专利汇可以提供具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及具有反射光电 阴极 阵列的 光电倍增管 (PMT)。具体的,提供一种光电倍增管PMT的具有反射光电阴极阵列的内部部分及一种用于制造所述内部部分的方法。所述PMT的所述内部部分包括所述反射光电阴极阵列及对应于所述反射光电阴极阵列的至少一个二次发射极结构。每一反射光电阴极接收光且从所述光产生光 电子 ,所述 光电子 接着朝向所述至少一个二次发射极结构行进。在所述光电子与所述至少一个二次发射极结构 接触 后,所述光电子即刻倍增。,下面是具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)专利的具体信息内容。
1.一种端窗式光电倍增管PMT,其包括:
外壳,其具有具窗的顶端、横向侧和底端;
反射光电阴极阵列,其在所述外壳内,所述反射光电阴极中的每一者用于接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光且用于从所述所接收光产生光电子;及至少一个二次发射极结构,其在所述外壳内且对应于所述反射光电阴极阵列以使由所述对应反射光电阴极阵列产生的所述光电子倍增;
其中所述反射光电阴极中的每一者是从所述外壳的所述顶端以倾斜角度定位,且其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构;
其中所述反射光电阴极中的每一者之间具有间隙。
2.根据权利要求1所述的端窗式PMT,其中所述外壳是管。
3.根据权利要求1所述的端窗式PMT,其中所述至少一个二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
4.根据权利要求3所述的端窗式PMT,其中所述二次发射极被定位成链以使所述光电子在其间通过。
5.根据权利要求3所述的端窗式PMT,其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。
6.根据权利要求1所述的端窗式PMT,其中所述光是以下各项中的一者:
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列,及
垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
7.根据权利要求6所述的端窗式PMT,其中:
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时,所述反射光电阴极中的每一者则是以第一角度安放,且
当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时,所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。
8.一种用于制造端窗式光电倍增管PMT的方法,其包括:
在具有具窗的顶端、横向侧和底端的外壳内配置反射光电阴极阵列,所述反射光电阴极中的每一者处于能够接收通过所述外壳的所述顶端的所述窗以进入所述外壳的光的位置;及
在所述外壳内设置对应于所述反射光电阴极阵列的至少一个二次发射极结构,所述至少一个二次发射极结构处于能够在所述对应反射光电阴极阵列从所述所接收光产生光电子时接收所述光电子的位置;
其中使所述反射光电阴极中的每一者从所述外壳的顶端以倾斜角度定位,且其中所述至少一个二次发射极结构包含对应于所述阵列中的所述反射光电阴极中的每一者的单独二次发射极结构;
其中所述反射光电阴极中的每一者之间具有间隙。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述外壳是管。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述二次发射极结构中的每一者包含多个二次发射极。
11.根据权利要求10所述的方法,其中将所述二次发射极定位成链以使所述光电子在其间通过。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述二次发射极中的每一者使其所接收的光电子倍增。
13.根据权利要求8所述的方法,其中所述光是以下各项中的一者:
以一角度入射到所述反射光电阴极阵列,及
垂直地入射到所述反射光电阴极阵列。
14.根据权利要求13所述的方法,其中:
当所述光是以所述角度入射到所述反射光电阴极阵列时,所述反射光电阴极中的每一者则是以第一角度安放,且
当所述光是垂直地入射到所述反射光电阴极阵列时,所述反射光电阴极中的每一者则是以不同于所述第一角度的第二角度安放。
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