以使用不同的材料。
[0174] 本示例的实施方式的放射线检测器10例如通过与在第1示例的实施方式中上述的放射线检测器10的制造方法同样的制造方法，在设置有层叠体19的TFT基板12粘贴了设置有隔离件46的增强基板40之后，从支承体50剥离TFT基板12。然后，在TFT基板12的第1面19A通过涂敷等设置保护膜42以及增强基板41，由此能够制造本示例的实施方式的放射线检测器10。
[0175] 在本示例的实施方式的放射线检测器10中，在层叠体19的第1面19A设置有增强基板40，在层叠体19的第2面19B设置有增强基板41。因而，与上述各示例的实施方式的放射线检测器10相比，能够进一步地抑制TFT基板12较大程度挠曲，能够抑制变换层14被破坏。
[0176] [第4示例的实施方式]
[0177] 接下来，对第4示例的实施方式进行说明。在图12中示出本示例的实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。
[0178] 如图12所示，本示例的实施方式的放射线检测器10在形成有层叠体19的TFT基板12的第1面12A与粘结层48之间填充有填充材料70。即，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，与第2示例的实施方式的放射线检测器10(参照图7)的不同点在于，在形成有层叠体19的TFT基板12与增强基板40(粘结层48)之间空开的空间填充有填充材料70。
[0179] 填充材料70的材料未被特别限定，能够使用一般的半导体材料的密封材料等。设置填充材料70的方法未被特别限定，例如也可以在层叠有层叠体19的TFT基板12与设置有粘结层48的增强基板40之间(间隙)，注入具有流动性的填充材料70，使填充材料70固化，由此来设置填充材料70。此外，例如也可以在TFT基板12形成有层叠体19的状态，在要填充填充材料70的地方载置具有流动性的填充材料70，在层叠体19以及填充材料70上粘贴设置有隔离件46的增强基板40，由此来设置填充材料70。
[0180] 这样，本示例的实施方式的放射线检测器10将填充材料70填充在层叠体19与增强基板40之间，由填充材料70来支承从变换层14的中央部14B向前(向TFT基板12的端部侧)突出的增强基板40。因而，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，稳定地设置了增强基板40，不易从TFT基板12以及层叠体19剥离。此外，根据本示例的实施方式的放射线检测器10，由于通过增强基板40和填充材料70将层叠体19固定于TFT基板12，因此不易从TFT基板12剥离变换层14。
[0181] 另外，在图12所示的例子中，示出在形成有层叠体19的TFT基板12与增强基板40之间无间隙地填充有填充材料70的方式，但并不限定于图12所示的方式，例如也可以在形成有层叠体19的TFT基板12与增强基板40之间的一部分具有间隙(未填充填充材料70的区域)。
[0182] 在本示例的实施方式的放射线检测器10中，由于在层叠体19的第1面19A设置有增强基板40，因此也与上述各示例的实施方式的放射线检测器10同样地，能够抑制TFT基板12较大程度挠曲，能够抑制变换层14被破坏。
[0183] [第5示例的实施方式]
[0184] 接下来，对第5示例的实施方式进行说明。另外，本示例的实施方式的放射线检测器10的粘结层16的结构、以及设置粘结层16的区域不同于上述第2～第4示例的实施方式，因此参照附图来说明粘结层16的结构、以及设置粘结层16的区域。在图13中示出本示例的实施方式的放射线检测器10的一例的剖视图。此外，在图14中示出示意性地表示本示例的实施方式的粘结层16、以及保护层22的一例的剖面的剖视图。
[0185] 如图13所示，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，粘结层16设置在包含中央部14B以及周缘部14C的变换层14上的整个区域、以及变换层14的外周附近的TFT基板12上的区域。此外，如图13以及图14所示，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，保护层22直接设置在粘结层16上，未设置粘合层20，在这一点上，不同于第2～第4示例的实施方式的放射线检测器10。
[0186] 在本示例的实施方式中，作为粘结层16的一例，使用分散有无机的白色的粉末的、热可塑性的树脂所形成的粘结层。作为该情况下的热可塑性的树脂，能够使用被称作所谓的热熔的树脂，作为具体例，能够使用聚烯烃系、聚酯系、以及EVA等。作为无机的白色的粉末，与在第1～第3示例的实施方式中上述的粘结层16同样地，可列举包含氧化钛(TiO2)、硫酸钡(BaSO4)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、以及氧化钙(CaO)等的至少一种的粉末。
[0187] 如图14所示，作为一例，本示例的实施方式的放射线检测器10中的保护层22，也是将保护层22设为层叠有PET膜22A、铝箔膜22B、以及PET膜22C的层叠膜。
[0188] 作为本示例的实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例，可列举以下的方法。
[0189] 预先准备在设为与放射线检测器10相符的希望的大小的保护层22直接涂敷了粘结层16的结构。另外，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，由于粘结层16也承担保护层22的端部的密封的作用，因此将粘结层16涂敷在保护层22的整个面。另一方面，在TFT基板12上如上述预先形成层叠体19。然后，使涂敷于保护层22的粘结层16粘贴至TFT基板12，由此对变换层14进行密封。
[0190] 在本示例的实施方式的放射线检测器10中，由于粘结层16对变换层14的整体进行覆盖，还对基材11的表面进行覆盖，因此能够对于TFT基板12以及变换层14充分地固定粘结层16。此外，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，粘结层16直接设置于变换层14。因此，在本示例的实施方式的放射线检测器10中，也与上述第2～第4示例的实施方式的放射线检测器10同样地，能够在不降低放射线图像的画质的情况下抑制粘结层16的剥离。
