振荡器电路
专利汇可以提供振荡器电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 振荡器 电路 。振荡器电路包括第一 运算 放大器 、第一NMOS管、第一 电阻 、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一电容、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第一比较器。利用本发明提供的振荡器电路可以通过调节放电 电流 来调节振荡 频率 。，下面是振荡器电路专利的具体信息内容。
1.振荡器电路，其特征在于：包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一电容、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第一比较器；
所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接所述第一电阻的一端和所述第一运算放大器的负输入端；所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第一电容的一端和所述第一比较器的正输入端和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述第一比较器的正输入端和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极，另一端接地；所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管的源极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和接所述第三PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第六NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一比较器的正输入端，源极接所述第五NMOS管的漏极；所述第五NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端和所述第七NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的源极，源极接地；所述第六NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一比较器的正输入端，源极接所述第七NMOS管的漏极；所述第七NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端和所述第五NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第六NMOS管的源极，源极接地；所述第八NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极和所述第一比较器的正输入端，源极接所述第九NMOS管的漏极；所述第九NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端和所述第五NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的源极，源极接地；所述第一比较器的正输入端接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极，负输入端接基准电压VREF2，输出端接所述第五NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT。
振荡器电路
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
102的源极和所述第一电阻103的一端，输出端接所述第一NMOS管102的栅极；所述第一NMOS管102的栅极接所述第一运算放大器101的输出端，漏极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二PMOS管105的漏极和所述第三PMOS管106的栅极，源极接所述第一电阻103的一端和所述第一运算放大器101的负输入端；所述第一电阻103的一端接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一NMOS管102的源极，另一端接地；所述第一PMOS管104的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管102的漏极和所述第二PMOS管105的栅极和所述第三PMOS管106的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管105的栅极接所述第一NMOS管102的漏极和所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第三PMOS管106的栅极，漏极接所述第一电容107的一端和所述第一比较器116的正输入端和所述第四NMOS管110的漏极和所述第六NMOS管112的漏极和所述第八NMOS管114的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管106的栅极接所述第二PMOS管105的栅极和所述第一NMOS管102的漏极和所述第一PMOS管104的栅极和漏极，漏极接所述第二NMOS管108的栅极和漏极和所述第四NMOS管110的栅极和所述第六NMOS管112的栅极和所述第八NMOS管114的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电容
107的一端接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一比较器116的正输入端和所述第四NMOS管110的漏极和所述第六NMOS管112的漏极和所述第八NMOS管114的漏极，另一端接地；所述第二NMOS管108的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管106的漏极和所述第四NMOS管
110的栅极和所述第六NMOS管112的栅极和所述第八NMOS管114的栅极，源极接所述第三NMOS管109的漏极；所述第三NMOS管109的栅极和漏极接在一起再接所述第二NMOS管108的源极，源极接地；所述第四NMOS管110的栅极接所述第二NMOS管108的栅极和漏极和接所述第三PMOS管106的漏极和所述第六NMOS管112的栅极和所述第八NMOS管114的栅极，漏极接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一电容107的一端和所述第六NMOS管112的漏极和所述第八NMOS管114的漏极和所述第一比较器116的正输入端，源极接所述第五NMOS管111的漏极；所述第五NMOS管111的栅极接所述第一比较器116的输出端和所述第七NMOS管113的栅极和所述第九NMOS管114的栅极，漏极接所述第四NMOS管110的源极，源极接地； 所述第六NMOS管112的栅极接所述第二NMOS管108的栅极和漏极和接所述第三PMOS管106的漏极和所述第四NMOS管110的栅极和所述第八NMOS管114的栅极，漏极接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一电容107的一端和所述第四NMOS管110的漏极和所述第八NMOS管114的漏极和所述第一比较器116的正输入端，源极接所述第七NMOS管113的漏极；所述第七NMOS管113的栅极接所述第一比较器116的输出端和所述第五NMOS管111的栅极和所述第九NMOS管114的栅极，漏极接所述第六NMOS管112的源极，源极接地；所述第八NMOS管114的栅极接所述第二NMOS管108的栅极和漏极和接所述第三PMOS管106的漏极和所述第四NMOS管110的栅极和所述第六NMOS管112的栅极，漏极接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一电容107的一端和所述第四NMOS管110的漏极和所述第六NMOS管112的漏极和所述第一比较器116的正输入端，源极接所述第九NMOS管115的漏极；所述第九NMOS管115的栅极接所述第一比较器116的输出端和所述第五NMOS管111的栅极和所述第七NMOS管113的栅极，漏极接所述第八NMOS管
114的源极，源极接地；所述第一比较器116的正输入端接所述第二PMOS管105的漏极和所述第一电容107的一端和所述第四NMOS管110的漏极和所述第六NMOS管112的漏极和所述第八NMOS管114的漏极，负输入端接基准电压VREF2，输出端接所述第五NMOS管111的栅极和所述第七NMOS管113的栅极和所述第九NMOS管115的栅极并作为振荡器的输出端OSCOUT。
104镜像给所述第二PMOS管105的电流I1和所述第三PMOS管106的电流I2，电流I1是对所述第一电容107进行充电，电流I2再通过所述第二NMOS管108镜像给所述第四NMOS管110的电流I4和所述第六NMOS管112的电流I5和所述第八NMOS管114的电流I6；当所述第五NMOS管
111和所述第七NMOS管113和所述第九NMOS管115导通时，对应的电流I4、I5、I6对所述第一电容107进行放电；当所述第一电容107上的电压上升到基准电压VREF2时，所述第一比较器
116输出为高，控制所述第五NMOS管111、所述第七NMOS管113和所述第九NMOS管115导通，这时对所述第一电容107进行放电，放电的时间决定于电流I4、I5和I6总和；所述第一比较器
116的正输入端电压低于基准电压VREF2时，所述第一比较器116翻转为低电平，接着下一个周期；为了得到需要的振荡信号的频率，通过调节电流I4、I5和I6合在一起的电流大小对所述第一电容107进行放电；可以通过调节电流I4、I5和I6的倍数关系使得电流之和更能接近要得到的大小。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种焦耳级三波长可调谐单频脉冲激光器 | 2020-05-08 | 415 |
| 电子元件与电路板的连接方法、电路板组件及电子设备 | 2020-05-08 | 941 |
| 一种根管治疗用牙髓抽取装置 | 2020-05-11 | 500 |
| 扩展温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法及装置 | 2020-05-11 | 376 |
| 芯片与效能监控方法 | 2020-05-08 | 266 |
| 一种微波光子雷达实现方法及系统 | 2020-05-08 | 554 |
| 一种基于可调狭缝的波长可调谐掺铒光纤锁模激光振荡器 | 2020-05-08 | 302 |
| 用于产生变换器的互补驱动信号的方法及振荡器 | 2020-05-08 | 463 |
| 用于测量装置的动态传感器 | 2020-05-08 | 337 |
| 粉煤灰砖窑专用除尘装置 | 2020-05-08 | 813 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
