集成电路热模拟装置及方法
阅读：2发布：2022-09-11
专利汇可以提供集成电路热模拟装置及方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种有效的集成 电路 热模拟装置及方法。此热模拟装置包含热分析单元和网格数量分析单元。热分析单元能获得集成电路内所有功能区 块 的 温度 分布，而网格数量分析单元决定每个功能区块内的最佳网格数量。而且此热模拟方法是先使用热分析单元对所有功能区块进行热分析，以得到每个功能区块的中心点和边界温度，然后利用网格数量分析单元决定每个功能区块的最佳网格数量，并且再利用热分析单元依据此功能区块的边界温度求得此功能区块内的每个网格的边界温度，进而得到此功能区块内的每个网格的中心点温度。，下面是集成电路热模拟装置及方法专利的具体信息内容。
1.一种集成电路热模拟装置，其对集成电路进行热分析，该热模拟装置包括：
热分析单元，其对该集成电路的多个功能区块进行热分析，以得到各所述功能区块的中心点温度及边界温度；以及
网格数量分析单元，其决定各所述功能区块的网格数量，且该热分析单元更依据各所述功能区块的边界温度计算各所述功能区块内的每一个网格的边界温度，进而得到各所述功能区块内的每一个网格的中心点温度。
2.如权利要求1所述的热模拟装置，其中所述功能区块分别对应于该集成电路的多个电路模块。
3.如权利要求1所述的热模拟装置，其中该热分析单元使用功能区块模式的热模型对所述功能区块进行热分析，以计算各所述功能区块的中心点温度，进而得到各所述功能区块的边界温度。
4.如权利要求3所述的热模拟装置，其中各所述功能区块的中心点温度依据该热模型的热导、各所述功能区块的功率消耗及环境功率消耗而得到。
5.如权利要求1所述的热模拟装置，其中各所述功能区块的边界温度包含各所述功能区块与环境接触的表面温度、各所述功能区块与相邻功能区块接触的表面温度、各所述功能区块与环境接触的角落温度及各所述功能区块与相邻功能区块接触的角落温度。
6.如权利要求1所述的热模拟装置，其中该网格数量分析单元依据各所述功能区块的边界温度及使用者设定的温度分辨率来决定各所述功能区块的网格数量。
7.如权利要求1所述的热模拟装置，其中该热分析单元通过内插法得到各所述功能区块内的每一个网格的边界温度。
8.如权利要求1所述的热模拟装置，其中所述功能区块内的网格的中心点温度为该网格的所有边界温度的平均值。
9.一种集成电路热模拟方法，其与集成电路热仿真装置配合，以对集成电路进行热分析，该热仿真装置包括热分析单元及网格数量分析单元，该热仿真方法包括以下步骤：
由该热分析单元对该集成电路的多个功能区块进行热分析，以计算各所述功能区块的中心点温度；
由该热分析单元依据各所述功能区块的中心点温度计算各所述功能区块的边界温度；
由该网格数量分析单元决定各所述功能区块的网格数量；
由该热分析单元依据各所述功能区块的边界温度计算各所述功能区块内的每一个网格的边界温度；以及
由该热分析单元依据各所述功能区块内的每一个网格的边界温度计算各所述功能区块内的每一个网格的中心点温度。
10.如权利要求9所述的热模拟方法，其中在计算各所述功能区块的中心点温度的步骤中，使用功能区块模式的热模型对所述功能区块进行热分析。
11.如权利要求10所述的热模拟方法，其中各所述功能区块的中心点温度依据该热模型的热导、各所述功能区块的功率消耗及环境功率消耗而得到。
12.如权利要求9所述的热模拟方法，其中各所述功能区块的边界温度包含各所述功能区块与环境接触的表面温度、各所述功能区块与相邻功能区块接触的表面温度、各所述功能区块与环境接触的角落温度及各所述功能区块与相邻功能区块接触的角落温度。
13.如权利要求9所述的热模拟方法，其中在决定各所述功能区块的网格数量的步骤中，依据各所述功能区块的边界温度及使用者设定的温度分辨率来决定。
14.如权利要求9所述的热模拟方法，其中在计算各所述功能区块内的每一个网格的边界温度的步骤中，通过内插法来得到。
15.如权利要求9所述的热模拟方法，其中所述功能区块内的网格的中心点温度为该网格的所有边界温度的平均值。
