有机发光二极管显示面板及其制造方法
阅读：1027发布：2020-07-09
专利汇可以提供有机发光二极管显示面板及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了一种 有机发光 二极管 显示面板 及其制造方法。有机 发光二极管 显示面板包括：上 基板 ；有机发光装置，面对上基板并向上基板发射光；以及光提取层，设置在上基板和有机发光装置之间并向上基板的外侧出射光，光提取层包括第一光学层和第二光学层，第一光学层和第二光学层均具有 聚合物 网络 液晶 并具有不同的光学性质。第一光学层中的聚合物网络液晶的光学性质不同于第二光学层中的聚合物网络液晶的光学性质。，下面是有机发光二极管显示面板及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述有机发光二极管显示面板包括：
上基板；
有机发光装置，面对所述上基板并被构造为向所述上基板发射光；以及光提取层，设置在所述上基板和所述有机发光装置之间，并被构造为向所述上基板的外侧发射光，所述光提取层包括均具有聚合物网络液晶的第一光学层和第二光学层，其中，所述第一光学层中的所述聚合物网络液晶的光学性质不同于所述第二光学层中的所述聚合物网络液晶的光学性质，
其中，所述第一光学层具有第一折射率，所述第二光学层具有第二折射率，所述第一折射率与所述第二折射率之间的差值在1.4至2的范围内。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二折射率大于所述第一折射率。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二光学层的所述聚合物网络液晶包括切变聚合物网络液晶。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二光学层包括凸透镜结构。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一光学层具有第一雾度，所述第二光学层具有不同于所述第一雾度的第二雾度。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二光学层包括取向的聚合物网络液晶。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二雾度小于所述第一雾度。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一光学层和所述第二光学层在基本上垂直于所述有机发光二极管显示面板的厚度方向的方向上彼此相邻。
9.一种制造有机发光二极管显示面板的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
形成下基板，所述下基板包括第一区域和第二区域；
在所述下基板上形成有机发光装置；
在所述有机发光装置上设置聚合物网络液晶；
在所述第二区域中形成第二光学层，所述第二光学层包括所述聚合物网络液晶；以及改变所述聚合物网络液晶的光学性质，以在所述第一区域中形成第一光学层，其中，所述第一光学层具有第一折射率，所述第二光学层具有第二折射率，所述第一折射率与所述第二折射率之间的差值在1.4至2的范围内。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述第一光学层的步骤包括将所述第一区域的所述聚合物网络液晶固化，以形成切变聚合物网络液晶。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，将所述聚合物网络液晶固化的步骤包括将紫外光辐射到所述第一区域的所述聚合物网络液晶。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，辐射所述紫外光的步骤包括用阴影遮蔽所述第二区域。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述聚合物网络液晶上设置上基板，所述上基板包括面对所述第二区域的黑矩阵，
其中，利用所述黑矩阵执行用阴影遮蔽所述第二区域的步骤。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，用阴影遮蔽所述第二区域的步骤包括：
在所述聚合物网络液晶上对准包括光阻挡材料的曝光掩模以面对所述第二区域；
利用所述曝光掩模对所述聚合物网络液晶进行曝光；以及
去除所述曝光掩模。
15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述紫外光的强度随着与所述第一区域的中心部分的距离的增大而降低。
16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述第一光学层的步骤包括在所述第一区域中形成取向的聚合物网络液晶，形成所述取向的聚合物网络液晶的步骤包括：
将电场施加到面对所述第一区域的所述聚合物网络液晶；以及
将紫外光辐射到至少所述第一区域上。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述聚合物网络液晶下方形成相对电极，其中，施加所述电场的步骤包括：
在所述聚合物网络液晶上对准取向基板，其中，所述取向基板包括与所述相对电极相对的取向电极；以及
将电压分别施加到所述取向电极和所述相对电极，以将所述电场施加到所述聚合物网络液晶。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
