AN IMPROVED ANTIFUSE CIRCUIT STRUCTURE FOR USE IN A FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
专利汇可以提供AN IMPROVED ANTIFUSE CIRCUIT STRUCTURE FOR USE IN A FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且An antifuse structure particularly suitable for field programmable gate arrays is presented. In most present day processes the antifuse structure is formed with a refractory metal layer (22), amorphous silicon layer (25) and refractory metal layer (24) sandwiched between two metal interconnection lines (21, 25). Unprogrammed resistance of very high values, programmed resistances of very low values, short programming times and desirable programming voltages are among the advantages realized.，下面是AN IMPROVED ANTIFUSE CIRCUIT STRUCTURE FOR USE IN A FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF专利的具体信息内容。
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