[0191] 如以上说明的那样，上述各示例的实施方式的放射线检测器10具备：TFT基板12，在具有微粒层11L的基材11的与具有微粒层11L的面相反侧的第1面12A的像素区域35，形成有对根据从放射线变换后的光而产生的电荷进行蓄积的多个像素30，基材11为可挠性且为树脂制，微粒层11L包含平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒11P；变换层14，设置在基材11的设置有像素区域35的第1面12A，将放射线变换为光；和设置在层叠有TFT基板12以及变换层14的层叠体19的TFT基板12侧的面即第2面19B上的增强基板41、以及设置在变换层14侧的面即第1面19A的面上的增强基板40的至少一方。
[0192] 在上述各示例的实施方式的放射线检测器10中，由于增强基板40以及增强基板41的至少一方设置在层叠体19，因此能够抑制TFT基板12较大程度挠曲。因此，根据上述各示例的实施方式的放射线检测器10，能够在放射线检测器10单体中抑制变换层14被破坏。
[0193] 另外，放射线检测器10具备增强基板40以及增强基板41的至少一方即可。因而，并不限定于上述各示例的实施方式，放射线检测器10也可以是仅具备增强基板41的结构。
[0194] 此外，增强基板40以及增强基板41的大小也并不限定于上述各示例的实施方式。例如，如图15所示的一例那样，增强基板40以及粘结层48的端部(外周)和保护层22以及粘合层20的端部(外周)也可以为相同的位置。另外，优选通过增强基板40以及增强基板41的至少一方覆盖比变换层14对TFT基板12的第1面12A进行覆盖的区域大的区域。
[0195] 此外，如图16所示的一例那样，优选在基材11与像素30尤其为像素30的TFT32的栅极电极80之间设置有无机材料所形成的层90。在图16所示的一例中，作为该情况下的无机材料，可列举SiNx、SiOx等。TFT32的漏极电极81和源极电极82形成在相同层，在形成有漏极电极81以及源极电极的层与基材11之间形成了栅极电极80。此外，在基材11与栅极电极80之间设置有无机材料所形成的层90。
[0196] 此外，像素阵列31(像素区域35)的大小并不限定于上述各示例的实施方式。例如，在上述第2～第5各示例的实施方式中，说明了像素阵列31(像素区域35)的大小比变换层14的中央部14B的大小还小、且像素阵列31(像素区域35)的外周位于中央部14B内的方式。然而，像素阵列31(像素区域35)并不限定于上述方式，也可以如图17所示的一例的放射线检测器10那样为像素阵列31(像素区域35)的大小比变换层14的中央部14B的大小还大、且像素阵列31(像素区域35)的外周达到变换层14的周缘部14C的方式。另外，由变换层14从放射线变换后的光量具有在变换层14的厚度变薄时减少的趋势，因此与上述各示例的实施方式的放射线检测器10同样地，像素阵列31(像素区域35)的外周位于中央部14B内的方式下的像素阵列31(像素区域35)上的变换层14的厚度变得大致均匀，因此像素区域35的灵敏度特性提高。另一方面，在图17所示的一例的放射线检测器10中，能够减小放射线检测器10整体的大小。
[0197] 此外，在上述各示例的实施方式中，对如图1所示那样像素30呈矩阵状二维排列的形态进行了说明，但并不限于此，例如，可以为一维排列，也可以为蜂窝排列。此外，像素的形状也不被限定，可以为矩形，也可以为六边形等多边形。进而，像素阵列31(像素区域35)的形状也不被限定是不言而喻的。
[0198] 此外，变换层14的形状等也不限定于上述各示例的实施方式。在上述各示例的实施方式中，对变换层14的形状与像素阵列31(像素区域35)的形状同样为矩形状的形态进行了说明，但变换层14的形状也可以不是与像素阵列31(像素区域35)同样的形状。此外，像素阵列31(像素区域35)的形状可以不是矩形状，例如为其他的多边形，也可以为圆形。
[0199] 另外，在上述各示例的实施方式中，作为一例，对放射线检测器10的变换层14为包含CsI的闪烁器的方式进行了说明，但变换层14也可以为GOS等分散于树脂等的粘合剂的闪烁器。使用了GOS的变换层14例如通过在TFT基板12、剥离层等上直接涂敷分散有GOS的粘合剂之后使其干燥、固化，由此形成。作为变换层14的形成方法，例如也可以采用一边控制涂敷膜的厚度一边将涂敷液涂敷在形成变换层14的区域的Gisa法。另外，在该情况下，也可以在涂敷分散有GOS的粘合剂之前，进行用于使像素阵列31的表面活性化的表面处理。此外，也可以在像素阵列31的表面设置层间绝缘膜或表面保护膜。
[0200] 另外，上述各示例的实施方式的放射线检测器10可以应用于从TFT基板12侧照射放射线的ISS方式的放射线图像摄影装置，也可以应用于从变换层14侧照射放射线的PSS方式的放射线图像摄影装置。
[0201] 在图18中，示出在ISS方式的放射线图像摄影装置1应用了第1示例的实施方式的放射线检测器10的状态的一例的剖视图。
[0202] 如图18所示，在壳体120内，放射线检测器10、电源部108以及控制基板110沿着与放射线的入射方向交叉的方向排列设置。放射线检测器10被设置为像素阵列31的未设置变换层14的一侧与被照射透过了被摄体的放射线的壳体120的摄影面120A侧对置。
[0203] 控制基板110是形成有对与从像素阵列31的像素30读出的电荷相应的图像数据进行存储的图像存储器210、对从像素30读出电荷等进行控制的控制部212等的基板，通过包含多个信号布线的柔性线缆112而与像素阵列31的像素30电连接。另外，在图18所示的放射线图像摄影装置1中，设为通过控制部212的控制来对像素30的TFT32的开关状态进行控制的驱动部103、以及生成并输出与从像素30读出的电荷相应的图像数据的信号处理部104被设置在柔性线缆112上的所谓的COF，但也可以是驱动部103以及信号处理部104的至少一方形成于控制基板110。
[0204] 此外，控制基板110通过电源线114而与向形成于控制基板110的图像存储器210、控制部212等供给电源的电源部108连接。
[0205] 壳体120优选为轻量，放射线R尤其是X射线的吸收率低，并且为高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成。作为壳体120的材料，优选使用弯曲弹性模量为10000MPa以上的材料。作为壳体120的材料，能够合适地使用具有20000～60000MPa程度的弯曲弹性模量的碳或者CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastics；碳纤维增强塑料)。