去除所述取向基板；以及
在所述第一光学层和所述第二光学层上设置上基板。
19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述聚合物网络液晶下方形成相对电极；
形成包括面对所述相对电极的取向电极的上基板；以及
在所述聚合物网络液晶上设置所述上基板，
其中，施加所述电场的步骤包括将电压分别施加到所述取向电极和所述相对电极，以将所述电场施加到所述聚合物网络液晶。
有机发光二极管显示面板及其制造方法
技术领域
背景技术
[0003] 通常，有机发光二极管显示面板包括显示面板和驱动器，显示面板包括像素，驱动器用于控制显示面板。每个像素包括有机发光装置。有机发光装置包括用于发射光的有机发光层和用于将驱动电压施加到有机发光层的电极。
[0004] 在此背景技术部分公开的上述信息仅为了增强对本发明的背景的理解，因此，上述信息可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
[0005] 本发明的示例性实施例提供了一种具有提高的光透射效率的有机发光二极管显示面板。
[0006] 本发明的示例性实施例还提供了一种制造该有机发光二极管显示面板的方法。
[0007] 将在下面的描述中阐述本发明的另外的特征，另外的特征部分地将通过该描述变得明显，或另外的特征可以通过本发明的实践而获知。
[0008] 本发明的示例性实施例公开了一种有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板包括：上基板；有机发光装置，面对上基板并向上基板发射光；以及光提取层，设置在上基板和有机发光装置之间。光提取层包括第一光学层和第二光学层，第一光学层和第二光学层均具有聚合物网络液晶并且均具有不同的光学性质，光提取层向上基板的外侧出射光。第一光学层中的聚合物网络液晶的光学性质不同于第二光学层中的聚合物网络液晶的光学性质。
[0009] 本发明的示例性实施例还公开了一种制造有机发光二极管显示面板的方法，所述方法包括：形成包括第一区域和第二区域的下基板；在下基板上形成有机发光装置；在有机发光装置上提供聚合物网络液晶；在第二区域中形成包括聚合物网络液晶的第二光学层；以及处理聚合物网络液晶，从而改变聚合物网络液晶的光学性质，以在第一区域中形成第一光学层。
[0012] 图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管显示装置的框图。
[0013] 图2是图1中示出的像素的等效电路图。
[0014] 图3是图1中示出的显示面板的剖视图。
[0015] 图4是示出聚合物网络液晶的视图。
[0016] 图5是示出制造切变聚合物网络液晶的方法的视图。
[0017] 图6是根据本发明的另一示例性实施例的显示面板的剖视图。
[0018] 图7是示出制造取向的聚合物网络液晶的方法的视图。
[0020] 图9是根据本发明的另一示例性实施例的显示面板的剖视图。
[0021] 图10是根据本发明的另一示例性实施例的显示面板的剖视图。
[0022] 图11是示出根据视角的色坐标变化的模拟结果的曲线图，其示出了对比例和根据本发明的示例性实施例的显示面板。
[0023] 图12A、图12B、图12C、图12D和图12E是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示面板的方法的剖视图。
[0024] 图13A和图13B是示出根据本发明的另一示例性实施例的制造显示面板的方法的剖视图。
[0025] 图14A、图14B和图14C是示出根据本发明的另一示例性实施例的制造显示面板的方法的部分的剖视图。
[0026] 图15A和图15B是示出根据本发明的另一示例性实施例的制造显示面板的方法的剖视图。
具体实施方式
[0027] 在下文中参照附图更加充分地描述本发明，在附图中示出本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并不应被解释为限于这里阐述的示例性实施例。而是，提供这些示例性实施例使得本公开是彻底的，并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰性起见，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。
[0028] 将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上，直接连接或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”，“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。同样的附图标记始终指示同样的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意和所有组合。将理解的是，为了本公开的目的，可以将“X、Y和Z中的至少一者(个)”解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两项或更多项的任意组合(例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。
