首页 / 专利库 / 电子零件及设备 / 掺杂剂 / 发光掺杂剂 / P型掺杂剂及有机发光二极管

P型掺杂剂有机发光二极管

阅读:517发布:2020-05-08

专利汇可以提供P型掺杂剂有机发光二极管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开一种P型 掺杂剂 ,为在外围连接不同数量的氟 原子 和氰基的平面芳香化合物,具有调节最低未占分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)能级及有效的增加 发光层 的 发光效率 的作用,合成路线亦具有提高的材料合成效率。再者,本发明公开一种 有机发光 二极管 ,其包括一 阳极 ;一 阴极 ;以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光結構,其中所述发光結構的空穴注入层的材料为包括前述的P型掺杂剂的空穴注入材料。,下面是P型掺杂剂有机发光二极管专利的具体信息内容。

1.一种P型掺杂剂,其特征在于,所述P型掺杂剂为在外围连接不同数量的氟原子和氰基的平面芳香化合物,具有结构式如下:
2.根据权利要求1所述的P型掺杂剂,其特征在于,所述P型掺杂剂的结构式为:
3.根据权利要求2所述的P型掺杂剂,其特征在于,所述P型掺杂剂的结构式为:
是通过下述合成路线合成出:
4.根据权利要求2所述的P型掺杂剂,其特征在于,所述P型掺杂剂的结构式为:
,是通过下述合成路线合成出:
5.根据权利要求2所述的P型掺杂剂,其特征在于,所述P型掺杂剂的结构式为:
,是通过下述合成路线合成出:
6.一种有机发光二极管,其特征在于,所述有机发光二极管中的空穴注入层的材料为包括权利要求1~5任一项所述的P型掺杂剂的空穴注入材料。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管,其特征在于,所述有机发光二极管还包括一阳极、一阴极、以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光結構,其中所述发光結構包括如权利要求6所述的空穴注入层。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管,其特征在于,所述发光結構包括依序形成的所述空穴注入层、一空穴传输层、一电子阻挡层、一发光层、一空穴阻挡层、一电子传输层及一电子注入层。

说明书全文

P型掺杂剂有机发光二极管

技术领域

[0001] 本发明是有关于一种有机发光材料技术领域,特别是有关于一种P型掺杂剂以及使用所述P型掺杂剂所制备的有机发光二极管

背景技术

[0002] 有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)在固态照明及平板显示等领域具有广阔的应用前景,而发光客体材料是影响有机发光二极管的发光效率的主要因素。在早期,有机发光二极管使用的发光客体材料为荧光材料,其在有机发光二极管中的单重态和三重态的激子比例为1:3,因此在理论上有机发光二极管的内量子效率(internal quantum efficiency,IQE)只能达到25%,使荧光电致发光器件的应用受到限制。再者,重金属配合物磷光发光材料由于重原子的自旋轨道耦合作用,而能够同时利用单重态和三重态激子,进而达到100%的内量子效率。然而,通常重金属配合物磷光发光材料所使用的重金属都是铱(Ir)或铂(Pt)等贵重金属,并且重金属配合物磷光发光材料在蓝光材料方面尚有待改良。
[0003] 对于目前使用的顶发射有机发光二极管中,P型掺杂剂(P-dopant)能够显着降电压,在有机发光二极管结构中必不可缺。然而,目前市面上商品化的P型掺杂剂屈指可数。因此,高性能P型掺杂剂的开发迫在眉睫。

发明内容

[0004] 有鉴于此,本发明提供一种P型掺杂剂,其为在外围连接不同数量的氟原子和氰基的平面芳香化合物,具有结构式如下:
[0005]
[0006]
[0007] 在本发明的一实施例中,所述P型掺杂剂的结构式为:
[0008]
[0009] 在本发明的一实施例中,所述P型掺杂剂的结构式为:
[0010]
[0011] ,是通过下述合成路线合成出:
[0012]
[0013] 在本发明的另一实施例中,所述P型掺杂剂的结构式为:
[0014]
[0015] ,是通过下述合成路线合成出:
[0016]
[0017] 在本发明的又一实施例中,所述P型掺杂剂的结构式为:
[0018]
[0019] ,是通过下述合成路线合成出:
[0020]
[0021] 本发明另一实施例提供一种有机发光二极管,所述有机发光二极管中的空穴注入层的材料为包含前述P型掺杂剂的空穴注入材料。
[0022] 所述有机发光二极管中还包括一阳极;一阴极;以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光結構,其中所述发光結構包括包含前述P型掺杂剂的空穴注入材料。
[0023] 相较于先前技术,本发明通过在平面的芳香化合物外围连接不同数量的氟原子和氰基,提供了新颖P型掺杂剂的多个实施例,其具有调节最低未占分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)能级及有效的增加发光层的发光效率的作用,合成路线亦具有提高的材料合成效率,进而有利于实现长寿命,高效率有机发光二极管的制备。附图说明
[0024] 图1是本发明实施例的有机发光二极管的示意图。

