Memory circuit
专利汇可以提供Memory circuit专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To realize the operation with low power consumption by forming the input part to control the memory cell with the transistor plus plural units of diodes, and at the same time to secure the independent on-off control with the array of the matrix form. CONSTITUTION:The memory circuit consists of control input part 1 comprising transistor T1, resistance R1 plus diodes D1-D3 and memory cell 2(output terminal Q) comprising PNPN switch (transistor T2, T3), resistance R2 and level shift diode D4 respectively. The functional operation of the memory circuit is based on truth value table 50. If the input of ME, x and y all ''1'', the current is supplied to the base of T1 via R1 to carry out the writing into cell 2. In this case, if the input of DATD is ''0'', cell 2 is turned off. And no writing into cell 2 is performed as long as either one input of ME, x and y is ''0'', thus the previous state being held. If the input of y, in particular, is ''0'', the power consumption shows zero at input part 1.，下面是Memory circuit专利的具体信息内容。
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