[0029] 将理解的是，虽然术语第一、第二等在这里可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0030] 为了便于描述，这里可以使用空间相对术语(诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等)来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“之下”或“下方”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外地定向(旋转90度或在其他方位上)，并相应地解释这里使用的空间相对描述语。
[0031] 这里所使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，而不意图成为本发明的限制。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个”、“一种”、“该”和“所述”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0032] 除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确这样定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或过于形式化的含义来解释它们。
[0033] 在下文中，将参照附图详细解释本发明。
[0034] 参照图1，有机发光二极管显示装置1000包括：显示面板400，用于显示图像；栅极驱动器200和数据驱动器300，用于驱动显示面板400；以及时序控制器100，用于控制栅极驱动器200和数据驱动器300。
[0035] 时序控制器100接收来自有机发光二极管显示装置1000的外部的图像信号RGB和控制信号CS。时序控制器100将图像信号RGB的数据格式转换为适合于数据驱动器300和时序控制器100之间的接口的数据格式以产生图像数据DATA，并将图像数据DATA发送到数据驱动器300。另外，时序控制器100基于控制信号CS产生数据控制信号DCS(例如，输出开始信号、水平开始信号等)和栅极控制信号GCS(例如，垂直开始信号、垂直时钟信号、垂直时钟反转信号等)。数据控制信号DCS被发送到数据驱动器300，栅极控制信号GCS被发送到栅极驱动器200。
[0036] 栅极驱动器200响应于从时序控制器100提供的栅极控制信号GCS顺序地输出栅极信号。
[0037] 数据驱动器300响应于从时序控制器100提供的数据控制信号DCS将图像数据DATA转换为数据电压，并将数据电压施加到显示面板400。
[0038] 显示面板400包括栅极线GL1至GLn、数据线DL1至DLm和像素PX11至PXnm。像素PX11至PXnm均连接到栅极线GL1至GLn中对应的栅极线和数据线DL1至DLm中对应的数据线。
[0039] 栅极线GL1至GLn在第一方向D1上延伸并在与第一方向D1交叉的第二方向D2上布置。数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn绝缘，同时与栅极线GL1至GLn交叉。数据线DL1至DLm在第二方向D2上延伸，并在第一方向D1上布置。
[0040] 显示面板400接收第一源电压ELVDD和第二源电压ELVSS。像素PX11至PXnm中的每个响应于栅极信号中相应的一个而开启。像素PX11至PXnm中的每个接收第一源电压ELVDD和第二源电压ELVSS，并响应于数据信号中相应的一个而产生光。第一源电压ELVDD高于第二源电压ELVSS。
[0041] 像素PX11至PXnm中的每个包括至少一个晶体管、至少一个电容器和有机发光装置。
[0042] 图2是连接到栅极线GL1至GLn中的第i栅极线GLi和数据线DL1至DLm中的第j数据线DLj的像素PXij的等效电路图。像素PXij包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、电容器Cap和有机发光装置OL。第一晶体管TR1包括连接到第i栅极线GLi的第一栅电极GE1、连接到第j数据线DLj的第一源电极SE1以及第一漏电极DE1。第一晶体管TR1响应于施加到第i栅极线的栅极信号输出施加到第j数据线DLj的数据信号。
[0043] 电容器Cap包括连接到第一晶体管TR1的第一电极和供应有第一源电压ELVDD的第二电极。电容器Cap被充有电荷，所述电荷与对应于来自第一晶体管TR1的数据信号的电压和第一源电压ELVDD之间的差对应。
[0044] 第二晶体管TR2包括连接到第一晶体管TR1的第一漏电极DE1和电容器Cap的第一电极的第二栅电极GE2、供应有第一源电压ELVDD的第二源电极SE2以及第二漏电极DE2。第二漏电极DE2连接到有机发光装置OL。
[0045] 第二晶体管TR2响应于充在电容器Cap中的电荷的量控制流过有机发光装置OL的驱动电流。第二晶体管TR2的导通时间段由充在电容器Cap中的电荷的量来确定。第二晶体管TR2将电平比第一源电压ELVDD的电平低的电压施加到有机发光装置OL。
[0046] 有机发光装置OL在第二晶体管TR2的导通时间段期间发光。从有机发光装置OL发射的光具有根据有机发光装置OL的材料来确定的颜色。例如，从有机发光装置OL发射的光的颜色可以为红色、绿色、蓝色或白色。
[0047] 图3是像素PXij和显示面板400的剖视图。
