一种温度系数可调的张驰振荡器
专利汇可以提供一种温度系数可调的张驰振荡器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种 温度 系数可调的张驰 振荡器 ，包括基准 电压 产生 电路 BGP、稳压电源电路LDO和振荡器电路OSC，所述基准电压产生电路BGP连接稳压电源电路LDO，稳压电源电路LDO连接振荡器电路，基准电压产生电路BGP包括电压比较器A0、 电阻 器 R1和晶体管V1，振荡器电路OSC包括 放大器 A1、晶体管V2‑V6、比较器CM1和CM2、 电流 源I1‑I3、电容C1和C2、与非 门 U1和U2，本实用新型在原来的 基础 上可对每一个芯片的温度系数进行单独修调，解决了张弛振荡器在应用于高频设计时，延时在 频率 中的占比越来越大，并且延时受温度及工艺的影响，导致片与片之间的温度系数相差较大的问题，从而提高芯片的良率。，下面是一种温度系数可调的张驰振荡器专利的具体信息内容。
1.一种温度系数可调的张驰振荡器，包括基准电压产生电路BGP、稳压电源电路LDO和振荡器电路OSC，其特征在于，所述基准电压产生电路BGP连接稳压电源电路LDO，稳压电源电路LDO连接振荡器电路，LDO电路包括电压比较器A0、电阻串R1和晶体管V1，振荡器电路OSC包括放大器A1、比较器CM1和CM2，电流源I1,I2和I3,电阻R2,晶体管V1,V2,V3,V4,V5,V6，电容C1和C2，与非门U1和U2，电压放大器A0的正向端连接基准电压产生电路BGP的输出端，电压放大器A0的反向端连接电阻串R1，电压比较器A0的输出端连接晶体管V1的栅极，晶体管V1的源极连接电源，晶体管V1的漏极连接电阻串R1并输出电压VLDO，电阻串R1还分别输出信号VREF1和VREF2，信号VREF1连接放大器A1的正向端，放大器A1的反向端连接电阻R2和晶体管V2的源极，比较器A1的输出端连接晶体管V2的栅极，晶体管V2的漏极通过电流源I1连接电压VLDO，电压VLDO还通过电流源I2和I3连接晶体管V3和晶体管V5，晶体管V3和V4的漏端还连接比较器CM1的反向端和电容C1，比较器CM1的正向端连接比较器CM2的正向端并同VREF1连接，比较器CM2的反向端连接电容C2和晶体管V5和V6的漏端，比较器CM1的输出端连接与非门U1的一个输入端，比较器CM2的输出端连接与非门U2的一个输入端，与非门U1的输出端Q1连接与非门U2的另一个输入端和V3及V4的栅端，与非门U2的输出端Q2连接与非门U1的另一个输入端和非门U3的输入端及V5及V6的栅端，非门U3的输出端连接电平转换电路。
2.根据权利要求1所述的一种温度系数可调的张驰振荡器，其特征在于，所述电压VLDO的额定值为2.4V。
一种温度系数可调的张驰振荡器
技术领域
背景技术
通过正温度系数和负温度系数的电阻按一定的比例可以组成一个温度系数较小的电阻，从而实现较低的温度系数，这种方法的优点是不一定需要一个高精度的VREF。这两种方案都没有考虑延时及工艺随温度变化对频率的影响，输出频率越来越高，电路延时占比越来越大，并且电路中的比较器的工作状态及其他电路都会受电压、温度及工艺的影响，从而影响频率的精度。本专利在基本张驰振荡器的结构上提出了一种新的温度修调方案，可根据每一颗芯片的具体情况进行修调，提高了输出频率精度及产品良率。
实用新型内容
具体实施方式
度系数上。R2由正温度系数电阻和负温度系数电阻按比例串联得到一个正温度系数电阻或者由单个低温度系数电阻。附图3、4、5为在0.18um工艺上设计，输出频率20MHz的张驰振荡器的仿真数据。附图3就表示只有I2时频率随温度变化情况,频率的最大变化范围为-
0.82％到0.14％之间，而有些工艺角变化在-0.4％右，可看出其频率随温度升高而升高，需要引入负温度系数电流。附图4就表示增加I3后频率随温度变化情况，其变化范围为-
0.42％到0之间，可看出频率随温度变化大概减小一半，并且成抛物线，在0到50度范围内只变化0.08％。可以看出引入I3后可以大大改善频率的温度特性。
N根据TC0_TC4高低电位的不同为1到31的整数。可看出最小引入的修调电流由A的路数多少控制，而引入的总电流由TC0_TC4修调端控制。根据频率公式此时输出频率的温度特性只与电容C1和电阻R2有关，但是由于延时及工艺的变化，而延时及工艺都受温度的影响，故频率的温度特性不跟完全随电容C1和电阻R2。这时就可以根据需要引入I3。R3为正温度系数的电阻，R4为负温度系数的电阻，当频率随电源电压身高时，SelR为高R4接入，产生一个负温度系数的电流 I3反之接入R3,产生一个正温度系数的电流 根据
频率随电源电压变化情况调整TC0-TC4的电平，当TC0-TC4都为0时，I3为 最大为I3＝IA，每一步的增量为 该修调的特点是由于R2已经是具有较小的温度系数电阻或者为正温度系数电阻和负温度系数电阻的组合实现一个较小的温度系数电阻，在此基础上引入对频率温度系数进行再次修调的电流I3，而I3的最大值及最小值都可调。图3为没有I3的情况下的温度系数，其频率随温度升高而升高，并且每一个工艺角下的变化程度不一样。
要对此进行温度补偿，必须引入非常小且为负温度系数电流。为达到此目的，SelR端为低，R3接入，R4短接。小的温度系数电流通过电流镜来实现，可以根据实际需要来设定电流镜A部分的路数，R3、R4及VREF2已经定了的情况下，路数越多，电流镜A中每一路流过的电流越小，即每一步引入的温度系数也更小，本专利设计值为32，需要引入多大的电流可通过TC0-TC4修调端口来实现，图5是经过修调后频率的温度特性，可看出频率随温度变化明显变小。
因此本电路结构可以实现对每一颗芯片频率的温度特性进行单独修调，减小了频率的温度系数，提高了产品良率。
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