集成电路热模拟装置及方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种热模拟装置及方法，特别涉及一种集成电路热模拟装置及方法。
背景技术
[0002] 在集成电路(integrated circuit，IC)的设计中，由于高功率密度容易导致严重的热效应问题，若在集成电路的设计中没有考虑温度效应，则芯片的可靠度可能会大幅降低，不仅使得芯片的功率消耗增加，系统效能也会跟着降低。因此，若能在早期集成电路的设计中即通过热模拟器进行热分析，以考虑温度效应对芯片的影响，即可大幅提高芯片的可靠性，进而降低功率消耗以及提升系统效能。
[0003] 在公知技术中，热模拟器大都使用以下两种分析模式对集成电路进行热分析，一种称为功能区块(function block)模式热分析，功能区块模式热分析是针对集成电路内的功能区块进行热分析，如图1A所示，集成电路的布局C1被区分为5个功能区块C11～C15，每个功能区块可对应一个功能模块，并以功能区块为单位对集成电路进行热分析，以得到每个区块的发热点(每个区块都有一个发热点，此发热点假设为区块的中心点)。由于功能区块热分析是以功能区块为单位进行分析，因此，所得到的芯片热分析精度及准确性并不佳。
[0004] 另一种称为结构性网格(structured mesh)模式热分析，如图1B所示，其将集成电路的布局C1区分成有规则的网格C16(每个网格C16例如可对应一个元件，例如逻辑门)，并以网格为单位对集成电路进行热分析，以得到每个网格C16的发热点(每个网格的中心点假设为该网格的发热点)。虽然规则网格热分析可得到相当高的温度分析精度及准确性，但是，由于规则网格分析模式是采用矩阵运算方式求得每个网格的温度，因此当网格的数目增加时，所需运算矩阵的大小也成平方倍数的增加，相对会大幅增加分析及运算的时间。
[0005] 因此，如何提供一种集成电路热模拟装置及热模拟方法，可减化公知技术热分析计算的复杂度，并可具有较佳的热分析精度及准确性，已成为重要课题之一。
发明内容
[0006] 有鉴于上述课题，本发明的目的是提供一种可减化公知技术热分析计算的复杂度，并可具有较佳的热分析精度及准确性，不仅可大幅缩短热分析的时间，也可降低集成电路的开发时间及成本的集成电路热模拟装置及热模拟方法。
[0007] 为达上述目的，依据本发明的一种集成电路热模拟装置对集成电路的布局进行热分析，热模拟装置包括热分析单元以及网格数量分析单元。热分析单元对集成电路的多个功能区块进行热分析，以得到各所述功能区块的中心点温度及边界温度。网格数量分析单元决定各所述功能区块内的网格数量，且热分析单元更依据各所述功能区块的边界温度计算各所述功能区块内的每一个网格的边界温度，进而得到各所述功能区块内的每一个网格的中心点温度。
[0008] 为达上述目的，依据本发明的一种集成电路热模拟方法与集成电路热模拟装置配合，以对集成电路进行热分析，热模拟装置包括热分析单元及网格数量分析单元，热模拟方法包括以下步骤：由热分析单元对集成电路的多个功能区块进行热分析，以计算各所述功能区块的中心点温度；由热分析单元依据各所述功能区块的中心点温度计算各所述功能区块的边界温度；由网格数量分析单元决定各所述功能区块内的网格数量，由热分析单元依据各所述功能区块的边界温度计算各所述功能区块内的每一个网格的边界温度；以及由热分析单元依据各所述功能区块内的每一个网格的边界温度计算各所述功能区块内的每一个网格的中心点温度。
[0009] 在一个实施例中，这些功能区块分别对应于集成电路的多个电路模组。
[0010] 在一个实施例中，热分析单元使用功能区块模式的热模型对这些功能区块进行热分析，以计算各所述功能区块的中心点温度，进而得到各所述功能区块的边界温度。
[0011] 在一个实施例中，各所述功能区块的中心点温度依据热模型的热导、各功能区块的功率消耗及环境功率消耗而得到。
[0012] 在一个实施例中，各所述功能区块的边界温度包含各所述功能区块与环境接触的表面温度、各所述功能区块与相邻功能区块接触的表面温度、各所述功能区块与环境接触的角落温度及各所述功能区块与相邻功能区块接触的角落温度。
