专利汇可以提供存储单元结构及半导体器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种存储单元结构及 半导体 器件,包括衬底及位于所述衬底上的若干存储单元,所述存储单元包括两个栅极结构,每个所述栅极结构包括一层叠体及围绕所述层叠体的栅介质层,所述层叠体包括顺次重叠的栅 氧 化层、 浮栅 层及控制栅层,所述栅氧化层较所述控制栅层更靠近所述衬底,其中,所述浮栅层的上下表面均呈波浪形,从而在器件尺寸缩小的同时能够保证浮栅层的面积足够,增加了浮栅层存储 电子 的能 力 ,且可以利用浮栅层表面的形状使两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起以形成浮栅尖端,结构更加简单。,下面是存储单元结构及半导体器件专利的具体信息内容。
1.一种存储单元结构,其特征在于,包括衬底及位于所述衬底上的若干存储单元,所述存储单元包括两个栅极结构,每个所述栅极结构包括一层叠体及围绕所述层叠体的栅介质层,所述层叠体包括顺次重叠的栅氧化层、浮栅层及控制栅层,所述栅氧化层较所述控制栅层更靠近所述衬底,其中,所述浮栅层的上下表面均呈波浪形,且两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起以形成浮栅尖端。
2.如权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端的表面具有向上的弧形轮廓,以使所述两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起。
3.如权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,所述衬底中形成有交替排布的若干源区和若干漏区,所述栅极结构位于所述源区和所述漏区之间。
4.如权利要求3所述的存储单元结构,其特征在于,两个所述栅极结构共用所述漏区,两个所述栅极结构之间的衬底上形成有字线结构,所述字线结构与所述源区的位置相对应。
5.如权利要求3所述的存储单元结构,其特征在于,两个所述栅极结构的浮栅层的浮栅尖端均对准所述字线结构。
6.如权利要求5所述的存储单元结构,其特征在于,所述存储单元结构还包括一介质层,所述介质层位于所述衬底上,两个所述栅极结构均位于所述介质层中。
7.如权利要求6所述的存储单元结构,其特征在于,所述介质层中还形成有若干导电插塞,所述导电插塞与所述源区、漏区及字线结构连接,以将所述源区、漏区及所述字线结构引出。
8.如权利要求7所述的存储单元结构,其特征在于,所述导电插塞与所述源区、漏区或字线结构之间还设置有一欧姆接触层,所述欧姆接触层的材料为金属硅化物。
9.如权利要求1所述的存储单元结构,其特征在于,所述栅氧化层的材料为氧化硅,所述浮栅层及所述控制栅层的材料均为多晶硅。
10.一种半导体器件,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的存储单元结构。
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