晶圆的湿处理系统
阅读：301发布：2020-05-08
专利汇可以提供晶圆的湿处理系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种 晶圆 的湿处理系统，晶圆的湿处理系统包括：喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液； 真空 吸盘 ，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。解决了晶圆清洗和/或 刻蚀 不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、 质量 及可靠性的效果。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利，下面是晶圆的湿处理系统专利的具体信息内容。
1.一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，其特征在于，包括：
喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；
真空吸盘，位于所述喷淋头的下方，所述真空吸盘包括有承载吸板和壳体，所述壳体和承载吸板构成所述真空吸盘的腔体，所述承载吸板还设有贯通所述腔体的至少一个通孔，所述承载吸板用于放置所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述晶圆的湿处理系统还包括：
至少一个液桶，用于盛放待喷洒液，所述喷淋头通过进液管与所述至少一个液桶贯通。
3.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述晶圆的湿处理系统还包括：
真空压力传感器，设置于所述真空吸盘的腔体内，用于检测所述真空吸盘的腔体的真空压力；
真空泵，通过抽气管与所述真空吸盘的腔体相连，用于对所述真空吸盘的腔体进行抽气以通过所述承载吸板的至少一个通孔吸附所述晶圆；
真空阀，设置于所述抽气管上，用于控制抽气流量。
4.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述承载吸板还包括：
重量传感器，用于检测放置于所述承载吸板上的所述晶圆的重量。
5.根据权利要求2所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述晶圆的湿处理系统还包括：
喷淋开关，设置于所述进液管上，用于控制所述待喷洒液的喷洒流量。
6.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述至少一个喷洒孔还包括：
喷洒孔开关，用于控制预设分布位置和预设数量的所述至少一个喷洒孔的工作状态。
7.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种。
8.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述承载吸板上方还设有图像采集模块，所述图像采集模块用于采集承载吸板上的图像。
9.根据权利要求1所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述喷淋头和所述承载吸板为圆形。
10.根据权利要求9所述的晶圆的湿处理系统，其特征在于，所述喷淋头的直径大于所述承载吸板的直径。
晶圆的湿处理系统
技术领域
[0001] 本实用新型实施例涉及晶圆的湿处理技术，尤其涉及一种晶圆的湿处理系统。
背景技术
[0002] 现有技术中，对晶圆生产制造过程进行清洗或蚀刻时，一般采用传统硅工艺中的“水槽浸泡”法，参见图1，该方法将多个晶圆1纵向放置于晶圆篮12中，再将晶圆11和晶圆篮12同时浸入盛放有清洗液或蚀刻液14的化学槽13中，一段时间后再将晶圆11和晶圆篮12取出。使用该方法清洗和/或蚀刻晶圆的下端最先接清洗液或蚀刻液，最后脱离清洗液或蚀刻液；晶圆上端最后接触清洗液或蚀刻液，最先脱离清洗液或蚀刻液；并且清洗液或蚀刻液在晶圆取出时由上往下流，会造成在晶圆在各道清洗或蚀刻工序的时间差异，使晶圆上下位置的清洗程度或蚀刻程度不同，导致晶圆的清洗或蚀刻不均匀而导致同一参数制备的晶圆的结构和性能有所差异。