[0048] 显示面板400包括下基板410、面对下基板410的上基板420和光提取层430。显示面板400包括显示区域DA和非显示区域NDA。上基板420包括上基体基板423、滤色器422和黑矩阵421。
[0049] 上基体基板423用作上基板420的基体并包括具有高透光率的玻璃或塑料材料。
[0050] 滤色器422设置在与显示区域DA对应的位置处。滤色器422可以是红色、绿色或蓝色滤色器。
[0051] 黑矩阵421设置在与非显示区域NDA对应的位置处，并阻挡向其行进的光。黑矩阵421包括光阻挡材料以阻挡光。
[0052] 下基板410包括下基体基板411、绝缘层412、像素限定层413、第二晶体管TR2和有机发光装置OL。下基体基板411用作下基板410的基体，并且包括具有高透光率的玻璃或塑料材料。
[0054] 第二栅电极GE2设置在下基体基板411上。半导体层AL设置在第二栅电极GE2上，而栅极绝缘层GI设置在半导体层AL和第二栅电极GE2之间。栅极绝缘层GI将半导体层AL与第二栅电极GE2电绝缘。第二源电极SE2与半导体层AL接触，第二漏电极DE2与第二源电极SE2分隔开并与半导体层AL接触。
[0055] 绝缘层412设置在第二晶体管TR2上。绝缘层412包括无机和/或有机材料。接触孔形成在绝缘层412中，以暴露第二漏电极DE2的部分。
[0056] 有机发光装置OL包括第一电极OE1、第二电极OE2和发光层EL。第一电极OE1设置在绝缘层412上，并通过接触孔电连接到第二漏电极DE2。
[0057] 像素限定层413设置在下基体基板411上以与非显示区域NDA对应。像素限定层413覆盖第一电极OE1的设置在非显示区域NDA中的部分。开口形成在像素限定层413中，以暴露第一电极OE1的至少一部分。第一电极OE1接收来自第二漏电极DE2的第一源电压ELVDD。
[0058] 发光层EL设置在第一电极OE1和像素限定层413的至少一部分上。发光层EL通过开口与第一电极OE1相接触。发光层EL可以由包含主体和掺杂剂的各种发光物质形成。可以使用荧光掺杂剂和磷光掺杂剂作为所述掺杂剂。例如，作为主体，可以使用Alq3、CBP(4,4'-N,N'-二咔唑-联苯)，但不应局限于此或受此限制。
[0059] 第二电极OE2设置在发光层EL和像素限定层413上方。第二电极OE2覆盖发光层EL并接触发光层EL。第二电极OE2接收第二源电压ELVSS。
[0060] 与第一源电压ELVDD和第二源电压ELVSS之间的电势差对应的电场形成在发光层EL中。发光层EL响应于该电场向上基板420发射光。
[0061] 光提取层430设置在上基板420和第二电极OE2之间。光提取层430包括第一光学层431和第二光学层432，并且通过第一光学层431和第二光学层432向上基板420引导光。
[0062] 第一光学层431包括聚合物网络液晶PNLC(例如，普通的聚合物网络液晶)(参照图4)，第二光学层432包括切变聚合物网络液晶S-PNLC(参照图5)。
[0063] 在下文中，将参照图4和图5详细描述聚合物网络液晶PNLC和切变聚合物网络液晶S-PNLC。
[0064] 图4是示出聚合物网络液晶的视图，图5是示出制造切变聚合物网络液晶的方法的视图。
[0065] 参照图4，聚合物网络液晶PNLC包括聚合物PM和液晶LM。聚合物PM以网络布置分布在液晶LM之间。
[0066] 通过向聚合物网络液晶PNLC辐射紫外线UV并使聚合物PM固化来形成切变聚合物网络液晶S-PNLC。更详细地讲，每个聚合物PM响应于紫外线UV的强度与与其相邻的聚合物PM交联。这被称为“交联”或“固化”反应。
[0067] 切变聚合物网络液晶S-PNLC具有与交联度成比例的折射率。例如，当聚合物PM的折射率大时，切变聚合物网络液晶S-PNLC的折射率随着交联度变得更高而变得更大。切变聚合物网络液晶S-PNLC的折射率大于聚合物网络液晶PNLC的折射率。
[0068] 参照图3，第二光学层432具有透镜结构，例如，该透镜结构可以是凸透镜结构，但不限与此。
[0069] 显示面板400包括：第一区域OA1，包括显示区域DA；和第二区域OA2，围绕第一区域OA1。第二光学层432可以设置在第二电极OE2上以与第一区域OA1对应，但第二光学层432的位置不需要局限于此。即，第一区域OA1和第二光学层432的位置可以关于显示区域DA和非显示区域NDA而变化。例如，第一区域OA1可以被限定在显示区域DA内部。因此，第二光学层432可以仅设置在显示区域DA中。另外，第一区域OA1可以被限定为与显示区域DA匹配。因此，显示区域DA的边界可以与第二光学层432的凸透镜结构的边界匹配。
[0070] 第一光学层431设置在邻近并围绕第二光学层432的位置处。更详细地讲，第一光学层431设置在第二电极OE2和上基板420之间，以与第二区域OA2对应。另外，第一光学层431设置在第二光学层432的凸透镜结构的上表面和第一区域OA1中的上基板420之间。因此，第一光学层431和第二光学层432之间的边界面具有向上基板420凸的表面，以对应于凸透镜结构。
[0071] 第一光学层431的第一折射率不同于第二光学层432的第二折射率。第一光学层431和第二光学层432分别包括聚合物网络液晶PNLC和切变聚合物网络液晶S-PNLC，并且切变聚合物网络液晶S-PNLC具有比聚合物网络液晶PNLC的折射率大的折射率。因此，第二折射率大于第一折射率，并且差值在大约1.4至大约2的范围内。
