環形摻雜二極體之反向漏電流減少及垂直高度縮減 REVERSE LEAKAGE REDUCTION AND VERTICAL HEIGHT SHRINKING OF DIODE WITH HALO DOPING
阅读：18发布：2023-12-17
专利汇可以提供環形摻雜二極體之反向漏電流減少及垂直高度縮減 REVERSE LEAKAGE REDUCTION AND VERTICAL HEIGHT SHRINKING OF DIODE WITH HALO DOPING专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明之一實施例提供一種半導體二極體器件，其包括一第一導電率類型區、一第二導電率類型區，其中該第二導電率類型不同於該第一導電率類型，一位於該第一導電率類型區與該第二導電率類型區之間的本質區、一位於該第二導電率類型區與該本質區之間的具有該第一導電率類型之第一環形區，及視需要的一位於該第一導電率類型區與該本質區之間的具有該第二導電率類型之第二環形區。，下面是環形摻雜二極體之反向漏電流減少及垂直高度縮減 REVERSE LEAKAGE REDUCTION AND VERTICAL HEIGHT SHRINKING OF DIODE WITH HALO DOPING专利的具体信息内容。
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