[0003] 在实际生产过程中，为控制成本，水槽中的清洗液或蚀刻液，通常都是固定更换周期(如24h/次)，或者在处理多批次晶圆后才更换一次。该方法还会随着清洗液持续使用，清洗液浓度发生变化，颗粒及杂质变脏，最终导致不同批次的晶圆清洗或蚀刻程度也不相同，响降低晶圆的良品率、质量及可靠性。实用新型内容
[0004] 本实用新型提供一种晶圆的湿处理系统，以实现提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。
[0005] 第一方面，本实用新型实施例提供了一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，包括：
[0006] 喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，用于喷洒待喷洒液；
[0008] 可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：
[0009] 至少一个液桶，用于盛放待喷洒液，所述喷淋头通过进液管与所述至少一个液桶贯通。
[0010] 可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：
[0013] 真空阀，设置于所述抽气管上，用于控制抽气流量。
[0014] 可选的，所述承载吸板还包括：
[0015] 重量传感器，用于检测放置于所述承载吸板上的所述晶圆的重量。
[0016] 可选的，所述晶圆的湿处理系统还包括：
[0018] 可选的，所述至少一个喷洒孔还包括：
[0019] 喷洒孔开关，用于控制预设分布位置和预设数量的喷洒孔的工作状态。
[0020] 可选的，所述待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种。
[0022] 可选的，所述喷淋头和所述承载吸板为圆形。
[0023] 可选的，所述喷淋头的直径大于所述承载吸板的直径。
[0024] 本实施例的技术方案，通过在喷淋头的出水口下方设置真空吸盘水平吸附盛放晶圆，使晶圆表面的各个区域可以同时接触待清洗液或刻蚀液都非常均匀(相同时间、浓度和配比)，解决了晶圆清洗和/或刻蚀不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。附图说明
[0025] 图1为现有技术“水槽浸泡”装置的示意图；
[0026] 图2是本实用新型实施例一中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0027] 图3是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0028] 图4是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0029] 图5是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0030] 图6是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0031] 图7是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0032] 图8是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0033] 图9是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0034] 图10是本实用新型实施例二中的晶圆的湿处理系统的示意图；
[0035] 图11是本实用新型实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；
[0036] 图12是本实用新型实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；
[0037] 图13是本实用新型实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；
[0038] 图14是本实用新型实施例三中的晶圆的湿处理方法的流程图；
具体实施方式
