专利汇可以提供InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种InAlN/GaN 异质结 有源区的埋层结构和激活方法,所述埋层结构包括由下至上依次排列的半绝缘衬底、InxAlN/GaN异质结、 刻蚀 终止层、 缓冲层 和 半导体 层。所述激活方法为用干法或湿法或干湿混合的方法刻蚀到InAlN层,然后再用 碱 性 腐蚀 液选择刻蚀InAlN,使刻蚀停止在刻蚀终止层上,实现刻蚀深度的精确控制。本发明实现了InAlN/GaNHEMT异质结器件与其他半导体器件(其组分含In、Al、Ga、N元素)的连接,将不同器件集成在一个 晶圆 片上。为将来实现InxAlN/GaNHEMT与其他半导体器件(半导体由In,Ga,Al,N至少两种元素以上组成)的集成提供了一条新技术路线。,下面是InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法专利的具体信息内容。
1.一种InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构,包括半导体层(1)、InxAlN/GaN异质结(4)和半绝缘衬底(5),其特征在于还包括缓冲层(2)、刻蚀终止层(3);所述半绝缘衬底(5)、InxAlN/GaN异质结(4)、刻蚀终止层(3)、缓冲层(2)和半导体层(1)的厚度大于0Å,由下至上依次排列,所述缓冲层(2)的材料为InxAlN,且缓冲层(2)具有足够大的厚度,能够使InxAlN /GaN异质结(4)处的二维电子气浓度急剧减少;所述刻蚀终止层(3)的材料为GaN;所述InxAlN /GaN异质结(4)中x=0.17,InxAlN缓冲层(2)中x=0.17。
2.根据权利要求1所述的InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构,其特征在于所述半绝缘衬底(5)、InxAlN/GaN异质结(4)、刻蚀终止层(3)、缓冲层(2)和半导体层(1)的掺杂情况为ID或UID。
3.根据权利要求1所述的InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构,其特征在于所述半导体层(1)为单层或多层结构。
4.根据权利要求1所述的InAlN/GaN异质结有源区埋层结构的器件深埋激活方法,其特征在于所述方法的工艺步骤为:a、刻蚀半导体层(1):根据半导体材料的性质选择湿法或干法或湿法干法混合技术刻蚀到缓冲层(2);b、刻蚀缓冲层(2):采用化学湿法刻蚀缓冲层(2)。
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