1.一种用于离子束的空间电荷中和的等离子体发生器，包括：
可操作以产生离子束且沿射束线路径引导所述离子束的离子注入系统；
可操作以在一部分所述射束线路径中产生电场的电场发生系统，所述电场具有沿第一方向取向的部分；
可操作以在所述射束线路径的所述部分中产生磁场的磁场发生系统，所述磁场具有沿垂直于所述第一方向的第二方向取向的部分；和
可操作以将气体引入所述电场和所述磁场占据的区域中的气体源，其中所述区域中的电子由于所述电场和所述磁场而在所述区域中移动，且其中至少一些所述电子与所述区域中的所述气体碰撞以使一部分所述气体离子化，由此在与所述射束线路径的所述部分相关联的所述区域中产生等离子体。
2.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其中所述电场发生系统包括耦接到射频电源上的一对或多对电极，由此在所述区域中的所述电极之间产生交变电场。
3.根据权利要求2所述的等离子体发生器，其中所述一对或多对电极包括指状交叉型电极。
4.根据权利要求2所述的等离子体发生器，其中所述一对或多对电极中的每对分别具有相对侧部、顶面和底面，且其中所述一对或多对电极的所述相对侧部和所述底面被介电材料围绕，且其中所述电极之间的所述交变电场从所述电极的所述顶面延伸出来。
5.根据权利要求4所述的等离子体发生器，进一步包括覆在所述一对或多对电极的所述顶面上的石英层。
6.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其中所述射束线路径的所述部分包括质量分析系统。
7.根据权利要求6所述的等离子体发生器，其中所述质量分析系统进一步包括一对线圈，所述一对线圈具有设置在其间的射束线路径，其中当电流传导通过所述一对线圈时，所述一对线圈可操作以产生大体上垂直于带状离子束的传播方向的磁场，且其中所述一对线圈包括所述磁场发生系统。
8.根据权利要求7所述的等离子体发生器，其中所述电场发生系统包括一对偏压电极，所述一对偏压电极可操作以在其间产生所述电场。
9.根据权利要求8所述的等离子体发生器，其中所述电场发生系统进一步包括耦接到所述一对偏压电极上的射频源。
10.根据权利要求8所述的等离子体发生器，其中所述一对线圈沿所述带状离子束的宽度方向延伸且在线圈的任一端上限定出所述质量分析系统的第一相对侧部和第二相对侧部，且其中所述一对偏压电极被置于所述第一相对侧部上。
11.根据权利要求10所述的等离子体发生器，其中所述一对偏压电极中的每个包括大体上沿所述质量分析系统的轮廓延伸的拱形传导部段和沿所述拱形传导部段电耦接和连接的多个传导构件。
12.根据权利要求11所述的等离子体发生器，其中所述多个传导构件进一步包括磁体，其中每个所述磁体具有与第一端相关联的北极和与其第二端相关联的南极。
13.根据权利要求12所述的等离子体发生器，其中一个所述传导部段上的磁体被布置以使得所述北极和南极具有第一取向，其中磁体的北极面向内朝向另一个所述传导部段上的磁体，且南极面向外远离所述另一个传导部段上的所述磁体，且另一个所述传导部段上的磁体被布置具有第二取向，其中磁体的北极面向内朝向所述一个传导部段上的所述磁体，且南极面向外远离所述一个传导部段上的所述磁体。
14.根据权利要求12所述的等离子体发生器，其中一个所述传导部段上的磁体被布置以使得所述北极和南极具有第一取向，其中磁体的南极面向内朝向另一个所述传导部段上的磁体，且北极面向外远离所述另一个传导部段上的所述磁体，且另一个所述传导部段上的磁体被布置具有第二取向，其中磁体的南极面向内朝向所述一个传导部段上的所述磁体，且北极面向外远离所述一个传导部段上的所述磁体。
15.根据权利要求12所述的等离子体发生器，其中所述磁体可操作以沿所述质量分析系统的所述第一相对侧部产生多尖端场，且其中所述多尖端场可操作以与所述电场相互作用从而使电子移动进入到所述多尖端场中的区域中，且其中至少一些移动电子可操作以使其中的气体离子化，由此产生所述等离子体。