[0039] 下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对实用新型的限定。另外还需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0040] 此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说，在不脱离本实用新型的范围的情况下，可以将第一液桶为第二液桶，且类似地，可将第二液桶称为第一液桶。第一液桶和第二液桶两者都是液桶，但其不是同一液桶。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。需要说明的是，当部被称为“固定于”另一个部，它可以直接在另一个部上也可以存在居中的部。当一个部被认为是“连接”到另一个部，它可以是直接连接到另一个部或者可能同时存在居中部。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述，只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0041] 在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。
[0042] 实施例一
[0043] 图2为本实用新型实施例一提供的一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，具体包括：喷淋头22和真空吸盘24。
[0044] 喷淋头22，设置有至少一个喷洒孔，喷淋头22通过进液管231与至少一个液桶21相连。具体的。喷淋头22与进液管231连接，以通过进液管231供应清洗液，待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种；至少一个喷洒孔大量且均匀排布于喷淋头22上，可以呈圆圈状分布由内向外逐层扩大，且喷洒头为特氟龙喷淋头22。在其他实施例中，晶圆的湿处理系统还包括喷淋开关23，设置于进液管231上，用于控制待喷洒液的喷洒的流量。
[0045] 真空吸盘24，位于喷淋头22的下方，真空吸盘24包括有承载吸板251和壳体，壳体和承载吸板251构成或围成真空吸盘24的腔体，承载吸板251还设有至少一个贯通腔体的通孔252，承载吸板251用于放置晶圆。具体的，真空吸盘24的承载吸板251垂直于重力方向朝上安装，真空吸盘24的腔体安装于承载吸板的下方，至少一个贯通腔体的通孔252均匀分布于承载吸板251上。
[0046] 具体的，喷淋头22和承载吸板251为圆形，其中，喷淋头22的出水口朝向承载吸板251，喷淋头22的直径大于承载吸板251的直径。
[0047] 示例性的，当需要清洗和/或蚀刻晶圆时，将晶圆放置在真空吸盘24的承载吸板251上；通过承载吸板251的至少一个通孔252吸附晶圆之后，开启喷淋开关23，待喷洒液通过进液管231，从喷淋头22的至少一个喷洒孔喷出；从至少一个喷洒孔喷喷出的待喷洒液喷洒到晶圆上，对晶圆进行清洗或刻蚀；待清洗或刻蚀完成(即前述喷洒待喷洒液完成)后，关闭喷淋开关23，完成对晶圆的清洗或刻蚀。
[0048] 本实施例的技术方案，通过在喷淋头22的出水口下方设置真空吸盘24水平吸附盛放晶圆，使晶圆表面的各个区域可以同时接触待清洗液或刻蚀液都非常均匀(相同时间、浓度和配比)，解决了晶圆清洗和/或刻蚀不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。
[0049] 实施例二
[0050] 图3和图4为本实用新型实施例二提供的一种晶圆的湿处理系统，用于清洗和/或蚀刻晶圆，具体包括：至少一个液桶21、喷淋头22、喷淋开关23、真空吸盘24、真空压力传感器25、真空泵26、真空阀27和上位机28。
[0051] 至少一个液桶21用于盛放待喷洒液，待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种。
[0052] 喷淋头22，设置有至少一个喷洒孔，喷淋头22通过进液管231与至少一个液桶21相连。具体的，喷洒孔大量且均匀排布于喷淋头22上，可以呈圆圈状分布由内向外逐层扩大，且喷洒头为特氟龙喷淋头22。
[0053] 喷淋开关23，设置于进液管231上，用于控制待喷洒液的喷洒的流量。具体的，喷淋开关23设置于至少一个液桶21的下方或者桶壁四周。