具体实施方式

[0025] 因应高性能P型掺杂剂的迫切需求,本发明通过在平面芳香化合物外围连接不同数量的氟原子和氰基,提供了新颖P型掺杂剂的多个实施例,以用于空穴注入材料,其合成路线具有提高的材料合成效率,亦具有调节最低未占分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)能级的作用及有效的增加发光层的发光效率的作用,进而有利于实现具有长寿命,高效率有机发光二极管的制备。为了达到上述效果,本发明提供的P型掺杂剂为在外围连接不同数量的氟原子和氰基的平面芳香化合物,具有结构式如下:
[0026]
[0027] 在本发明的一实施例中,所述P型掺杂剂的结构式为:
[0028]
[0029]
[0030] 以下结合实施例和附图来对本发明作进一步的详细说明,其目的在于帮助更好的理解本发明的内容,但本发明的保护围不仅限于这些实施例。
[0031] 实施例1:制备结构式如下的P型掺杂剂
[0032]
[0033] ,合成路线如下所示:
[0034]
[0035] 化合物1的合成
[0036] 首先,向100mL二口瓶中加入原料1(2.82g,5mmol),氰化亚(2.3g,25mmol),和碘化(4.98g,30mmol)。然后,将二口瓶放到手套箱中抽通三次。接着,在氩气氛围下,打入100mL事先除的N,N’-二甲基甲酰胺(DMF),在140℃反应12小时。冷却至室温后,向二口瓶中加入原料2:三氯化盐酸溶液(5mol/L,100mL),室温搅拌2小时,获得反应液。随后,导入反应液至200mL水中,用二氯甲烷对反应液萃取三次后,合并每次萃取取得的有机相,合并有机相,旋成胶,并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷,v:v,3:1)进行分离纯化,最终获得化合物1(橙红色粉末)1.1g,产率63%。MS(EI)m/z:351.97。
[0037] 实施例2:制备结构式如下的P型掺杂剂
[0038]
[0039] ,合成路线如下所示:
[0040]
[0041] 化合物2的合成
[0042] 首先,向100mL二口瓶中加入原料2(2.82g,5mmol),氰化亚铜(2.3g,25mmol),和碘化钾(4.98g,30mmol)。然后,将二口瓶放到手套箱中抽通三次。接着,在氩气氛围下,打入100mL事先除水除氧的N,N’-二甲基甲酰胺(DMF),在140℃反应12小时。冷却至室温后,向二口瓶中加入三氯化铁的盐酸溶液(5mol/L,100mL),室温搅拌2小时,获得反应液。随后,导入反应液至200mL冰水中,用二氯甲烷对反应液萃取三次后,合并有机相,旋成硅胶,并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷,v:v,3:1)进行分离纯化,最终获得化合物2(橙红色粉末)1.2g,产率63%。MS(EI)m/z:381.89。
[0043] 实施例3:制备结构式如下的P型掺杂剂
[0044]
[0045] ,合成路线如下所示:
[0046]
[0047] 化合物3的合成
[0048] 首先,向100mL二口瓶中加入原料3(1.40g,5mmol),氰化亚铜(2.3g,25mmol),和碘化钾(4.98g,30mmol)。然后,将二口瓶放到手套箱中,抽通三次。接着,在氩气氛围下,打入100mL事先除水除氧的N,N’-二甲基甲酰胺,在140℃反应12小时。冷却至室温后,向二口瓶中加入原料2:三氯化铁的盐酸溶液(5mol/L,100mL),室温搅拌2小时,获得反应液。随后,导入反应液至200mL冰水中,用二氯甲烷萃取三次,合并有机相,旋成硅胶,并用柱层析(二氯甲烷:正己烷,v:v,3:1)进行分离纯化,最终获得化合物3(橙红色粉末)0.8g,产率42%。MS(EI)m/z:378.18。
[0049] 化合物1-3的物理特性:
[0050] 目标化合物1-3的最高占据分子轨域(highest occupied molecular orbital,HOMO)的能级和最低未占分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)的能级,如下表1所示:
[0051]
[0052]
[0053] 表1
[0054] 化合物1-3的HOMO和LUMO能级采用循环伏安法结合分子在薄膜状态下的光学能隙(Eg)根据以下计算公式估算得到:
[0055] HOMO=-([Eonset]ox+4.8)eV,
[0056] Eg=LUMO-HOMO,
[0057] 其中[Eonset]ox是指参照于在测试下二茂铁的氧化还原起始电位值。
[0058] 实施例4-6:有机发光二极管的制备:
