用于等离子体处理的发弧检测设备
专利汇可以提供用于等离子体处理的发弧检测设备专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本文所公开的实施方式大致涉及一种 等离子体 处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测 电路 和数据记录系统。探针 定位 为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟 信号 并且输出按比例缩放在 模拟信号 中呈现的事件的 输出信号 。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成 跟踪 内部空间中发生的发弧事件。，下面是用于等离子体处理的发弧检测设备专利的具体信息内容。
1.一种发弧检测设备，包含：
探针，所述探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间；
检测电路，所述检测电路配置成：
从所述探针接收模拟信号，所述模拟信号来源于在所述内部空间中的等离子体电位；
基于检测所述模拟信号的第一下降，确定已发生发弧事件，其中所述第一下降具有第一持续时间和第一幅度；并且
基于所检测的所述模拟信号的所述第一下降输出输出信号，其中
所述输出信号具有第二持续时间，所述第二持续时间大于所述第一持续时间，并且所述第一持续时间小于100微秒而所述第二持续时间大于100微秒；和数据记录系统，所述数据记录系统与所述检测电路通信，所述数据记录系统配置成检测大于100微秒的输入信号和从所述检测电路接收所述输出信号。
2.如权利要求1所述的发弧检测设备，其中所述检测电路可操作以将来自所述探针的所述模拟信号转换成数字信号。
3.如权利要求1所述的发弧检测设备，其中所述检测电路进一步配置成过滤所述模拟信号。
4.一种等离子体处理腔室，包含：
腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；
底座组件，布置于所述内部空间中，所述底座组件配置成支撑基板；
喷头，布置于所述内部空间中而在所述底座组件上方，所述喷头配置成在所述内部空间中产生等离子体；和
发弧检测设备，包含：
探针，所述探针部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间；
检测电路，所述检测电路包含：
第一运算放大器，所述第一运算放大器具有第一输入和第二输入，其中所述第一输入连接至模拟信号，
所述第二输入经由第一电阻器连接至所述模拟信号，其中接地电容器在所述第一电阻器与所述第二输入之间连接到所述第二输入，
所述检测电路配置成：
从所述探针接收所述模拟信号，所述模拟信号来源于在所述内部空间中的等离子体电位；
基于利用所述第一运算放大器检测所述模拟信号的第一下降，确定已发生发弧事件，其中所述第一下降具有第一持续时间和第一幅度；并且
基于所检测的所述模拟信号的所述第一下降输出输出信号，其中所述输出信号具有第二持续时间，所述第二持续时间大于所述第一持续时间。
5.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述检测电路可操作以将来自所述探针的所述模拟信号转换成数字信号。
6.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述检测电路包含：
电路，所述电路配置成从所述探针接收输入，并且产生待传输至数据记录系统的输出。
7.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述第一持续时间小于100微秒而所述第二持续时间大于100微秒。
8.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述发弧检测设备进一步包含：
控制器，所述控制器与所述发弧检测设备通信，所述控制器配置成响应于来自所述检测电路的所述输出信号的所述输出，停止所述等离子体处理腔室。
9.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述检测电路进一步配置成过滤所述模拟信号。
10.一种用于在等离子体处理腔室中检测发弧事件的方法，包含以下步骤：
将模拟信号从探针传输至检测电路，所述探针定位为部分地在所述处理腔室的内部空间中，所述模拟信号来源于在所述内部空间中的等离子体电位；
基于检测所述模拟信号的第一下降，通过所述检测电路确定在所述内部空间中发生发弧事件，其中所述第一下降具有第一持续时间和第一幅度；
响应于确定已发生所述发弧事件，通过所述检测电路输出输出信号，其中所述输出信号具有第二持续时间，所述第二持续时间大于所述第一持续时间，并且所述第一持续时间小于100微秒而所述第二持续时间大于100微秒；和通过数据记录系统从所述检测电路接收所述输出信号，其中所述数据记录系统配置成检测大于100微秒的输入信号。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述输出信号是数字信号。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述检测电路过滤由所述探针传输的所述模拟信号。
用于等离子体处理的发弧检测设备
附图说明
具体实施方式
可由数据记录系统124读取的形式可以是具有由具有大于100微秒的持续时间的信号部分表现的发弧事件的模拟输出信号。
100微秒的持续时间。因此，检测电路122的输出信号是数字化并且按比例缩放的信号，而通过电路200的输出204传输至数据记录系统124。
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