[0054] 示例性的，参见图5，当只需要纯水清洗时，至少一个液桶21为一个，液桶21内部盛放纯水，当需要喷洒纯水时，打开喷淋开关23，纯水通过进液管231，从喷淋头22的至少一个喷洒孔喷出。
[0055] 示例性的，一并参见图6，当需要多次清洗或蚀刻时，至少有两种待喷洒液和至少两个液桶21。本实施例以三种喷洒液体为例，第一待喷洒液盛放于第一液桶211中，第二待喷洒液盛放于第二液桶212中，第三待喷洒液盛放于第三液桶213中；第一液桶211、第二液桶212和第三液桶213分别通过不同的进液管231与喷淋头22相连；在第一液桶211、第二液桶212和第三液桶213与喷淋头22之间的进液管231分别设置有第一喷淋开关2331、第二喷淋开关2332和第三喷淋开关2333，在其他实施例中，参见图7，喷淋头22与主进液管2311相连，第一液桶211、第二液桶212和第三液桶213通过进液管分别与主进液管2311相连，在第一液桶211、第二液桶212和第三液桶213与主进液管2311之间的进液管分别设置有第一喷淋开关2331、第二喷淋开关2332和第三喷淋开关2333。当需要依次喷洒第一待喷洒液、第二待喷洒液和第三待喷洒液时，先打开第一喷淋开关2331，第一待喷洒液通过进液管，从喷淋头22的至少一个喷洒孔喷出，喷洒完成后，关闭第一喷淋开关2331；再打开第二喷淋开关2332，第二待喷洒液通过进液管231，从喷淋头22的至少一个喷洒孔喷出，喷洒完成后，关闭第二喷淋开关2332；最后打开第三喷淋开关2333，第三待喷洒液通过进液管，从喷淋头22的至少一个喷洒孔喷出，喷洒完成后，关闭第三喷淋开关2333。同时设置多个液桶可以避免在需要多种清洗液和/或刻蚀液处理晶圆的时候，通过控制喷淋开关即可实现多种清洗液和/或刻蚀液的更换，减少了人工更换的时间，提高了效率。
[0056] 真空吸盘24，位于喷淋头22的下方，真空吸盘24包括有承载吸板251和壳体，壳体和承载吸板251构成或围成真空吸盘24的腔体，承载吸板251还设有至少一个贯通腔体的通孔252，承载吸板251用于放置晶圆。具体的，真空吸盘24的承载吸板251垂直于重力方向朝上安装，真空吸盘24的腔体安装于承载吸板的下方，至少一个贯通腔体的通孔252均匀分布于承载吸板251上。
[0057] 具体的，喷淋头22和承载吸板251为圆形，其中，喷淋头22的出水口朝向承载吸板251，喷淋头2的直径大于承载吸板251的直径。
[0058] 真空压力传感器25，设置于真空吸盘24的腔体内，用于检测真空吸盘24的腔体的真空压力。真空压力传感器25还可以安装于承载吸板251上的贯通腔体的至少一个通孔中。
[0059] 真空泵26，通过抽气管与真空吸盘24的腔体相连，用于对真空吸盘24的腔体进行抽气以通过承载吸板251的通孔吸附晶圆。示例性的真空泵26为机械泵。
[0060] 真空阀27，设置于抽气管上，用于控制抽气流量；
[0061] 上位机28，与真空泵26、真空阀27和喷淋开关23相连，用于控制真空泵26、真空阀27和喷淋开关23的工作状态。具体的，上位机28根据预设的程序控制真空泵26开启状态或关闭状态，真空阀27的开启状态(例如，全开、半开)或关闭状态、和喷淋开关23的开启状态(例如，全开、半开)或关闭状态。
[0062] 示例性的，当需要清洗和/或蚀刻晶圆时，将晶圆放置在真空吸盘24的承载吸板251上；待晶圆放置在承载吸板251之后，开启真空泵26，真空泵26对真空吸盘24的腔体和至少一个贯通腔体的通孔252进行抽气以通过承载吸板251的至少一个通孔252吸附晶圆；待晶圆吸附于承载吸板251上之后，开启喷淋开关23，盛放在至少一个液桶21内的待喷洒液通过进液管231，从喷淋头22的至少一个喷洒孔喷出；从至少一个喷洒孔喷喷出的待喷洒液喷洒到晶圆上，对晶圆进行清洗或刻蚀；待清洗或刻蚀完成(即前述喷洒待喷洒液完成)后，关闭喷淋开关23，完成对晶圆的清洗或刻蚀。
[0063] 本实施例的技术方案，通过在喷淋头22的出水口下方设置真空吸盘24水平吸附盛放晶圆，使晶圆表面的各个区域可以同时接触待清洗液或刻蚀液都非常均匀(相同时间、浓度和配比)，解决了晶圆清洗和/或刻蚀不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。