[0206] 在放射线图像摄影装置1所执行的放射线图像的摄影中，在壳体120的摄影面120A施加来自被摄体的载重。在壳体120的刚性不足的情况下，由于来自被摄体的载重而TFT基板12产生挠曲，有可能产生像素30损伤等的不良状况。通过在由具有10000MPa以上的弯曲弹性模量的材料构成的壳体120内部容纳放射线检测器10，能够抑制来自被摄体的载重导致的TFT基板12的挠曲。
[0207] 在图18所示的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在透过了放射线检测器10的放射线射出的一侧，还设置有片材116。作为片材116，例如可列举铜制的片材。铜制的片材不易由于入射放射线而产生2次放射线，由此，具有防止向后方即变换层14侧的散射的功能。另外，片材116优选至少覆盖变换层14的放射线射出的一侧的整个面，此外优选覆盖变换层
14整体。
14整体。
[0208] 此外，在图18所示的放射线图像摄影装置1的壳体120内，在放射线入射的一侧(摄影面120A侧)，还设置有保护层117。作为保护层117，能够应用通过在绝缘性的片材(薄膜)粘合铝箔等而层叠了铝的Alpet(注册商标)的片材、派瑞林(注册商标)膜、以及PET等的绝缘性的片材等的防湿膜。保护层117具有对于像素阵列31的防湿功能以及防带电功能。因而，保护层117优选至少覆盖像素阵列31的放射线入射的一侧的整个面，优选覆盖放射线入射的一侧的TFT基板12的整个面。
[0209] 另外，在图18中，示出将电源部108以及控制基板110双方设置在放射线检测器10的一侧、具体而言矩形状的像素阵列31的一边的侧的方式，但设置电源部108以及控制基板110的位置并不限定于图18所示的方式。例如，可以使电源部108以及控制基板110分散设置在像素阵列31的对置的两边的各个边，也可以分散设置在相邻的两边的各个边。
[0210] 此外，例如，在分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分，厚度可以不同。如图18所示，电源部108以及控制基板110各自比放射线检测器10厚的情况较多。在这种情况下，也可以与分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分的厚度相比，使设置有放射线检测器10的壳体120的部分的厚度更薄(参照图56～图58，后述详情)。另外，这样，在分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分使得厚度不同的情况下，若在两部分的边界部产生高低差，则有可能会给接触边界部的被检者带来不适感等，因此边界部的方式优选设为具有倾斜的状态。
[0211] 此外，例如，在分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分，壳体120的材质可以不同。进而，例如，分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分可以作为分体来构成。
[0212] 此外，在图19中，示出在ISS方式的放射线图像摄影装置1应用了第1示例的实施方式的放射线检测器10的状态的另一例的剖视图。
[0213] 如图19所示，在壳体120内，电源部108以及控制基板110沿着与放射线的入射方向交叉的方向排列设置，放射线检测器10和电源部108以及控制基板110沿着放射线的入射方向排列设置。
[0214] 此外，在图19所示的放射线图像摄影装置1中，在控制基板110以及电源部108与片材116之间，设置有对放射线检测器10以及控制基板110进行支承的基座118。对于基座118，例如使用碳等。
[0215] 除此之外，上述各示例的实施方式中说明过的放射线检测器10等的结构、制造方法等为一例，能够在不脱离本发明主旨的范围内根据状况变更是不言而喻的。
[0216] [其他示例的实施方式]
[0217] 首先，参照图20～图41对增强基板40的其他示例的实施方式进行说明。
[0218] 如图20～图40所示，在变换层14与增强基板40之间，可以设置有粘结层60、反射层62、粘合层64、保护层22以及粘结层48。
[0219] 粘结层60覆盖包括变换层14的中央部14B以及周缘部14C的变换层14的整个表面。粘结层60具有将反射层62固定在变换层14上的功能。粘结层60优选具有透光性。作为粘结层60的材料，例如能够使用丙烯酸系粘结剂、热熔系粘结剂以及硅酮系粘合剂。作为丙烯酸系粘结剂，例如可列举聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯、以及环氧丙烯酸酯等。作为热熔系粘结剂，例如可列举EVA(乙烯·乙酸乙烯酯共聚物树脂)、EAA(乙烯和丙烯酸的共聚物树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物树脂)、以及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等的热可塑性塑料。粘结层60的厚度优选为2μm以上且7μm以下。通过将粘结层60的厚度设为2μm以上，从而能够充分地发挥将反射层62固定在变换层14上的效果。进而，能够抑制在变换层14与反射层62之间形成空气层的风险。若在变换层14与反射层62之间形成空气层，则有可能发生从变换层14发出的光在空气层与变换层14之间以及在空气层与反射层62之间反复反射的多重反射。此外，通过将粘结层60的厚度设为7μm以下，从而能够抑制MTF(Modulation Transfer Function；调制传递函数)以及DQE(Detective Quantum Efficiency；探测量子效应)的下降。
[0220] 反射层62覆盖粘结层60的整个表面。反射层62具有对由变换层14变换后的光进行反射的功能。优选反射层62由有机系材料构成。作为反射层62的材料，例如能够使用白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射片材、以及镜面反射铝等。反射层62的厚度优选为10μm以上且40μm以下。