[0072] 从有机发光装置OL发射的光沿各种方向行进。在从有机发光装置OL发射的所有光中，行进到黑矩阵421的侧面光SL被黑矩阵421阻挡，从而降低了显示面板400的光透射效率。然而，根据本示例性实施例，因为第二光学层432具有凸透镜结构，并且第二折射率大于第一折射率，所以光提取层430改变了侧面光SL的光路，使得侧面光SL行进到与显示区域DA对应的上基板420并通过上基板420出射到上基板420的外侧。换言之，光提取层430利用凸透镜结构将从有机发光装置OL发射的光中向侧面行进的光会聚到显示区域DA，从而提高了显示面板400的光透射效率。
[0073] 更详细地讲，侧面光SL从有机发光装置OL发射并沿相对于第一方向D1倾斜的方向向黑矩阵421行进。当侧面光SL到达第一光学层431和第二光学层432之间的边界面时，侧面光SL被边界面折射，因此，侧面光SL穿过与显示区域DA对应的上基板420出射到所述上基板420的外侧。
[0074] 另外，发射的光包括行进到与显示区域DA对应的上基板420的前面光FL。侧面光SL具有第一组色坐标，前面光FL具有不同于第一组色坐标的第二组色坐标。因此，光的色坐标会依据视角变化。然而，根据本示例性实施例，侧面光SL的光路被光提取层430改变，使得侧面光SL与前面光FL一起穿过与显示区域DA对应的上基板420出射到外部。因此，用户感知到通过混合侧面光SL和前面光FL获得的光。因此，可以减少色坐标的变化，而不管视角如何。
[0075] 图6是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示面板401的剖视图。在图6中，相同的附图标记指示图1至图5中的相同元件，因此，将省略相同元件的详细描述。
[0076] 参照图6，显示面板401包括光提取层440。除光提取层440之外，显示面板401具有与图3中示出的显示面板400的结构和功能相同的结构和功能。
[0077] 光提取层440设置在上基板420和第二电极OE2之间。光提取层440包括第一光学层441和第二光学层442，并且通过第一光学层441和第二光学层442向上基板420输出从有机发光装置OL发射的光。
[0078] 第一光学层441包括取向的聚合物网络液晶O-PNLC(参照图7)，第二光学层442包括切变聚合物网络液晶S-PNLC。
[0079] 在下文中，将参照图7和图8详细描述取向的聚合物网络液晶O-PNLC。
[0080] 图7是示出制造取向的聚合物网络液晶的方法的视图，图8是示出根据施加到聚合物网络液晶的电场的聚合物网络液晶的透射率和雾度的曲线图。
[0081] 通过如下步骤形成取向的聚合物网络液晶O-PNLC：将电场EF施加到聚合物网络液晶PNLC以使聚合物PM和液晶LM取向，并且在聚合物PM和液晶LM被取向的同时向聚合物网络液晶PNLC辐射紫外线UV以使聚合物PM固化。更详细地讲，当在聚合物网络液晶PNLC的厚度方向上施加电场EF时，聚合物PM和液晶LC响应于电场在厚度方向上取向。然后，当将紫外线UV辐射到聚合物网络液晶PNLC时，聚合物PM彼此交联。
[0082] 取向的聚合物网络液晶O-PNLC具有雾度，该雾度根据被施加的用来使聚合物PM和液晶LM取向的电场EF的强度来确定。详细地讲，如图8所示，随着电场EF的强度变得更大，取向的聚合物网络液晶O-PNLC的透射率变得更大，并且取向的聚合物网络液晶O-PNLC的雾度变得更小。因此，当电场EF的强度变得更强时，取向的聚合物网络液晶O-PNLC的透射率OT是大约80％，取向的聚合物网络液晶O-PNLC的雾度OH是大约10％。因此，取向的聚合物网络液晶O-PNLC使入射到其的光透射，而不散射光。
[0083] 相反，当电场EF的强度变得更弱时，取向的聚合物网络液晶O-PNLC的透射率OT是大约30％，取向的聚合物网络液晶O-PNLC的雾度OH是大约65％，因此取向的聚合物网络液晶O-PNLC将入射到其的光散射。
[0084] 参照图6，显示面板401包括第一区域OA1和围绕第一区域OA1的第二区域OA2。第一区域OA1和第二区域OA2在第一方向D1上顺序地布置。
[0085] 第一光学层441设置在第二电极OE2和上基板420之间以对应于第一区域OA1，第二光学层442设置在第二电极OE2和上基板420之间以对应于第二区域OA2。因此，第一区域OA1和第二区域OA2之间的边界面沿第三方向D3形成。
[0086] 第一区域OA1和与第一区域OA1对应的第一光学层441的布置可以关于显示区域DA和非显示区域NDA而变化。例如，第一区域OA1可以被限定在显示区域DA内部。因此，第一光学层441可以仅设置在显示区域DA中。
[0087] 另外，第一区域OA1可以被限定为与显示区域DA匹配。因此，显示区域DA的边界可以与第二光学层442的边界匹配。
[0088] 第一光学层441具有第一雾度，第二光学层442具有不同于第一雾度的第二雾度。因为第一光学层441和第二光学层442分别包括取向的聚合物网络液晶O-PNLC和切变聚合物网络液晶S-PNLC，并且取向的聚合物网络液晶O-PNLC具有比切变聚合物网络液晶S-PNLC的雾度小的雾度，所以第一雾度小于第二雾度。
[0089] 另外，第一光学层441具有第一透射率，第二光学层442具有不同于第一透射率的第二透射率。第一雾度小于第二雾度，因此，第一透射率大于第二透射率。
[0090] 从有机发光装置OL发射的光沿各种方向行进。具体地讲，相对于下基体基板411的上表面的法线倾斜地发射的部分侧面光SL行进到黑矩阵421，并且被黑矩阵421阻挡并吸收。在这种情况下，显示面板401的光透射效率降低。然而，根据本示例性实施例，第二光学层442具有比第一光学层441的雾度大的雾度，并且设置在黑矩阵421下方。因此，第二光学层442在光入射到黑矩阵421之前将光散射，以使得部分侧面光SL出射到显示区域DA。因此，降低了被黑矩阵421阻挡和吸收的光的量，并且提高了显示面板401的光透射效率。