[0064] 替代实施例中，参见图8，承载吸板251还包括重量传感器29，用于检测放置于承载吸板251上的晶圆的重量。示例性的，当晶圆放置在承载吸板251上之后，重量传感器29检测到晶圆的重量信号，上位机28根据重量信号判断晶圆是否已经放置在承载吸板251上，当上位机28判断晶圆已经放置在承载吸板251上之后，再打开真空泵26和/或真空阀27进行后续步骤，在本替代实施例中，通过设置重量传感器29，解决了自动判断晶圆是否放置于承载吸板251问题，实现了减少人工操作、提高真空泵26和/或真空阀27开启时间的准确性的效果。
[0065] 替代实施例中，参见图9，至少一个喷洒孔还包括：与上位机28相连的喷洒孔开关，用于控制处于工作状态的至少一个喷洒孔的数量和分布位置。具体的，喷洒孔的数量和分布位置根据晶圆在真空吸盘24上的位置以及晶圆自身的尺寸进行设定。示例性的，处理6英寸的晶圆，喷洒头可以设置喷洒头正中间的360个喷洒孔开启。在本替代实施例中，通过设置喷洒孔开关，解决了喷洒头定位喷洒的问题，实现了在指定区域内喷水，节约待喷洒液的效果。
[0066] 替代实施例中还可以根据晶圆的重量判断晶圆的面积或尺寸类型，进而控制预设分布位置和预设数量的喷洒孔的工作状态，使得处于喷淋状态的喷洒孔和晶圆的面积相互匹配，以最大程度节省喷淋液体的使用。
[0067] 替代实施例中，承载吸板251的上方还设有图像采集模块，图像采集模块与上位机相连，用于采集承载吸板251上的图像。具体的，图像采集模块获取承载吸板上的图像，判断承载吸板251上的图像中是否包括晶圆，若是，上位机根据采集到的图像则分析晶圆的直径和晶圆在承载吸板251上的位置，上位机根据晶圆的直径晶圆在承载吸板251上的位置设置处于工作状态的所述至少一个喷洒孔的开启数量和分布位置。
[0068] 替代实施例中，参见图10，晶圆的湿处理系统还包括与上位机28相连机械臂200，上位机还用于控制机械臂200将晶圆转移到承载吸板251上，本替代实施例通过设置机械臂，可以更加准确讲晶圆移动到承载吸板251上，减少了人工劳动产生的误差。
[0069] 实施例三
[0070] 图11为本实用新型实施例三提供的一种晶圆的湿处理方法，用于清洗和/或蚀刻晶圆，本实施例晶圆的湿处理方法可以由上位机来控制执行，包括：
[0071] 步骤202、判断晶圆是否放置于承载吸板上，承载吸板包括至少一个通孔。
[0072] 本实施例中，承载吸板和位于真空吸盘上，真空吸盘还包括壳体，壳体和承载吸板构成真空吸盘的腔体，至少一个通孔设置于承载吸板上并贯通真空吸盘的腔体，具体的，真空吸盘的承载吸板垂直于重力方向朝上安装。本实施例中，判断晶圆是否放置于承载吸板上包括：根据重量传感器检测信号判断晶圆是否放置于承载吸板上；和/或根据采集到的承载吸板上的图像判断晶圆是否放置于承载吸板上；
[0073] 示例性的，重量传感器位于承载吸板上，用于检测放置于承载吸板上的晶圆的重量。示例性的，当晶圆放置在承载吸板上之后，重量传感器检测到晶圆的重量信号，上位机根据重量信号判断晶圆是否已经放置在承载吸板上。
[0074] 示例性的，承载吸板的上方还设有图像采集模块，图像采集模块与上位机相连，用于采集承载吸板上的图像。具体包括如下步骤：
[0075] A1：图像采集模块获取承载吸板上的图像；
[0076] A2：上位机通过判断承载吸板上的图像中是否包括晶圆判断晶圆是否已经放置在承载吸板上。
[0077] 步骤204、若是，则依次开启真空泵从通孔抽气，以吸附承载吸板上的晶圆。
[0078] 本实施例中，当上位机判断晶圆已经放置在承载吸板上之后，再打开真空泵。通过抽气管与真空吸盘的腔体相连，用于对真空吸盘的腔体进行抽气以通过承载吸板的通孔吸附晶圆。示例性的真空泵为机械泵。在其他实施例中真空泵与通孔之间的抽气管上还设置有真空阀用于控制抽气流量。
[0079] 步骤206、检测通孔的真空压力值，并根据真空压力值判断晶圆是否固定于承载吸板上；
[0080] 本实施例中，通孔的真空压力值由设置于真空吸盘的通孔内真空压力传感器检测，在其他实施例中真空压力传感器还可以安装于真空吸盘的腔体中。示例性的，当晶圆吸附在承载吸板上之后，真空压力传感器检测到通孔的真空压力值，上位机根据通孔的真空压力值是否大于预设值判断晶圆是否已经吸附在承载吸板上。
[0081] 步骤208、若是，则开启第一喷淋开关以通过至少一个喷洒孔喷洒第一待喷洒液加工晶圆。
