一种太阳电池及其制备方法
专利汇可以提供一种太阳电池及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种太阳 电池 及其制备方法，该太阳电池包括玻璃衬底（1），在衬底上依次 叠加 的n+/p+型a-Si：H发射层（2）、p-/n-型多晶Si吸收层（3）和p+/n+型a-Si：H被表面场（4）；p-/n-型多晶Si吸收层（3）和p+/n+型a-Si：H被表面场（4） 覆盖 n+/p+型a-Si：H发射层（2）部分表面，留有发射槽（5）。该太阳电池具有廉价玻璃衬底， 能量 转化率高，制备工艺简单， 薄膜 厚度进一步降低，适于大规模商业化生产和应用。，下面是一种太阳电池及其制备方法专利的具体信息内容。
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1.一种太阳电池，其特征在于：包括衬底，在所述衬底上依次叠加n/ p 型a-Si：H发- - + + - -
射层（2）、p/ n 型多晶Si吸收层（3）和p/ n 型a-Si：H被表面场（4）；p/ n 型多晶Si吸+ + + +
收层（3）和p/ n 型a-Si：H被表面场（4）覆盖n/ p 型a-Si：H发射层（2）部分表面，留有发射槽（5）。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：所述衬底为玻璃衬底（1）。
3.权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）玻璃制绒；
2）势垒层和减反层的沉积；
3）a-Si层的沉积；
4）多晶硅薄膜的制备，利用电子束蒸发晶化a-Si层得到多晶硅薄膜，或者利用PEVCD（等离子增强化学气相沉积）在覆盖了势垒层的玻璃衬底上直接沉积多晶硅薄膜；
5）快速热退火或激光退火以及氢钝化；
6）光学限制，利用PEVCD和铝诱导技术等在上表面沉积背表面电场层，并在沉积过程中进行原位掺杂；
7）电学限制；利用光刻、网丝印刷、电子束蒸发以及电子镀等制备出具有欧姆接触的前后电极
8）钝化。
一种太阳电池及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
5）快速热退火或激光退火以及氢钝化，快速退火或激光退火能大量减少晶界密度和空间电荷区的缺陷，而氢钝化能非常有效地钝化各种晶界表面缺陷和体缺陷!以获得更高质量的多晶硅薄膜。
无需透明导电膜 ，有效的陷光技术可使多晶硅薄膜尽可能薄；
2、制备工艺非常简单；
3、能进一步发展成更大的主动矩阵显示屏；
4、电池性能提升得到大幅提升，能量转换效率高，可达12%～13%，适于大规模商业应用。
附图说明
具体实施方式
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p/ n 型多晶Si吸收层3和p/ n 型a-Si：H被表面场4覆盖n/ p 型a-Si：H发射层2部分表面，留有发射槽5。
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