[0091] 另外，具有第一组色坐标的侧面光SL的光路被第二光学层442改变，侧面光SL与具有第二组色坐标的前面光FL一起穿过与显示区域DA对应的上基板420出射到外部。因此，用户感知到通过混合具有不同组色坐标的侧面光SL和前面光FL获得的光，因此，可以减少色坐标的变化，而不管视角如何。
[0092] 图9是示出根据本发明的另一示例性实施例的显示面板402的剖视图。在图9中，相同的附图标记指示图1至图8中的相同元件，因此，将省略相同元件的详细描述。
[0093] 参照图9，显示面板402包括光提取层450。除光提取层450之外，显示面板402具有与显示面板401的结构和功能相同的结构和功能。
[0094] 光提取层450包括第一光学层451和第二光学层452。第一光学层451设置在第二电极OE2和上基板420之间以对应于第二区域OA2，第二光学层452设置在第二电极OE2和上基板420之间以对应于第一区域OA1。第一光学层451可包括取向的聚合物网络液晶O-PNLC(参照图7)，第二光学层452可包括切变聚合物网络液晶S-PNLC。
[0095] 从有机发光装置OL发射的光沿各种方向行进。在从有机发光装置OL发射的光中，行进到黑矩阵421的侧面光SL被黑矩阵421阻挡，然后被吸收，使得显示面板402的光透射效率降低。根据本示例性实施例，因为第二光学层452具有相对大的雾度，所以第二光学层452散射侧面光SL，使得散射的侧面光SL穿过与显示区域DA对应的上基板420出射到外部。因此，显示面板402的光透射效率增加。
[0096] 具有第一组色坐标的侧面光SL的光路被第二光学层452改变，侧面光SL与具有第二组色坐标的前面光FL一起穿过与显示区域DA对应的上基板420出射到外部。因此，用户感知到通过混合具有不同组色坐标的侧面光SL和前面光FL获得的光。因此，可以减少色坐标的变化，而不管视角如何。
[0097] 图10是示出根据本发明的另一示例性实施例的显示面板403的剖视图。在图10中，相同的附图标记指示图1至图7中的相同元件，因此将省略相同元件的详细描述。
[0098] 参照图10，显示面板403包括光提取层460。除光提取层460之外，显示面板403具有与图6中示出的显示面板401的结构和功能相同的结构和功能。
[0099] 光提取层460包括第一光学层461和第二光学层462。第一光学层461和第二光学层462设置在第二电极OE2和上基板420之间。第一光学层461可包括取向的聚合物网络液晶O-PNLC(参照图7)，第二光学层462可包括切变聚合物网络液晶S-PNLC。
[0100] 根据本示例性实施例，第一光学层461和第二光学层462可以以各种形状布置。例如，第一光学层461和第二光学层462可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中的一个中，并且彼此交替地布置。
[0101] 从有机发光装置OL发射的光沿各种方向行进。在从有机发光装置OL发射的光中，行进到黑矩阵421的侧面光SL被黑矩阵421阻挡并吸收，从而降低了显示面板403的光透射效率。根据本示例性实施例，因为第二光学层462具有相对大的雾度，所以第二光学层462散射侧面光SL，以使得散射的侧面光SL穿过与显示区域DA对应的上基板420出射到外部。因此，显示面板403的光透射效率增加。另外，第一光学层461和第二光学层462彼此交替地布置在显示区域DA中。因此，可以通过第一光学层461和第二光学层462有效地提取侧面光SL。
[0102] 根据模拟结果，当存在光提取层460时，与不存在光提取层460的情况相比，光透射效率可提高大约30％。
[0103] 另外，具有第一组色坐标的侧面光SL的光路被第二光学层462改变，侧面光SL与具有第二组色坐标的前面光FL一起穿过与显示区域DA对应的上基板420出射到外部。因此，用户感知到通过混合具有不同组色坐标的侧面光SL和前面光FL而获得的光。因此，可以减少色坐标的变化，而不管视角如何。
[0104] 具体地讲，侧面光SL在显示区域DA中沿其光路行进的同时与第二光学层462相交的次数多于前面光FL在沿其光路行进的同时与第二光学层462相交的次数。因此，与前面光FL相比，侧面光SL被散射的程度更大，因此，增加了显示面板403的光透射效率，从而降低色坐标根据视角的变化。
[0105] 图11是示出对比例和根据本发明的示例性实施例的显示面板403的根据视角的色坐标变化的模拟结果的曲线图。
[0106] 参照图11，在从大约零(0)度到大约70度改变视角的同时计算CIE坐标系上的色坐标的变化(Δuv)。当视角是大约70度时，对比例中的显示面板的色坐标的变化是大约0.0282，而应用了光提取层460的显示面板403的色坐标的变化是大约0.0146。当将光提取层460应用到显示面板403时，与对比例的色坐标的变化相比，色坐标的变化降低了大约
50％。
50％。
[0107] 图12A至图12E是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示面板的方法的剖视图。在图12A到图12E中，相同的附图标记指示图1至图5中的相同元件，因此，将省略相同元件的详细描述。图12A至图12E示出了制造图3中示出的显示面板400的方法。