[0082] 本实施例中，喷淋头和承载吸板为圆形，喷淋头的出水口朝向承载吸板，喷淋头的直径大于承载吸板的直径。待喷洒液包括清洗液、蚀刻液或DI纯水的其中一种或多种，盛放于至少一个液桶内。喷淋头，设置有至少一个喷洒孔，喷淋头通过进液管与至少一个液桶相连。喷淋开关，设置于进液管上，用于控制待喷洒液的喷洒的流量。具体的，喷淋开关设置于至少一个液桶的下方或者桶壁四周。示例性的，当待喷洒液为纯水时，液桶内部盛放纯水，当需要喷洒纯水时，打开喷淋开关，纯水通过进液管，从喷淋头的至少一个喷洒孔喷出以加工晶圆。
[0083] 本实施例的技术方案，通过将晶圆水平吸附于承载吸板，再直接喷淋待喷洒液加工晶圆，使晶圆表面的各个区域可以同时接触待清洗液或刻蚀液都非常均匀(相同时间、浓度和配比)，解决了晶圆清洗和/或刻蚀不均匀的问题，达到了提高晶圆的良品率、质量及可靠性的效果。
[0084] 替代实施例中，参见图12，在步骤208之后还包括：
[0085] 步骤210、在第一预设时间之后，关闭第一喷淋开关；
[0086] 步骤212、开启第二喷淋开关以通过至少一个喷洒孔喷洒第二待喷洒液；
[0087] 步骤214、在第二预设时间之后，关闭第二喷淋开关。
[0088] 本替代实施例中，第一待喷洒液盛放于第一液桶中，第二待喷洒液盛放于第二液桶中；第一液桶和第二液桶分别通过进液管与喷淋头相连；在第一液桶和第二液桶与喷淋头之间的进液管分别设置有第一喷淋开关和第二喷淋开关。当需要依次喷洒第一待喷洒液、第二待喷洒液和第三待喷洒液时，先打开第一喷淋开关，第一待喷洒液通过进液管，从喷淋头的至少一个喷洒孔喷出，喷洒完成后，关闭第一喷淋开关；再打开第二喷淋开关，第二待喷洒液通过进液管，从喷淋头的至少一个喷洒孔喷出，喷洒完成后，关闭第二喷淋开关。
[0089] 在其他实施例中，参见图13，在步骤214之后还包括：
[0090] 步骤216、开启第三喷淋开关以通过至少一个喷洒孔喷洒第三待喷洒液；
[0091] 步骤218、在第三预设时间之后，关闭第三喷淋开关。
[0092] 本替代实施例中，参见图13，通过不同待喷洒液加工晶圆，可以实现一次完成晶圆清洗和/或刻蚀的流程，减少反复更换液桶内待喷洒液体的次数，节约了人力和时间，提高了晶圆加工的效率。
[0093] 替代实施例中，在步骤202之前还包括：
[0094] 步骤102、使用机械臂将晶圆移动到承载吸板上。
[0095] 本替代实施例中，使用机械臂将晶圆放置到承载吸板上，将晶圆有芯片的一面朝上，背面朝下紧贴承载吸板。
[0096] 步骤104、获取晶圆的直径和/或晶圆在承载吸板上的位置。
[0097] 本替代实施例中，晶圆的直径可以由上位机根据重量传感器检测到的晶圆重量信号判断晶圆的面积或尺寸类型，进而控制预设分布位置和预设数量的喷洒孔的工作状态，使得处于喷淋状态的喷洒孔和晶圆的面积相互匹配，以最大程度节省喷淋液体的使用。
[0098] 本替代实施例中，承载吸板的上方还可以设有图像采集模块，像采集模块与上位机相连，用于采集承载吸板上的图像。晶圆的直径和位置可以由上位机通过分析承载吸板上的图像得到，具体包括：
[0099] A1：图像采集模块获取承载吸板上的图像；
[0100] A2：上位机通过判断承载吸板上的图像中是否包括晶圆判断晶圆是否已经放置在承载吸板上。
[0101] A3：若是，上位机根据采集到的图像则分析晶圆的直径和晶圆在承载吸板上的位置。
[0102] 步骤106、根据晶圆的直径和/或晶圆在承载吸板上的位置设置处于工作状态的至少一个喷洒孔的开启数量和分布位置。
[0103] 示例性的，喷洒孔的数量和分布位置根据晶圆在真空吸盘上的位置以及晶圆自身的尺寸进行设定。示例性的，处理6英寸的晶圆，喷洒头可以设置喷洒头正中间的360个喷洒孔开启，喷洒头外围的720个喷洒孔关闭；处理10英寸的晶圆，喷洒头可以设置喷洒头正中间的720个喷洒孔开启，喷洒头外围的360个喷洒孔关闭。本实施例的开启或关闭的喷洒孔的数量仅用于举例说明，并不作为本实施例的限制。
[0104] 本替代实施例的技术方案，通过设置机械臂，可以更加准确将晶圆移动到承载吸板上，减少了人工劳动产生的误差。通过设置喷洒孔开关，解决了喷洒头定位喷洒的问题，实现了在指定区域内喷水，节约待喷洒液的效果。
[0105] 注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
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