[0221] 粘合层64覆盖反射层62的整个表面。粘合层64的端部延伸至TFT基板12的表面。即，粘合层64在其端部与TFT基板12粘合。粘合层64具有将反射层62以及保护层22固定在变换层14的功能。作为粘合层64的材料，能够使用与粘结层60的材料相同的材料，但优选粘合层64具有的粘合力比粘结层60具有的粘合力大。
[0222] 保护层22覆盖粘合层64的整个表面。即，保护层22被设置为覆盖变换层14的整体并且其端部覆盖TFT基板12的一部分。保护层22作为防止水分向变换层14的浸入的防湿膜来发挥功能。作为保护层22的材料，例如能够使用包含PET、PPS、OPP、PEN、PI等有机材料的有机膜。此外，作为保护层22，可以使用Alpet(注册商标)的片材。
[0223] 增强基板40经由粘结层48而设置在保护层22的表面。作为粘结层48的材料，例如能够使用与粘结层60以及粘结层48的材料相同的材料。
[0224] 在图20所示的例子中，增强基板40延伸至变换层14的中央部14B以及周缘部14C所对应的区域，增强基板40的外周部折弯成沿着变换层14的周缘部14C中的倾斜的状态。增强基板40在变换层14的中央部14B所对应的区域以及周缘部14C所对应的区域的双方经由粘结层48而粘合于保护层22。在图20所示的例子中，增强基板40的端部配置在变换层14的周缘部14C所对应的区域。
[0225] 如图21所示，增强基板40可以仅设置在变换层14的中央部14B所对应的区域。在该情况下，增强基板40在变换层14的中央部14B所对应的区域中经由粘结层48而粘合于保护层22。
[0226] 如图22所示，在增强基板40延伸至变换层14的中央部14B以及周缘部14C所对应的区域的情况下，增强基板40可以不具有沿着变换层14的外周部中的倾斜的折弯部。在该情况下，增强基板40在变换层14的中央部14B所对应的区域中经由粘结层48而粘合于保护层22。在变换层14的周缘部14C所对应的区域中，在变换层14(保护层22)与增强基板40之间，形成与变换层14的周缘部14C中的倾斜相应的空间。
[0227] 在此，在TFT基板12的外周部的连接区域设置的端子113连接柔性线缆112。TFT基板12经由柔性线缆112而与控制基板(参照控制基板110、图54等)连接。在TFT基板12发生了挠曲的情况下，有可能导致柔性线缆112从TFT基板12剥离或者发生位置偏离。在该情况下，需要重新进行柔性线缆112与TFT基板12的连接的作业。将该重新进行柔性线缆112与TFT基板12的连接的作业称作返工。如图20～图22所示，通过将增强基板40的端部配置在比变换层14的端部更靠内侧，从而与增强基板40延伸至连接区域的附近的情况相比，能够容易地进行返工。
[0228] 如图23～图26所示，增强基板40也可以被设置为其端部配置在比变换层14的端部更靠外侧，并且与延伸至TFT基板12上的粘合层64以及保护层22的端部一致。另外，无需使得增强基板40的端部的位置与粘合层64以及保护层22的端部的位置完全一致。
[0229] 在图23所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14B所对应的区域中经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14C所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22)与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14C中的倾斜相应的空间。
[0230] 在图24所示的例子中，在变换层14的周缘部14C所对应的区域、以及进一步在其外侧的区域，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间设置有填充材料70。填充材料70的材料未被特别限定，例如能够使用树脂。另外，在图24所示的例子中，为了将增强基板40固定于填充材料70，粘结层48设置在增强基板40与填充材料70之间的整个区域。
[0231] 形成填充材料70的方法未被特别限定。例如，也可以在由粘结层60、反射层62、粘合层64以及保护层22覆盖的变换层14上，依次形成了粘结层48以及增强基板40之后，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间，注入具有流动性的填充材料70，并使填充材料70固化。此外，例如，也可以在TFT基板12上依次形成了变换层14、粘结层60、反射层62、粘合层64以及保护层22之后，形成填充材料70，将粘结层48以及增强基板40依次形成为对由粘结层60、反射层62、粘合层64以及保护层22覆盖的变换层14以及填充材料70进行覆盖的状态。
[0232] 这样，通过将填充材料70填充在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间，从而与图23所示的方式相比，能够抑制增强基板40从变换层14(保护层22)剥离。进而，变换层14成为被增强基板40以及填充材料70的双方固定在TFT基板12的构造，因此能够抑制变换层14从TFT基板12剥离。
[0233] 在图25所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14C中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分进行覆盖。此外，增强基板40的端部与粘合层64以及保护层22的端部一致。另外，无需使得增强基板40的端部的位置与粘合层64以及保护层22的端部的位置完全一致。
[0234] 增强基板40、粘结层48、保护层22以及粘合层64的端部被密封构件72密封。密封构件72优选设置在从TFT基板12的表面到增强基板40的表面的区域、且不覆盖像素区域35的区域。作为密封构件72的材料，能够使用树脂，尤其优选热可塑性树脂。具体而言，能够将丙烯酸糊、以及聚氨酯系的糊等用作密封构件72。增强基板40与保护层22相比刚性高，在增强基板40的折弯部作用要消除折弯的恢复力，由此保护层22有可能剥离。通过由密封构件72密封增强基板40、粘结层48、保护层22以及粘合层64的端部，从而能够抑制保护层22的剥离。