[0059] 参考图1,本发明有机发光二极管包括一导电玻璃阳极层S、一半透明阴极层8及一光耦合输出层9,及形成在导电玻璃阳极层S及半透明阴极层8之间的一发光結構。具体而言,发光結構包括依序形成在导电玻璃阳极层S上的一空穴注入层1、一空穴传输层2、一电子阻挡层3、一发光层4、一空穴阻挡层5、一电子传输层6及一电子注入层7。具体而言,导电玻璃阳极层S是藉由将玻璃基板上可导电的氧化铟(indium tin oxide,ITO)/銀(Ag)/氧化铟锡(ITO)的全反射衬底层来形成的。空穴注入层1是4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4',4”-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine,TCTA)和本发明的P型掺杂剂所组成。空穴传输层2是TCTA所组成。电子阻挡层3是由4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺,TAPC所组成。发光层4是由二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(bis[2-[(oxo)diphenylphosphino]phenyl]ether,DPEPO)和9,10-二(2-基)蒽(ADN)所组成。空穴阻挡层5是由3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶,TMPyPb所组成。电子传输层6是由1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene,Tm3PyPB)和八羟基喹啉锂(LiQ)所组成。电子注入层7是由氟化锂(LiF)所组成。半透明阴极层8由镁和所组成。光耦合输出层9是由4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)所组成。空穴注入层1、空穴传输层2、电子阻挡层3、发光层4、空穴阻挡层5、电子传输层6、及电子注入层7组成了本发明有机发光二极管的发光结构。有机发光二极管可按本发明技术领域已知的方法完成,例如参考文献「Adv.Mater.2003,15,277」所公开的方法。具体方法为:在高真空条件下,在ITO导电玻璃上,依次蒸镀形成含本发明P型掺杂剂材料(化合物1-3)的前述材料而完成。在此,使用本发明化合物1-3来制备实施例4-6的有机发光二极管I-III。有机发光二极管I-III的结构从导电玻璃阳极层S至光耦合输出层9的结构依次如下所示:
[0060] 有机发光二极管I:ITO/Ag/ITO(15nm/140nm/15nm)/化合物1:TCTA(3%的化合物1掺杂,10nm)/TCTA(135nm)/TAPC(5nm)/DPEPO:ADN(2%的AND掺杂,20nm)/TMPyPb(5nm)/Tm3PyPB:LIQ(15:15nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(0.9:9nm)/TCTA(85nm)。
[0061] 有机发光二极管II:ITO/Ag/ITO(15nm/140nm/15nm)/化合物2:TCTA(3%的化合物1掺杂,10nm)/TCTA(135nm)/TAPC(5nm)/DPEPO:ADN(2%的AND掺杂,20nm)/TMPyPb(5nm)/Tm3PyPB:LIQ(15:15nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(0.9:9nm)/TCTA(85nm)。
[0062] 有机发光二极管III:ITO/Ag/ITO(15nm/140nm/15nm)/化合物3:TCTA(3%的化合物1掺杂,10nm)/TCTA(135nm)/TAPC(5nm)/DPEPO:AND(2%的ADN掺杂,20nm)/TMPyPb(5nm)/Tm3PyPB:LIQ(15:15nm)/LiF(1nm)/Mg:Ag(0.9:9nm)/TCTA(85nm)。
[0063] 实施例4-6的有机发光二极管I-III的性能数据如下表2所示。有机发光二极管的电流亮度及电压是由带有校正过的硅光电二极管的Keithley源测量系统(Keithley 2400 Sourcemeter、Keithley 2000 Currentmeter)所测量的,有机发光二极管的电致发光光谱是由法国JY公司SPEX CCD3000光谱仪所测量的,所有测量均在室温大气中完成。
[0064]
[0065] 表2
[0066] 本发明所提供的P型掺杂剂,通过在平面的芳香化合物外围连接不同数量的氟原子和氰基,具有调节最低未占分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital,LUMO)能级及有效的增加发光层的发光效率的作用。再者,本发明实施例所提供的P型掺杂剂其合成路线具有提高的材料合成效率。最后,使用本发明实施例的P型掺杂剂作为发光结构的有机发光二极管具有高发光效率,进而有利于实现具有长寿命,高效率有机发光二极管的制备,可应用于各种显示设备和电子装置中。
[0067] 虽然本发明结合其具体实施例而被描述,应该理解的是,许多替代、修改及变化对于那些本领域的技术人员将是显而易见的。因此,其意在包含落入所附权利要求书的范围内的所有替代、修改及变化。
高效检索全球专利

专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。

我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。

申请试用

分析报告

专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。

申请试用

QQ群二维码
意见反馈