[0013] 在一个实施例中，网格数量分析单元依据各所述功能区块的边界温度及使用者设定的温度分辨率来决定各所述功能区块的网格数量。
[0014] 在一个实施例中，热分析单元通过内插法得到各所述功能区块内的每一个网格的边界温度。
[0015] 在一个实施例中，这些功能区块内的网格的中心点温度为该网格的所有边界温度的平均值。
[0016] 承上所述，因为在本发明的集成电路热模拟装置及热模拟方法中，是先计算各功能区块的中心点温度后，再计算各功能区块的边界温度，之后，在决定各功能区块的最佳网格数量后，再依据各功能区块的边界温度计算各功能区块内的每一个网格的边界温度后，进而得到各功能区块内的每一个网格的中心点温度。因此，本发明的集成电路热模拟装置及热模拟方法采用一种混合尺寸的规则网格模式热分析方式，以将集成电路上每个功能区块区分成不同数量的规则网格，并求得每个网格的中心点温度，相较于公知的功能区块模式热分析以功能区块为单位进行热分析而言，本发明可明显提高温度分析的精度及准确性。另外，相较于公知的结构性网格模式热分析而言，本发明系利用混合架构模式减少热分析计算的复杂度，避免通过运算一个巨大矩阵来求得每个网格的温度，因此，不仅可大幅缩短热分析的时间，也可降低集成电路的开发时间及成本。附图说明
[0017] 图1A为公知的一种功能区块模式热分析的示意图。
[0018] 图1B为公知的一种结构性网格模式热分析的示意图。
[0019] 图2A为本发明优选实施例的一种集成电路热模拟方法的流程步骤图。
[0020] 图2B为本发明优选实施例的一种集成电路热模拟装置的功能方块示意图。
[0021] 图3为一个实施例的集成电路的布局示意图。
[0022] 图4至图6分别为图3的集成电路布局的功能区块模式热模型的等效电路示意图。
[0023] 图7为图3的集成电路布局的功能区块模式热模型的另一等效电路示意图。
[0024] 图8A为图7的功能区块的其中之一的示意图。
[0025] 图8B为图8A的功能区块的中心点温度和边界温度的示意图。
[0026] 图8C及图8D分别为图8B的功能区块被区分为多个网格的示意图。
具体实施方式
[0027] 以下将参照相关附图，说明依据本发明优选实施例的集成电路热模拟装置及热模拟方法，其中相同的元件将以相同的照符号加以说明。
[0028] 请分别参照图2A及图2B所示，其中，图2A为本发明优选实施例的一种集成电路热模拟方法的流程步骤图，而图2B为本发明优选实施例的一种集成电路热模拟装置S的功能方块示意图。
[0029] 本发明的集成电路热模拟方法(以下称为热模拟方法)与集成电路热模拟装置S(以下称为热模拟装置S)配合，以对集成电路进行热分析。其中，集成电路的布局中可具有多个功能区块，而每一个功能区块可对应于一个电路模组。在此，电路模组是指元件级的电路，例如：算术逻辑单元(arithmetic logic unit，ALU)、寄存器(register)、…等。
[0030] 本发明的热模拟方法包括步骤S01至步骤S05。另外，热模拟装置S包括热分析单元S1及网格数量分析单元S2。在此，热分析单元S1及网格数量分析单元S2可以以软件程序方式来实现其功能，或者，也可应用硬件或固件的方式来实现热分析单元S1及网格数量分析单元S2的功能，本发明并不限制。
[0031] 请参照图2A及图2B并配合图3至图6所示，以说明本发明的热模拟装置S的功能及热模拟方法。其中，图3为一个实施例的集成电路的布局C的示意图，图4至图6分别为图3的布局C的功能区块模式热模型的等效电路示意图。本实施例以图3的布局C具有3个功能区块(标示1、2、3)为例来说明。