[0235] 在图26所示的例子中，与图24所示的方式同样地，在变换层14的周缘部14C所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间的空间设置有填充材料70。此外，在变换层14的端部所对应的区域，在增强基板40的表面进一步经由粘结层48A而层叠有另一增强基板40A。更具体而言，增强基板40A设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A也可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层14的端部，TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
[0236] 如图23～图26所示，在被设置为增强基板40的端部配置在比变换层14的端部更靠外侧且与粘合层64以及保护层22的端部一致的情况下，与增强基板40延伸至连接区域的附近的情况相比，也能够容易地进行返工。
[0237] 此外，如图27～图30所示，增强基板40也可以被设置为其端部位于比延伸至TFT基板12上的粘合层64以及保护层22的端部更靠外侧、且比TFT基板12的端部更靠内侧。
[0238] 在图27所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14B所对应的区域，经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14C所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14C中的倾斜相应的空间。
[0239] 在图28所示的例子中，增强基板40的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与TFT基板12的第2面12A连接，隔离件46的另一端经由粘合层47而与增强基板40的端部连接。通过由隔离件46支承在与TFT基板12之间形成空间并且延伸的增强基板40的端部，从而能够抑制增强基板40的剥离。此外，能够使增强基板40带来的挠曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。另外，也可以取代设置隔离件46或者在设置隔离件46的基础上，还仿效图24所示的例子，将填充材料填充在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板
12与增强基板40之间的空间。
12与增强基板40之间的空间。
[0240] 在图29所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14C中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分以及其外侧的TFT基板12上进行覆盖。即，粘合层64以及保护层22的端部被增强基板40密封。增强基板40的延伸至TFT基板12上的部分经由粘结层48而粘合于TFT基板12。这样，通过由增强基板40覆盖粘合层64以及保护层22的端部，从而能够抑制保护层22的剥离。另外，也可以仿效图25所记载的例子，利用密封构件72来密封增强基板40的端部。
[0241] 在图30所示的例子中，在增强基板40的端部被隔离件46支承的方式中，在增强基板40的表面的与变换层14的端部对应的区域，进一步经由粘结层48A而层叠有另一增强基板40A。更具体而言，增强基板40A设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。另外，也可以取代设置隔离件46，而仿效图24所示的例子，将填充材料70填充在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间。
[0242] 如图31～图35所示，增强基板40也可以被设置为其端部与TFT基板12的端部一致。另外，无需使得增强基板40的端部的位置与TFT基板12的端部的位置完全一致。
[0243] 在图31所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14B所对应的区域，经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14C所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14C中的倾斜相应的空间。
[0244] 在图32所示的例子中，增强基板40的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与在TFT基板12的端部设置的柔性线缆112连接，隔离件46的另一端经由粘合层47而与增强基板40的端部连接。通过由隔离件46支承在与TFT基板12之间形成空间且延伸的增强基板40的端部，从而能够抑制增强基板40的剥离。此外，能够使增强基板40带来的挠曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。
[0245] 在图33所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间，填充有填充材料70。在本示例的实施方式中，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖。这样，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间填充有填充材料70，从而与图31所示的方式相比，能够抑制增强基板40从变换层14(保护层22)的剥离。进而，变换层14成为被增强基板40以及填充材料70的双方固定在TFT基板12的构造，因此能够抑制变换层14从TFT基板
12的剥离。此外，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。
12的剥离。此外，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。
[0246] 在图34所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14C中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分、其外侧的基板上、以及端子113和柔性线缆112的连接部进行覆盖。增强基板40的延伸至TFT基板12上以及柔性线缆112上的部分分别经由粘结层48而粘合于TFT基板12以及柔性线缆112。柔性线缆112和端子113的连接部被挠曲增强基板40覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。此外，由于假定在柔性线缆112的另一端连接搭载了电子部件的控制基板，因此在柔性线缆112和端子113的连接部有可能在TFT基板12发生比较大的挠曲。柔性线缆112和端子113的连接部被增强基板40覆盖，从而能够抑制该部分中的TFT基板12的挠曲。
