专利汇可以提供一种HPD器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提出一种HPD器件。包括光电 阴极 组件、管壳结构组件、 阳极 组件、 挡板 和 雪 崩 放大器 件芯片;采用雪崩放大器件芯片作为 光电倍增管 的接收阳极;管壳结构组件中采用“凸”型 结构陶瓷 和“Z”型封接环对挡板进行限位;对雪崩放大器件芯片的下 电极 进行单独引出;阳极组件中的阳极金属盘和挡板电位悬空。本发明在 信号 放大的同时保持极低的噪声 水 平。,下面是一种HPD器件专利的具体信息内容。
1.一种HPD器件,包括光电阴极组件(10)、管壳结构组件(20)、阳极组件(40),其特征在于,还包括挡板(30)和雪崩放大器件芯片(50);
所述管壳结构组件(20)包括上封接环(21)、横截面为“凸”形的陶瓷环(22)、横截面为“Z”形的下封接环(23),其中,陶瓷环(22)的凸台阶径向向内;
所述挡板(30)包括金属挡板实体(31),在金属挡板实体(31)的中心区域布置有以N×N阵列形式排列的N×N个圆孔(32),N≥2;
所述阳极组件(40)包括阳极金属盘(41)、在阳极金属盘(41)中心位置设置的导电层(45)、与导电层(45)连接的下电极金属引针(44)、在导电层(45)周围以N×N阵列形式排列的N×N个上电极金属引针(43);其中,下电极金属引针(44)和N×N个上电极金属引针(43)均用绝缘材料与阳极金属盘(41)绝缘封接,且下电极金属引针(44)的上端与阳极金属盘(41)的上表面在同一平面内,每个上电极金属引针(43)的上端高出阳极金属盘(41)的上表面,用于封接下电极金属引针(44)的绝缘材料的面积大于导电层(45)的面积;
所述金属挡板实体(31)固定在下封接环(23)的上面,并套嵌在由陶瓷环(22)的凸台阶所形成的圆环内;
所述N×N个雪崩放大器件芯片(50)以N×N阵列形式固定在导电层(45)上,且每个雪崩放大器件芯片(50)的有效区(53)分别与金属挡板实体(31)上的每个圆孔(32)对中;
所述N×N个雪崩放大器件芯片(50)的上电极均通过金属丝(46)分别与N×N个上电极金属引针(43)连接。
2.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,所述雪崩放大器件芯片(50)为雪崩光电二极管或者雪崩二极管。
3.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,所述圆孔(32)的孔口面积小于雪崩放大器件芯片(50)的有效区(53)的面积。
4.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,在光电阴极组件(10)施加负高压,下电极金属引针(44)接地,N×N个上电极金属引针(43)均接负电压,信号从N×N个上电极金属引针(43)读出。
5.如权利要求4所述的HPD器件,其特征在于,所述施加在光电阴极组件(10)上的负高压为-5KV~-12KV,所述施加在上电极金属引针(43)上的负压为-50V~-400V。
6.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,所述用于绝缘封接下电极金属引针(44)和上电极金属引针(43)的绝缘材料为玻璃或者陶瓷。
7.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,所述光电阴极(12)为双碱阴极、多碱阴极、GaAs阴极、InGaAs阴极或GaASP阴极。
8.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,所述上封接环(21)和下封接环(23)的材料为可伐,所述挡板(30)的材料为不锈钢或可伐,所述阳极金属盘(41)的材料为可伐,所述金属丝(46)为金丝或硅铝丝。
9.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,所述输入光窗(11)的材料为石英玻璃或者康宁玻璃。
10.如权利要求1所述的HPD器件,其特征在于,所述上电极金属引针(43)和下电极金属引针(44)的直径均为1~3mm。
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