Manufacture of light emitting diode
专利汇可以提供Manufacture of light emitting diode专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain an infrared ray emitting element having high efficiency, high light output and stable electric characteristics by setting the carrier density of an n type GaAlAs layer making contact with a p type GaAlAs metal compound semiconductor layer as a dopant at 6X10 -1X10 atom.cm . CONSTITUTION:The light emitting diode is formed by forming a p type GaAlAs layer 2 and an n type GaAlAs layer 3 by a liquid phase epitaxial growth on a p type GaAlAs substrate 1 and then forming an n type contact part 4 and a p type contact part 5 thereat. When the layer 3 is formed, the absolute difference value ¦ND-NA¦ between the carrier density and hence the doner density and the acceptor density as a dopant is set in the range from 6X10 to 1X10 atom.cm . The dopant may include impurity elements such as Sn, Te, Se, Si or the like.，下面是Manufacture of light emitting diode专利的具体信息内容。
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