[0247] 在图35所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间填充有填充材料70。此外，在变换层14的端部所对应的区域，在增强基板40的表面，进一步经由粘结层48A而层叠有另一挠曲增强基板40A。更具体而言，增强基板40A设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层14的端部，TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
[0248] 此外，如图36～图40所示，增强基板40也可以被设置为其端部位于比TFT基板12的端部更靠外侧。
[0249] 在图36所示的例子中，增强基板40在变换层14的中央部14B所对应的区域，经由粘结层48而粘合于保护层22，在变换层14的周缘部14C所对应的区域，以及进一步在其外侧的区域，在变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间，形成有与变换层14的周缘部14C中的倾斜相应的空间。
[0250] 在图37所示的例子中，增强基板40的端部被隔离件46支承。即，隔离件46的一端与在TFT基板12的端部设置的柔性线缆112连接，隔离件46的另一端经由粘合层47而与增强基板40的端部连接。通过由隔离件46支承在与TFT基板12之间形成空间且延伸的增强基板40的端部，从而能够抑制增强基板40的剥离。此外，能够使增强基板40带来的挠曲抑制效果作用至TFT基板12的端部附近。
[0251] 在图38所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间，填充有填充材料70。在本示例的实施方式中，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖。这样，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间填充有填充材料70，从而与图36所示的方式相比，能够抑制增强基板40从变换层14(保护层22)的剥离。进而，变换层14成为被增强基板40以及填充材料70的双方固定在TFT基板12的构造，因此能够抑制变换层14从TFT基板
12的剥离。此外，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。
12的剥离。此外，柔性线缆112和端子113的连接部被填充材料70覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。
[0252] 在图39所示的例子中，增强基板40的外周部以沿着变换层14的周缘部14C中的倾斜的方式折弯，并且还对粘合层64以及保护层22覆盖在TFT基板12上的部分、其外侧的基板上、以及端子113和柔性线缆112的连接部进行覆盖。增强基板40的延伸至TFT基板12上以及柔性线缆112上的部分分别经由粘结层48而粘合于TFT基板12以及柔性线缆112。柔性线缆112和端子113的连接部被增强基板40覆盖，从而能够抑制柔性线缆112的剥离。此外，由于假定在柔性线缆112的另一端连接搭载了电子部件的控制基板，因此在柔性线缆112和端子
113的连接部有可能在TFT基板12发生比较大的挠曲。柔性线缆112和端子113的连接部被增强基板40覆盖，从而能够抑制该部分中的TFT基板12的挠曲。
113的连接部有可能在TFT基板12发生比较大的挠曲。柔性线缆112和端子113的连接部被增强基板40覆盖，从而能够抑制该部分中的TFT基板12的挠曲。
[0253] 在图40所示的例子中，在形成于变换层14(保护层22)与增强基板40之间、以及TFT基板12与增强基板40之间的空间，填充有填充材料70。此外，在变换层14的端部所对应的区域，在增强基板40的表面，进一步经由粘结层48A而层叠有另一增强基板40A。更具体而言，增强基板40A设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。增强基板40A可以由与增强基板40相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层14的端部，TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板40以及40A构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
[0254] 如上述，在放射线检测器10的制造工序中，在玻璃基板等的支承体50隔着剥离层52贴附具有可挠性的TFT基板12，并在TFT基板12上层叠了变换层14之后，将支承体50从TFT基板12剥离。此时，在具有可挠性的TFT基板12发生挠曲，由此形成在TFT基板12上的像素30有可能损伤。在将支承体50从TFT基板12剥离之前，预先以如图20～图40所示例的那样的方式在变换层14上层叠增强基板40，从而能够抑制在将支承体50从TFT基板12剥离时发生的TFT基板12的挠曲，能够降低像素30损伤的风险。
[0255] 此外，增强基板40并不限于单一的层(单层)，也可以由多层来构成。例如，在图41所示的例子中，放射线检测器10示出增强基板40设为从接近变换层14的一方依次层叠有第1增强基板40B、第2增强基板40C、以及第3增强基板40D的3层的多层膜的方式。
[0256] 在将增强基板40设为多层的情况下，优选增强基板40中包含的各层具有不同的功能。例如，在图41所示的一例中，也可以将第1增强基板40B以及第3增强基板40D设为具有非导电性的防带电功能的层，将第2增强基板40C设为导电性的层，由此使增强基板40具有电磁屏蔽功能。作为该情况下的第1增强基板40B以及第3增强基板40D，例如可列举使用了防带电涂料“Colcoat”(商品名：Colcoat公司制)的膜等的防带电膜。此外，作为第2增强基板40C，例如可列举导电性片材、Cu等的导电性的网眼片材等。
