专利汇可以提供一种振幅/位相混合型计算全息板及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 的振幅/位相混合型CGH的制备方法,先在基底表面 镀 铬,涂胶,对 检测区域 采用激光直写技术进行曝光显影,并通过湿法 刻蚀 去掉检测区域的铬层;再重新涂胶,此时检测区域只有 光刻 胶 附着在表面,对准区域为铬层加光刻胶,利用激光直写技术将完整的CGH结构曝光、显影,湿法刻蚀将对准区域的微纳结构转移到了铬层上;之后遮挡对准区域, 干法刻蚀 检测区域,将检测区域的微纳结构转移到基底上;最后去掉光刻胶。本发明的制备方法使对准区域和检测区域的微纳结构同时生成,降低加工工艺的复杂度,避免分次加工会引入的套刻误差;制备的振幅/位相混合型CGH在对准区域的反射光路及检测区域的 透射光 路中都实现了高衍射效率。,下面是一种振幅/位相混合型计算全息板及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种振幅/位相混合型CGH的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在洁净的基底表面镀一层铬层,之后在所述铬层表面旋涂一层第一光刻胶层;
S2、采用激光直写技术对检测区域内的所述第一光刻胶层进行曝光、显影,去除所述检测区域内的所述第一光刻胶层;之后湿法刻蚀去除所述检测区域内的所述铬层,再去除残留的所述第一光刻胶层,之后清洗干净、干燥;
S3、在所述步骤S2后的基板的表面旋涂一层第二光刻胶层,所述第二光刻胶层的横截面呈T形;
S4、采用激光直写技术,将完整的CGH图案曝光在所述步骤S3后的基板表面,之后显影,所述第二光刻胶层的表面出现完整的CGH微纳结构;之后湿法刻蚀对准区域内的所述铬层,使所述对准区域的微纳结构转移到所述铬层;
S5、将所述步骤S4后基板置于带有遮挡的工装中,所述工装的遮挡区域覆盖所述对准区域,所述检测区域暴露在外,采用干法刻蚀所述检测区域,使所述检测区域的所述第二刻胶层的微纳结构转移到所述基底上;
S6、去掉所述工装,清除所述步骤S5后基板上残留的所述第二光刻胶层,之后清洗干净、干燥,得到振幅/位相混合型CGH。
2.根据权利要求1所述的振幅/位相混合型CGH的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述铬层的厚度为100-200nm,所述第一光刻胶层的厚度为400-600nm。
3.根据权利要求1所述的振幅/位相混合型CGH的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,显影时间为45-55s,湿法刻蚀时间为45-55s。
4.根据权利要求1所述的振幅/位相混合型CGH的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,所述对准区域的所述第二光刻胶层的厚度为400-600nm。
5.根据权利要求1所述的振幅/位相混合型CGH的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,显影时间为45-55s,湿法刻蚀时间为45-55s。
6.根据权利要求1所述的振幅/位相混合型CGH的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,干法刻蚀为离子束刻蚀,刻蚀深度为200-400nm。
7.根据权利要求1所述的振幅/位相混合型CGH的制备方法,其特征在于,所述基底为熔融石英基底或K9玻璃基底,径厚比为10。
8.一种振幅/位相混合型CGH,采用如权利要求1-7中任意一项所述的振幅/位相混合型CGH的制备方法制备得到,所述对准区域为振幅型CGH,所述检测区域为位相型CGH。
9.根据权利要求8所述的振幅/位相混合型CGH,其特征在于,所述振幅/位相混合型CGH为圆片状,中心为所述检测区域的内圆片状结构,外缘为所述对准区域的外圆环片状结构,所述检测区域的外径比所述对准区域的内径小10mm。
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