[0108] 参照图12A至图12E，制造显示面板的方法包括：形成下基板410；提供聚合物网络液晶；形成光提取层430；以及形成上基板420。
[0109] 图12A示出了下基板410的形成。在下基板410上形成第二栅电极GE2，并在下基板410上形成栅极绝缘层GI以覆盖第二栅电极GE2。在栅极绝缘层GI上形成半导体层AL。在半导体层AL上形成第二源电极SE2和第二漏电极DE2并且将第二源电极SE2和第二漏电极DE2彼此分隔开。
[0110] 在下基板410上形成绝缘层412。绝缘层412覆盖第二晶体管TR2。在下基板410中限定显示区域DA和非显示区域NDA。部分地蚀刻绝缘层412，以在非显示区域NDA中形成接触孔，通过接触孔暴露第二漏电极DE2的部分。
[0111] 在接触孔和显示区域DA中形成第一电极OE1。在绝缘层412和第一电极OE1上形成像素限定层413。将像素限定层413设置为与非显示区域NDA对应。像素限定层413具有与显示区域DA对应的开口，以通过该开口暴露第一电极OE1。
[0112] 在第一电极OE1和邻近第一电极OE1的像素限定层413上形成发光层EL。在下基板410上方形成第二电极OE2。第二电极OE2覆盖像素限定层413和发光层EL。
[0113] 图12B示出了聚合物网络液晶的提供。
[0114] 在第二电极OE2上设置聚合物网络液晶PNLC(参照图4)，以形成聚合物网络液晶层PL。可以使用液晶注入法或液晶滴入法来提供聚合物网络液晶PNLC。
[0115] 图12C和图12D示出了光提取层430的形成。
[0116] 在聚合物网络液晶层PL上设置曝光掩模500。曝光掩模500包括掩模基底510和光阻挡部分520。由透明材料(例如，玻璃)形成掩模基底510。
[0117] 在聚合物网络液晶层PL中限定第一区域OA1和第二区域OA2。在掩模基底510上形成光阻挡部分520，以对应于第二区域OA2。由光阻挡材料形成光阻挡层520。
[0118] 在聚合物网络液晶层PL上对准曝光掩模500。当将紫外线UV辐射到曝光掩模500上时，行进到第二区域OA2的部分紫外线UV被光阻挡部分520阻挡。行进到第一区域OA1的其他部分紫外线UV在穿过曝光掩模500之后入射到聚合物网络液晶层PL。聚合物PM(参照图5)通过入射到聚合物网络液晶层PL的紫外线UV在第一区域OA1中彼此交联。因此，第一区域OA1中的聚合物网络液晶PNLC变成切变聚合物网络液晶S-PNLC(参照图5)。
[0119] 根据辐射到聚合物网络液晶PNLC上的紫外线UV的强度来确定聚合物网络液晶PNLC的聚合物PM的交联度。
[0120] 辐射到第一区域OA1的紫外线UV的强度不是恒定的。更详细地讲，紫外线UV的强度随着与第一区域OA1的中心部分的距离的增大而降低。因此，根据辐射到第一区域OA1的紫外线UV的强度，第一区域OA1的中心部分中的聚合物网络液晶PNLC的交联度大于第一区域OA1的端部中的聚合物网络液晶PNLC的交联度。因此，第一区域OA1的聚合物网络液晶层PL中的聚合物PM的交联的分布与凸透镜结构对应。
[0121] 从聚合物网络液晶层PL和下基板410去除曝光掩模500。
[0122] 如图12D所示，当实施光提取层430的形成时，在第一区域OA1中形成具有凸透镜结构且包括切变聚合物网络液晶S-PNLC的第二光学层432。还形成包括聚合物网络液晶PNLC的第一光学层431以围绕第二光学层432。
[0123] 图12E示出了上基板420的形成。
[0124] 在上基板420上形成滤色器422，以对应于显示区域DA。在上基板上形成黑矩阵421，以对应于非显示区域NDA。上基板420在结合到下基板410的同时面对下基板410，使得光提取层430设置在下基板410和上基板420之间。
[0125] 图13A和图13B是示出根据本发明的另一示例性实施例的制造显示面板的方法的剖视图。在图13A和图13B中，相同的附图标记指示图12A至图12B中的相同元件，因此，将省略相同元件的详细描述。
[0126] 在本示例性实施例中，制造显示面板的方法包括：形成下基板410；提供聚合物网络液晶层PL；形成上基板420；以及形成光提取层430'。除上基板420和光提取层430'的形成之外，制造显示面板的该方法与参照图12A至图12E描述的制造显示面板的方法相同。
[0127] 图13A和图13B示出了上基板420和光提取层430'的形成。
[0128] 参照图13A和图13B，在上基板420上形成滤色器422以对应于显示区域DA，并形成黑矩阵421以对应于非显示区域NDA。上基板420面对下基板410并结合到下基板410，从而在下基板410和上基板420之间设置光提取层430'。
[0129] 当将紫外线UV辐射到上基板420上时，行进到非显示区域NDA的部分紫外线UV被黑矩阵421阻挡。行进到显示区域DA的其他部分紫外线UV在穿过上基板420之后入射到聚合物网络液晶层PL。聚合物网络液晶层PL的聚合物PM(参照图5)通过入射到聚合物网络液晶层PL的紫外线UV在显示区域DA中彼此交联。因此，在显示区域DA中的聚合物网络液晶PNLC变成切变聚合物网络液晶S-PNLC(参照图5)。如参照图12C描述的，可以将聚合物网络液晶层PL暴露到紫外线UV，以使得聚合物PM的交联的分布与凸透镜结构对应。
[0130] 当实施光提取层430'的形成时，在显示区域DA中形成具有凸透镜结构且包括切变聚合物网络液晶S-PNLC的第二光学层432'，还形成包括聚合物网络液晶PNLC的第一光学层431'，以围绕第二光学层432'。