[0257] 例如，在放射线检测器10的读取方式为ISS方式的情况下，有时在变换层14侧设置控制基板110、电源部108等(参照图59)，但在这样增强基板40具有防带电功能的情况下，能够屏蔽来自控制基板110、电源部108的电磁噪声。
[0258] 此外，图42是表示增强基板40的构造的一例的俯视图。增强基板40可以在其主面具有多个贯通孔40H。贯通孔40H的大小以及间距被规定为可在增强基板40中得到希望的刚性。
[0259] 增强基板40通过具有多个贯通孔40H，从而能够使导入至增强基板40和变换层14的接合面的空气从贯通孔40H排出。由此，能够抑制增强基板40和变换层14的接合面处的气泡的产生。
[0260] 不存在使导入至增强基板40和变换层3的接合面的空气排出的单元的情况下，有可能会在上述接合面产生气泡。例如，若由于放射线图像摄影装置1工作时的热而使得在上述接合面产生的气泡膨胀，则增强基板40和变换层14的密接性下降。由此，有可能导致未充分发挥增强基板40带来的挠曲抑制效果。如图42所示，通过利用具有多个贯通孔50A的增强基板40，从而如上述那样能够抑制增强基板40和变换层14的接合面处的气泡的产生，因此能够维持增强基板40和变换层14的密接性，能够维持增强基板40带来的挠曲抑制效果。
[0261] 图43是表示增强基板40的构造的另一例的立体图。在图43所示的例子中，增强基板40在与变换层14的接合面具有凹凸构造。该凹凸构造如图43所示也可以构成为包含相互平行配置的多个沟槽63。增强基板40例如像图44所示，具有基于多个沟槽63的凹凸构造的面与被反射层62覆盖的变换层14接合。这样，增强基板40通过在与变换层14的接合面具有凹凸构造，从而能够使导入至增强基板40和变换层14的接合部的空气从沟槽63排出。由此，与图42所示的方式同样地，能够抑制增强基板40和变换层14的接合面处的气泡的产生。由此，能够维持增强基板40和变换层14的密接性，能够维持增强基板40带来的挠曲抑制效果。
[0262] 图45以及图46分别是表示增强基板40的构造的另一例的俯视图。如图45以及图46所示，增强基板40可以被分断为多个断片54。增强基板40如图45所示可以被分断为多个断片54(图545～5411)在一个方向上排列。此外，增强基板40如图46所示也可以被分断为多个断片54(图541～544)在纵向以及横向上排列。
[0263] 增强基板40的面积越大，越容易在增强基板40和变换层14的接合面产生气泡。如图45以及图46所示，通过将增强基板40分断为多个断片54，从而能够抑制增强基板40和变换层14的接合面处的气泡的产生。由此，能够维持增强基板40和变换层14的密接性，能够维持增强基板40带来的挠曲抑制效果。
[0264] 此外，也可以在增强基板41的与和TFT基板12(第2面19B)相接的一侧相反的一侧设置增强构件53。图47～图51分别是表示增强构件53的设置方式的例子的剖视图。
[0265] 在图47～图51所示的例子中，在增强基板41的与TFT基板12侧的面相反侧的面，经由粘合层51而层叠有增强构件53。增强构件53可以由与增强基板40相同的材料构成。在将放射线检测器10作为ISS方式来利用的情况下，为了尽量减小增强构件53和像素区域35重叠的部分的面积，优选增强构件53仅设置在TFT基板12的外周部。即，增强构件53如图47～图51所示可以是在与像素区域35对应的部分具有开口61的环状。这样，通过在TFT基板12的外周部形成由增强基板41以及增强构件53构成的层叠构造，从而能够增强比较容易发生挠曲的TFT基板12的外周部的刚性。
[0266] 在图47～图49所示的例子中，增强构件53设置在跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的区域。在放射线检测器10中，在变换层14的端部，TFT基板12的挠曲量比较大。在变换层14的端部所对应的区域，通过形成由增强基板41以及增强构件53构成的层叠构造，从而能够促进对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果。
[0267] 在将放射线检测器10作为ISS方式来利用的情况下，如图47所示，增强构件53的一部分与像素区域35重叠的情况下，由于增强构件53的材质，有可能会给图像带来影响。因此，在增强构件53的一部分与像素区域35重叠的情况下，作为增强构件53的材料优选使用塑料。
[0268] 如图48以及图49所示，增强构件53跨越变换层14的端部(外缘、边缘)且不与像素区域35重叠的方式(即，增强构件53的开口61的端部配置在像素区域35的外侧的方式)最优选。在图48所示的例子中，增强构件53的开口61的端部的位置和像素区域35的端部的位置大体一致。在图49所示的例子中，增强构件53的开口61的端部配置在像素区域35的端部与变换层14的端部之间。
[0269] 此外，增强构件53的开口61的端部的位置如图50所示可以与变换层14的端部的位置大体一致，此外，如图51所示也可以配置在比变换层14的端部更靠外侧。在该情况下，由于增强构件53成为跨越变换层14的端部(外缘、边缘)的构造，因此对变换层14的端部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果有可能下降。然而，在柔性线缆112和端子113的连接部存在的TFT基板12的外周部，形成由增强基板41以及增强构件53构成的层叠构造，因此对柔性线缆112和端子113的连接部处的TFT基板12的挠曲进行抑制的效果被维持。
[0270] 此外，在上述各示例的实施方式的放射线检测器10中，对TFT基板12(基材11)和增强基板41的大小相同的方式进行了说明，但TFT基板12和增强基板41的大小可以不同。
[0271] 例如，在将放射线检测器10应用于放射线图像摄影装置1的情况下，有时将放射线检测器10固定于收纳放射线检测器10的壳体120(参照图7等)等来利用。在这种情况下，例如，如图52A所示的一例那样，可以将增强基板41设得比TFT基板12大，设置片状物等，利用片状物等的部分来进行放射线检测器10的固定。例如，也可以设为如下的方式，即，在增强基板41的片状物部分设置孔，利用将孔进行贯通的螺钉而与壳体120(参照图7等)固定。
