专利汇可以提供一种掺钕溴化镧单晶闪烁体及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了属于无机 闪烁体 射线探测技术领域的一种掺钕溴化镧单晶闪烁体及其制备方法。该闪烁体的结构为:掺钕溴化镧晶体的上面和侧面缠绕有光反射材料,光反射材料外部包裹 铝 皮,底面铺设 石英 玻璃片,石英玻璃片与掺钕溴化镧晶体和铝皮间通过透明液体胶粘牢。本发明的闪烁体能对LaBr3:Ce3+发光区域做出改善,使其向长波方向延伸,以更好地与长波响应的 光电倍增管 相匹配。,下面是一种掺钕溴化镧单晶闪烁体及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种掺钕溴化镧单晶闪烁体,其特征在于,掺钕溴化镧晶体的上面和侧面缠绕有光反射材料,光反射材料外部包裹铝皮,底面铺设石英玻璃片,石英玻璃片与掺钕溴化镧晶体和铝皮间通过透明液体胶粘牢;所述掺钕溴化镧晶体中NdBr3的质量百分比为2%。
2.根据权利要求1所述一种掺钕溴化镧单晶闪烁体,其特征在于,所述光反射材料为聚四氟乙烯。
3.根据权利要求1所述一种掺钕溴化镧单晶闪烁体,其特征在于,所述石英玻璃片的厚度为0.1-1mm。
4.一种掺钕溴化镧单晶闪烁体的制备方法,其特征在于,按照如下步骤进行:
(1)在干燥的手套箱中,将LaBr3与NdBr3多晶混合后移入石英坩埚并抽真空封装;
NdBr3的加入量为LaBr3和NdBr3总质量的2%;
(2)采用布里奇曼法生长完成晶体并切割、研磨、抛光后,暂时储存在液体石蜡中,得到掺钕溴化镧晶体,准备进行晶体封装。布里奇曼法生长过程为:单晶生长炉在竖直方向上分为两个温区,上半部为高温区,一般应高于原料熔点50℃以上,以使原料易于吸热熔化,下半部为低温区,低于原料熔点。盛装原料并抽真空密封的坩埚首先在上温区停留,使原料充分熔化并混合均匀。然后坩埚缓慢下降,使坩埚底部位于低温区,底部原料凝固成多晶,即自发形成晶核。然后整个坩埚缓慢下降,使上部熔融的原料通过具有一定温度梯度的固液界面,从而长成单晶。
(4)将铝皮、石英玻璃片及聚四氟乙烯胶带在恒温150℃的烘箱中烘烤两天以上,迅速转移至湿度4%以下的手套箱中待用;
(5)在干燥的手套箱中,将掺钕溴化镧晶体从液体石蜡中拿出,用聚四氟乙烯胶带缠紧并置于铝皮中后,底面用透明胶水与厚度小于1mm的石英玻璃薄片粘牢。
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