专利汇可以提供一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种防反灌 电流 MOS管驱动电源产生 电路 ,包括 二极管 D1、二极管D2、电容C1、电容C2,所述二极管D2的 阳极 接于充电器/电源的电源VD,所述二极管D2的 阴极 与所述二极管D1的阳极连接,所述二极管D1的阴极与驱动电路连接,所述电容C1的一端连接于充电器/电源的正极输出端。本发明的有益效果是:采用简单的电路产生驱动电源,成本较低,占用面积较小,方便PCB的布局。,下面是一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路专利的具体信息内容。
1.一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路,其特征在于:包括二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2,所述二极管D2的阳极接于充电器/电源的电源VD,所述二极管D2的阴极与所述二极管D1的阳极连接,所述二极管D1的阴极与驱动电路连接,所述电容C1的一端连接于充电器/电源的正极输出端,充电器/电源的正极输出端的电压为Vo,所述电容C1的另一端连接于所述二极管D1的阴极、驱动电路之间,所述电容C2的一端连接于充电器/电源的某节点,所述节点的电压为Vn,所述电容C2的另一端连接于所述二极管D2的阴极、二极管D1的阳极之间,电容C1两端的电压即是所需的驱动电压,电容C1负责存储电荷,保证此驱动电压的稳定,此驱动电压能够产生的前提,是要在充电器/电源内部找到一个节点n,其电压Vn在Vo和0之间来回跳变,或者是介于Vo和0之间的某个电压,当Vn为0或者是Vn介于Vo和0之间的某个电压时,电源VD通过二极管D2给电容C2充电,二极管D1反向截止,当Vn变为Vo以后,电容C2两端电压高于电容C1两端电压,二极管D1导通给电容C1充电,二极管D2反向截止。
2.根据权利要求1所述的防反灌电流MOS管驱动电源产生电路,其特征在于:所述防反器件为防反二极管或者MOS管。
3.根据权利要求1所述的防反灌电流MOS管驱动电源产生电路,其特征在于:所述充电器/电源的输出级为boost电路,所述boost电路包括MOS管S和二极管D,所述节点n选在MOS管S和二极管D的连接点,当MOS管S导通以后,Vn=0,电源VD通过二极管D2给电容C2充电,当MOS管S关闭,二极管D导通以后,Vn=Vo,二极管D2反向截止,二极管D1导通给电容C1充电。
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