[0272] 另外，使增强基板41比TFT基板12大的方式并不限定于图52A所示的方式。也可以设为如下的方式，即，由层叠的多个层来构成增强基板41，使一部分的层比TFT基板12大。例如，如图52B所示，也可以将增强基板41设为具有与TFT基板12(基材11)相同程度的大小的第1层41A、以及比TFT基板12大的第2层41B的2层构造。第1层41A和第2层41B通过双面胶、粘结层等(省略图示)粘贴。作为第1层41A，例如优选由与上述的增强基板41同样的材质形成，具有与增强基板41同样的性质。此外，第2层41B通过双面胶、粘结层等(省略图示)粘贴于基材11的第2面19B。作为第2层41B，例如能够应用Alpet(注册商标)。此外，在由多个层来构成增强基板41的情况下，与图52B所示的方式相反地，如图52C所示可以设为使第1层41A粘贴于基材11的第2面19B的方式。
[0273] 如上述，在利用设置于增强基板41的片状物等将放射线检测器10固定至壳体120(参照图7等)等的情况下，有时以使片状物部分弯曲的状态来进行固定。厚度越薄，增强基板41的片状物部分越容易弯曲，不给放射线检测器10主体带来影响，能够仅使片状物部分弯曲。因而，在使片状物部分等弯曲的情况下，如图52B以及图52C所示的一例那样，优选设为由层叠的多个层来构成增强基板41，使一部分的层比TFT基板12大的方式。
[0274] 此外，如图53所示的例子那样，可以与上述图52A～图52C的放射线检测器10相反地使增强基板41比TFT基板12小。通过TFT基板12的端部位于比增强基板41的端部更靠外部，从而例如在进行将放射线检测器10收纳于壳体120(参照图7等)等组装的情况下，容易确认TFT基板12的端部的位置，因此能够提高定位的精度。另外，并不限定于图53所示的方式，只要TFT基板12(基材11)的端部的至少一部分位于比增强基板41更靠外部就可获得同样的效果，因此优选。
[0275] 进而，参照图54～图60对在壳体120内容纳了放射线检测器10的放射线图像摄影装置1的例子进行说明。图54～图60分别是表示放射线图像摄影装置1的其他结构例的图。
[0276] 在图54所示的例子中，与上述图18所示的放射线图像摄影装置1同样地表示ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。此外，在图55所示的例子中，表示PSS方式的放射线图像摄影装置1的一例。在图54以及图55所示的例子中，示例出放射线检测器10、控制基板110、以及电源部108在图中横向地并排设置的结构。
[0277] 此外，在图54以及图55所示的例子中，在放射线检测器10与壳体120的摄影面120A的内壁之间，还设置有保护层117。换言之，在放射线R入射的一侧即摄影面120A侧还设置有保护层117。作为保护层117，能够应用通过在绝缘性的片材(薄膜)粘合铝箔等而层叠了铝的Alpet(注册商标)的片材、派瑞林(注册商标)膜、以及聚对苯二甲酸乙二醇酯等的绝缘性的片材等的防湿膜。保护层117具有对于像素区域35的防湿功能以及防带电功能。因而，保护层117优选至少覆盖像素区域35的放射线R入射的一侧的整个面，优选覆盖放射线R入射的一侧的TFT基板12的整个面。
[0278] 另外，在图54以及图55中，示出将电源部108以及控制基板110双方设置在放射线检测器10的一侧、具体为矩形状的像素区域35的一边的一侧的方式，但设置电源部108以及控制基板110的位置并不限定于图54以及图55所示的方式。例如，可以使电源部108以及控制基板110分散设置在像素区域35的对置的两边的各个边，也可以分散设置在相邻的两边的各个边。
[0279] 此外，如图54以及图55所示的例子那样，在与层叠有TFT基板12以及变换层14的方向(层叠方向P)交叉的方向上并排设置放射线检测器10、控制基板110、以及电源部108的情况下，在分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分，壳体120的厚度可以不同。
[0280] 如上述，如图55所示的例子那样，电源部108以及控制基板110各自比放射线检测器10厚的情况较多。在这种情况下，如图56所示的例子那样，也可以与分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分的厚度相比，设置有放射线检测器10的壳体120的部分的厚度更薄。另外，这样，在分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分使得厚度不同的情况下，若在两部分的边界部产生高低差，则有可能会给接触边界部120B的被检者带来不适感等，因此边界部120B的方式优选设为具有倾斜的状态。
[0281] 由此，能够构成与放射线检测器10的厚度相应的极薄型的便携式电子卡带。
[0282] 此外，例如，在该情况下，在分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分，壳体120的材质可以不同。进而，例如，分别设置有电源部108以及控制基板110的壳体120的部分、和设置有放射线检测器10的壳体120的部分可以作为分体来构成。
[0283] 此外，如上述，壳体120优选放射线R尤其为X射线的吸收率低、且为高刚性，优选由弹性模量充分高的材料构成，但也可如图57所示的例子那样，关于壳体120的摄影面120A所对应的部分120C，放射线R的吸收率低、且为高刚性，由弹性模量充分高的材料构成，关于其他部分，由与部分120C不同的材料构成，例如由弹性模量比部分120C低的材料构成。
[0284] 此外，如图58所示的例子那样，放射线检测器10和壳体120的内壁面可以相接。在该情况下，放射线检测器10和壳体120的内壁面可以经由粘合层来粘合，也可以不经由粘合层而仅仅简单接触。这样，放射线检测器10和壳体120的内壁面相接，从而可进一步确保放射线检测器10的刚性。
[0285] 此外，在图59所示的例子中，与上述图19所示的放射线图像摄影装置1同样地表示ISS方式的放射线图像摄影装置1的一例。此外，在图60所示的例子中，表示PSS方式的放射线图像摄影装置1的一例。在图59以及图60所示的例子中，夹着片材116以及基座118而设置有TFT基板12和控制基板110以及电源部108。根据该结构，与放射线检测器10、控制基板110以及电源部108在图中横向地并排设置的情况(参照图54～图58)相比，能够减小放射线图像摄影装置1的俯视下的尺寸。
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