16.根据权利要求15所述的等离子体发生器，进一步包括在与所述第一相对侧部上的所述拱形传导部段相对的所述质量分析系统的第二相对侧部上沿所述射束线路径延伸的多个磁体，且每个所述磁体具有与其相关联的北极和南极，其中所述多个磁体相对于所述拱形传导部段上的所述磁体具有约九十度的取向且可操作以沿所述质量分析系统的所述第二相对侧部产生多尖端磁场。
17.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其中所述射束线路径的所述部分包括质量分析系统下游的漂移区域，其中所述射束线路径部分中的所述等离子体为通过所述射束线路径部分的所述离子束提供了空间电荷中和。
18.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其中所述离子注入系统包括可操作以产生带状离子束的离子源。
19.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其中所述离子注入系统包括可操作以扫描射束用以产生带状离子束的扫描系统。
20.一种离子注入系统，包括：
可操作以产生离子束的离子源；
可操作以接收所述离子束且使所述离子束内具有所需荷质比的离子沿预定路径偏转的质量分析系统，所述质量分析系统进一步包括可操作以在其中产生等离子体用以中和与所述离子束相关联的空间电荷的等离子体发生器，其中所述等离子体发生器包括：
可操作以在所述质量分析系统中产生电场的电场发生系统，所述电场具有沿第一方向取向的部分；
可操作以在所述质量分析系统中产生磁场的磁场发生系统，所述磁场具有沿垂直于所述第一方向的第二方向取向的部分，其中所述部分中的电子由于所述电场和所述磁场而移动，且其中至少一些所述电子与其中的残余气体碰撞以使一部分所述气体离子化；和所述质量分析系统下游的终端站，所述终端站可操作以支承工件用以通过所述离子束对所述工件进行注入。
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述电场发生系统包括耦接到射频电源上的一对或多对电极，由此在所述区域中的所述电极之间产生交变电场。
22.根据权利要求21所述的系统，其中所述一对或多对电极包括指状交叉型电极。
23.根据权利要求21所述的系统，其中所述一对或多对电极中的每对分别具有相对侧部、顶面和底面，且其中所述一对或多对电极的所述相对侧部和所述底面被介电材料围绕，且其中所述电极之间的所述交变电场从所述电极的所述顶面延伸出来。
24.根据权利要求23所述的系统，进一步包括覆在所述一对或多对电极的所述顶面上的石英层。
25.根据权利要求20所述的系统，其中所述离子束包括带形离子束。
26.根据权利要求25所述的系统，其中所述质量分析系统进一步包括一对线圈，所述一对线圈具有设置在其间的射束线路径，其中当电流传导通过所述一对线圈时，所述一对线圈可操作以产生大体上垂直于所述带状离子束的传播方向的磁场。
27.根据权利要求26所述的系统，其中所述一对线圈包括所述磁场发生系统。
28.根据权利要求26所述的系统，其中所述电场发生系统包括一对偏压电极，所述一对偏压电极可操作以在其间产生所述电场。
29.根据权利要求28所述的系统，其中所述电场发生系统进一步包括耦接到所述一对偏压电极上的射频源。
30.根据权利要求28所述的系统，其中所述一对线圈沿所述带状离子束的宽度方向延伸且在线圈的任一端上限定出所述质量分析系统的第一相对侧部和第二相对侧部，且其中所述一对偏压电极被置于所述第一相对侧部上。
31.根据权利要求30所述的系统，其中所述一对偏压电极中的每个包括大体上沿所述质量分析系统的轮廓延伸的拱形传导部段和沿所述拱形传导部段电耦接和连接的多个传导构件。
32.根据权利要求31所述的系统，其中所述电场发生系统进一步包括耦接到所述拱形传导部段上的射频源，由此分别在置于一个所述拱形传导部段上的所述传导构件和另一个所述拱形传导部段上的所述传导构件之间产生射频电场，且其中所述射频电场的方向大体上垂直于所述射束线路径内的磁场。
33.根据权利要求31所述的系统，其中所述多个传导构件进一步包括磁体，其中每个所述磁体具有与第一端相关联的北极和与其第二端相关联的南极。
