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无机聚合物隔膜等离子增强 化学气相沉积系统组态

阅读：200发布：2020-05-14

专利汇可以提供无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开提供无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，直线式相对的设置，中间用一自动交换区将相对设置的系统隔离呈两的部份；该异质结太阳能电池等离子增强化学气相沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第一反应室、第二反应室、第二承载室、第三反应室、第四反应室及卸载区，呈直线且相对组态设置，此设置可形成一个整体组态完成异质结太阳能电池硅衬底正面及反面的薄膜沉积，此种设置对于未来产能扩充具有极大的弹性，只要将自动交换区加长，即可在设置相同的一个完整的组态。在上述无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态整体设制成直线型，自动交换区内设置正压式惰性气体循环系统，无需再另行设置洁净度高的区域来防止环境的污染，有效降低生产成本。，下面是无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态专利的具体信息内容。

权利要求

1.无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，直线式相对的设置，中间用一自动交换区将相对设置的系统隔离呈两的部份；该异质结太阳能电池等离子增强化学气相沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第一反应室、第二反应室、第二承载室、第三反应室、第四反应室及卸载区。
2.根据权利要求第 1 项所叙述之无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，其中该自动交换区设置惰性气体循环系统。
3.根据权利要求第 1 项所叙述之无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，加载区、自动交换区、第一承载室、第一反应室、第二反应室、第二承载室、第三反应室、第四反应室及卸载区，完成第一区域的组态；以此组态可再控展为第二区域。

说明书全文

无机聚合物隔膜等离子增强 化学气相沉积系统组态

技术领域

[0001] 本发明涉及无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，特别涉及无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统。

背景技术

[0002] 无机聚合物镀膜产业中 , 多以静态射频等离子体作为镀膜平台，在许多工业中具有重要的应用，包括有机发光二极管（OLED），锂离子电池（锂离子电池），光伏电池和其他电子设备，特别是柔性电子设备。如AlOx，SiNx和SiOx。使用射频（rf）激发的PECVD工艺由于其在制造高质量致密材料方面的成功证明而在工业中广泛使用。包括有机材料的聚合物材料可以使用各种方法制造。它也可以使用基于等离子体的聚合方法制备（H.Yasuda，1981，J.of Polymer Science：Macromolecular Reviews，Vol 16，Issue 1，第199-293页）。
传统的静态镀膜平台一次只能执行一种膜系的制备，若要增大量产则会使用丛集的模式，此举会增加硬件成本支出且无法实现高效的产出。上述问题都亟待一新的系统组态来适应此种无机聚合物隔膜的开发。

发明内容

[0003] 本发明主要目的系提供无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，来实现以直线式连续镀膜系统备制无机聚合物隔膜，从而实现高效产量。

[0004] 为了达成上述目的，本发明的技术方案是提供无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，直线式相对的设置，中间用一自动交换区将相对设置的系统隔离呈两的部份；该异质结太阳能电池等离子增强化学气相沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第一反应室、第二反应室、第二承载室、第三反应室、第四反应室及卸载区，其中特点是：所述之等离子增强化学气相沉积系统组态呈直线且相对组态设置，其中自动交换区设置正压式惰性气体循环系统；
所述之等离子增强化学气相沉积系统组态第一承载室、多个镀膜反应室构成硅片正面薄膜沉积的功用；
所述之等离子增强化学气相沉积系统组态第二承载室、多个镀膜反应室构成硅片反面薄膜沉积的功用；
所述之等离子增强化学气相沉积系统组态呈直线且相对组态设置，此设置可形成一个整体组态完成异质结太阳能电池硅衬底正面及反面的薄膜沉积，此种设置对于未来产能扩充具有极大的弹性，只要将自动交换区加长，即可在设置相同的一个完整的组态；
在上述无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态整体设置成直线型，自动交换区内设置正压式惰性气体循环系统，无需再另行设置洁净度高的区域来防止环境的污染，有效降低生产成本。
附图说明

[0005] 通过下面结合附图对其示例性实施的描述，本发明以上特征的优点将会变得更加清楚和容易理解。

[0006] 图 1 系为本发明示意图。

[0007] 主要组件符号说明100．．．系统组态。

[0008] 101．．．第一区域。

[0009] 102．．．第一承载室。

[0010] 103．．．第一反应室。

[0011] 104．．．第二反应室。

[0012] 105．．．第二承载室。

[0013] 106．．．第三反应室。

[0014] 107．．．第四反应室。

[0015] 108．．．自动交换区。

[0016] 109．．．隔离阀门。

[0017] 110．．．加载区。

[0018] 111．．．卸载区。

具体实施方式

[0019] 为使方便简捷了解本发明之其他特征内容与优点及其所达成之功效能够为显现，兹将本发明配合附图，详细说明如下：请参阅图 1，本发明之主要目的系无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态，该等离子增强化学气相沉积系统组态呈直线且相对组态设置，包括依序连接的加载区 110、自动交换区 108 和卸载区 111 构成的衬底载入、交换不同的沉积系统及移载的部份；其中所述之第一承载室 102、第一反应室 103、第二反应室 104 构成上半部；其中所述之第二承载室 105、第三反应室 106、第四反应室 107 构成下半部。

[0020] 同时，所述之无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态整体完成第一区域的基本组态，此基本组态可完成硅衬底正面及反面的薄膜沉积。

[0021] 在无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态沉积过程中，硅衬底首先由加载区 110 传送到自动交换区 108，再透过隔离阀门 109 进入第一承载室 102 进行预处理，包括对硅衬底进行抽真空及加热的动作；再通过隔离阀门 109 进入第一反应室 103 进行真空反应；再通过隔离阀门 109 进入第二反应室 104 进行真空反应，所述之真空反应也就是在真空一定压腔下由高频电源解离由喷头进入的反应气体而产生等离子体进行薄膜沉积，如此及完成硅衬底正面的薄膜沉积，硅衬底再透过隔离阀门 109 进入第一反应室 103 及第一承载室 102 回传至自动交换区 108 ；再由自动交换区 108 透过隔离阀门 119 传送到第二承载室 105 进行预处理，包括对硅衬底进行抽真空及加热的动作；再通过隔离阀门 109 进入第三反应室 106 进行真空反应；再通过隔离阀门 109 进入第四反应室 107 进行真空反应，如此及完成硅衬底反面的薄膜沉积，硅衬底再透过隔离阀门 109 进入第三反应室 106 及第二承载室 105 回传至自动交换区 104 ；之后传送至卸载区 111 进行卸载。在上述无机聚合物隔膜等离子增强化学气相沉积系统组态沉积中，硅衬底完成正面薄膜沉积后被传回自动交换区 108 后，在传到系统下半部沉积薄膜前，会在自动交换区 108 内完成硅衬底的翻面动作，因此在传入下半部时即可完成硅衬底的反面薄膜沉积，同时，因为自动交换区 108 内为充入惰性气体循环可有效防止硅衬底移载出真空系统被环境污染表面的问题，提升薄膜沉积的品质。

[0022] 上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施例的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施例或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

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