[0131] 如上所述，黑矩阵421阻挡紫外线UV，如曝光掩模500(参照图12C)那样。因此，可以不利用曝光掩模500来形成光提取层430'。
[0132] 图14A至图14C是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造显示面板的方法的部分的剖视图。在图14A至图14C中，相同的附图标记指示图12A至图12E中的相同元件，因此，将省略相同元件的详细描述。
[0133] 制造显示面板的方法包括：形成下基板410；提供聚合物网络液晶层PL；形成光提取层460；以及形成上基板420。除光提取层460和上基板420的形成之外，图14A至图14C中示出的制造显示面板的方法与图12A至图12E中示出的制造显示面板的方法相同。
[0134] 在聚合物网络液晶层PL上形成取向基板600。取向基板600包括透明基板610和取向电极620。透明基板610包括透明材料，例如，玻璃。
[0135] 在聚合物网络液晶层PL中限定第一区域OA1和第二区域OA2。在第一方向D1上彼此交替地布置第一区域OA1和第二区域OA2，并且设置多个第一区域OA1和第二区域OA2。更详细地讲，在显示区域DA和非显示区域NDA中交替地布置第一光学层461和第二光学层462。
[0137] 将第一电压施加到取向电极620，并将第二电压施加到面对取向电极620设置的相对电极，同时在取向电极620和相对电极之间设置聚合物网络液晶层PL。在本示例性实施例中，相对电极可以是第二电极OE2。当将第一电压和第二电压分别施加到取向电极620和第二电极OE2时，在基本上平行于第三方向D3的方向上形成与第一电压和第二电压之间的差对应的电场，同时该电场跨过第一区域OA1中的聚合物网络液晶层PL。
[0138] 第一区域OA1中的聚合物PM(参照图7)和液晶LM响应于电场在第三方向上取向。
[0139] 当紫外线UV辐射到取向基板600上时，紫外线UV在穿过取向基板600之后入射到聚合物网络液晶层PL。通过入射到第一区域OA的部分紫外线UV使第一区域OA1中的聚合物网络液晶层PL的聚合物PM彼此交联。因此，在第一区域OA1中形成取向的聚合物网络液晶O-PNLC(参照图7)。
[0140] 通过入射到第二区域OA2的紫外线UV使第二区域OA2中的聚合物网络液晶层PL的聚合物PM彼此交联。因此，在第二区域OA2中形成切变聚合物网络液晶S-PNLC。
[0141] 当实施光提取层460的形成时，在第一区域OA1中形成包括取向的聚合物网络液晶O-PNLC的第一光学层461，并且在第二区域OA2中形成包括切变聚合物网络液晶S-PNLC的第二光学层462。
[0142] 然后从聚合物网络液晶层PL和下基板410去除取向基板600，如图14B所示。
[0143] 在上基板420上形成滤色器422以对应于显示区域DA，并且形成黑矩阵421以对应于非显示区域NDA。上基板420面对下基板410，并结合到下基板410，使得在下基板410和上基板420之间设置光提取层460。
[0144] 图15A和图15B是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造显示面板的方法的剖视图。在图15A和图15B中，相同的附图标记指示图14A至图14C中的相同元件，因此，将省略相同元件的详细描述。
[0145] 在本示例性实施例中，制造显示面板的方法包括：形成下基板410；提供聚合物网络液晶层PL；形成上基板420；以及形成光提取层460'。除上基板420和光提取层460'的形成之外，制造显示面板的该方法与参照图14A至图14C描述的制造显示面板的方法相同。
[0146] 在上基板420上形成滤色器422以对应于显示区域DA，并且形成黑矩阵421以对应于非显示区域NDA。上基板420面对下基板410并结合到下基板410，在下基板410和上基板420之间设置光提取层460'。
[0147] 在聚合物网络液晶层PL的显示区域DA中限定第一区域OA1和第二区域OA2。在第一方向D1上交替地布置第一区域OA1和第二区域OA2，并设置多个第一区域OA1和多个第二区域OA2。
[0148] 设置取向电极620'(例如，被包括在上基板420中)以对应于第一区域OA1。
[0149] 当将第一电压和第二电压分别施加到取向电极620'和第二电极OE2时，第一区域OA1中的聚合物PM和液晶LM响应于电场在第三方向D3上取向。
[0150] 将紫外线UV辐射到取向基板600上。因此，第一区域OA1的聚合物网络液晶PNLC变成取向的聚合物网络液晶O-PNLC，并且第二区域OA2的聚合物网络液晶PNLC变成切变聚合物网络液晶S-PNLC。
[0151] 当实施光提取层460'的形成时，在第一区域OA1中形成包括取向的聚合物网络液晶O-PNLC的第一光学层461'，并且在第二区域OA2中形成包括切变聚合物网络液晶S-PNLC的第二光学层462'。
[0152] 与取向电极620(参照图14A)相似，取向电极620'使聚合物PM(参照图7)和液晶LM(参照图7)取向。因此，可以不利用取向基板600(参照图14A)来形成光提取层460'。
[0153] 根据以上所述，光提取层使得从有机发光装置发射的光穿过各自具有不同光学性质的第一光学层和第二光学层出射到有机发光二极管显示面板的外部。因此，增加了有机发光二极管显示面板的光透射效率。另外，通过处理聚合物网络液晶来控制第一光学层和第二光学层的光学性质。因此，可以容易地形成光提取层。
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