34.根据权利要求33所述的系统，其中一个所述传导部段上的磁体被布置以使得所述北极和南极具有第一取向，其中磁体的北极面向内朝向另一个所述传导部段上的磁体，且南极面向外远离所述另一个传导部段上的所述磁体，且另一个所述传导部段上的磁体被布置具有第二取向，其中磁体的北极面向内朝向所述一个传导部段上的所述磁体，且南极面向外远离所述一个传导部段上的所述磁体。
35.根据权利要求33所述的系统，其中一个所述传导部段上的磁体被布置以使得所述北极和南极具有第一取向，其中磁体的南极面向内朝向另一个所述传导部段上的磁体，且北极面向外远离所述另一个传导部段上的所述磁体，且另一个所述传导部段上的磁体被布置具有第二取向，其中磁体的南极面向内朝向所述一个传导部段上的所述磁体，且北极面向外远离所述一个传导部段上的所述磁体。
36.根据权利要求33所述的系统，其中所述磁体可操作以沿所述质量分析系统的所述第一相对侧部产生多尖端场，且其中所述多尖端场可操作以与所述电场相互作用从而使电子移动进入到所述多尖端场中的区域中，且其中至少一些移动电子可操作以使其中的气体离子化，由此产生所述等离子体。
37.根据权利要求36所述的系统，进一步包括在与所述第一相对侧部上的所述拱形传导部段相对的所述质量分析系统的第二相对侧部上沿所述射束线路径延伸的多个磁体，且每个所述磁体具有与其相关联的北极和南极，其中所述多个磁体相对于所述拱形传导部段上的所述磁体具有约九十度的取向且可操作以沿所述质量分析系统的所述第二相对侧部产生多尖端磁场。
38.一种在离子注入系统中产生等离子体的方法，包括：
在一个区域中产生电场和具有大体上垂直于一部分所述电场的部分的磁场以使电子在所述区域内移动；以及
在所述区域中提供气体，其中至少一些移动的电子与部分所述气体碰撞以使所述气体离子化，由此在所述区域中产生所述等离子体，
其中产生所述大体上垂直的电场和磁场包括：
将一对电极安放在具有取向大体上垂直于离子束在所述离子注入系统中的传播方向的磁场的质量分析导引装置中；以及
对所述一对电极加偏压，由此在其间产生所述电场，其中所述一对电极被放置以使得所述电场的方向大体上垂直于所述质量分析系统中的所述磁场。
39.根据权利要求38所述的方法，其中产生所述大体上垂直的电场和磁场包括：
沿两个传导、电绝缘部段构造多个传导磁体构件，其中每个所述传导磁体构件具有与其相关联的北极和南极，其中所述传导磁体构件可操作以在其间产生多尖端磁场；以及对一个部段上的多个所述传导磁体构件以及另一个部段上的多个所述传导磁体构件加偏压，由此在其间产生电场。
40.根据权利要求39所述的方法，其中在所述离子注入系统内的质量分析系统中产生所述等离子体，且所述质量分析系统包括拱形通道，所述拱形通道具有沿所述拱形通道延伸的第一相对侧部和第二相对侧部，且其中所述两个传导、电绝缘部段相互间隔一定距离地沿第一相对侧部延伸。
41.根据权利要求40所述的方法，其中与一个传导部段相关联的所述传导磁体构件被构造以沿所述拱形通道延伸，其中每个构件的南极面向外远离所述拱形通道的中心部分，且每个构件的北极面向内朝向所述拱形通道的所述中心部分。
42.根据权利要求41所述的方法，其中与另一个传导部段相关联的所述传导磁体构件被构造以沿所述拱形通道延伸，其中每个构件的南极面向外远离所述拱形通道的中心部分，且每个构件的北极面向内朝向所述拱形通道的所述中心部分。
43.根据权利要求38所述的方法，其中产生所述电场包括：
沿所述离子注入系统的射束线路径构造一对指状交叉型电极；以及
对所述一对指状交叉型电极加偏压以在其间产生所述电场。
44.根据权利要求43所述的方法，其中所述一对指状交叉型电极位于质量分析系统内，且其中所述指状交叉型电极被构造以在其间产生所述电场，所述电场具有大体上垂直于所述质量分析系统内的磁场的取向，所述磁场被用以使传播通过所述质量分析系统中的离子束偏转。
45.根据权利要求44所述的方法，其中所述质量分析系统包括具有第一相对侧部和第二相对侧部的拱形通道，且其中所述指状交叉型电极位于所述第一相对侧部和第二相对侧部中的一个侧部上。
46.根据权利要求38所述的方法，其中提供气体包括采用所述区域内的任何残余气体。