[0032] 如图2A及图2B所示，首先，步骤S01为：由热分析单元S1对集成电路的多个功能区块1、2、3进行热分析，以计算各所述功能区块1、2、3的中心点温度。其中，中心点温度为功能区块的几何中心的温度。另外，在计算各所述功能区块1、2、3的中心点温度的步骤S01中，热分析单元S1使用功能区块模式的热模型对这些功能区块1、2、3进行热分析，以计算而得到各所述功能区块1、2、3的中心点温度。功能区块模式的热模型一般包含六种温度节点、三种热阻和一种热容。这六种温度节点分别为环境温度(Tamb)节点、区块中心点温度(Tcen)节点、区块与环境接触的表面温度(Tsur_I)节点、区块与相邻区块接触的表面温度(Tsur_II)节点、区块与环境接触的角落温度(Tcor_I)节点和区块与相邻区块接触的角落温度(Tcor_II)节点。另外，三种热阻可分别是传导热阻(Rcond)、对流热阻(Rconv)和辐射热阻(Rrad)。另外，本实施例更引进称为混合尺寸的规则网格(hybrid-sized regular mesh)模式热模型，此热模型除了包含上述的温度节点外，更增加两种新的温度节点为：网格中心温度(Tcen，Cel，未显示)节点和角落温度(Tcen，Cor，未显示)节点。
[0033] 如图4所示，其将图3的集成电路布局C转换成热模型，再等效成电路模型之后，再进行热分析。在此，矩形方块符号为已知的环境温度(即Tamb)节点，圆形符号为未知的区块中心点温度(即Tcen，包含T1、T2、T3)节点。通过图4的热模型可求得每个区块1、2、3的中心点温度T1、T2、T3。另外，图4中显示了热阻R(即电阻的符号)，在芯片外部的环境热阻包含R7、R8、R71～R76、R81～R86；在功能区块1内的热阻包含R1、R6、R61、R9、R91，在功能区块2的热阻包含R2、R21、R3、R31，在功能区块3的热阻包含R4、R41、R5、R51，且其连接关系例如R7与R8并联后与功能区块1的R9串联，其余的连接关系可参照图示，本领域的技术人员可由图4中明确得知这些热阻的连接关系，不再赘述。
[0034] 因此，图4的电路模型可以被转换成矩阵运算模式为：G×T＝P，以矩阵表示为：
[0035]
[0036] 其中，G为热导(即热阻R的倒数，因为有三个功能区块，故为3×3矩阵，包含G11～G33，G11为功能区块1的热导总和，G12为功能区块1与功能区块2之间的热导，G13为功能区块1与功能区块3之间的热导，以此类推)；T为区块的中心点温度(包含T1、T2、T3)，P为每个区块的功率消耗(包含P1、P2、P3)；Pa为环境功率消耗，亦即环境温度对芯片内的功能区块所造成的虚拟功率消耗(包含Pa1、Pa2、Pa3)。其中，G可通过芯片布局图转换成热模型分析而得知，P可通过软件模拟分析或实际芯片量测可得知，Tamb为使用者设定芯片分析时的环境温度，一般设定为室温(Tamb＝25℃)，且环境功率消耗Pa也为已知的值。
[0037] 在本实施例中，G11的值为1/(R1+R2)+1/(R5+R6)+1/(R7//R8+R9)+1/(R72//R82+R61)+1/(R73//R83+R91)(//：并联；+：串联)，G12的值为-1/(R1+R2)，G13的值为-1/(R5+R6)，G21的值与G12相同，而G22的值为1/(R1+R2)+1/(R3+R4)+1/(R71//R81+R31)+1/(R76//R86+R21)，…以此类推。另外，Pa1的值则是Tamb/(Ra1+Ra2+Ra3)，Pa2的值则是Tamb/(Ra6+Ra7)，而Pa3的值则是Tamb/(Ra4+Ra5)。其中，Ra1的值则是R9+R7//R8(即R7并联R8之后再与R9串联)，Ra2的值则是R61+R72//R82(即R72并联R82之后再与R61串联)，其它的以此类推。因此，各所述功能区块1、2、3的中心点温度T1、T2、T3可依据热模型的热导G、各功能区块1、
2、3的功率消耗P及环境功率消耗Pa通过上式的矩阵运算而得到。
2、3的功率消耗P及环境功率消耗Pa通过上式的矩阵运算而得到。
[0038] 得到各所述功能区块1、2、3的中心点温度T1、T2、T3之后，可进行步骤S02：由热分析单元S1依据各所述功能区块1、2、3的中心点温度T1、T2、T3计算各所述功能区块1、2、3的边界温度。在此，“边界温度”是一种统称，其可包含表面温度及角落温度。如图5及图6所示，图5的电路模型与图4相同，但增加二个符号：×及▲，而图6的电路模型也与图4相同，但图6未显示外部环境的热阻(例如R7、R8…)、功能区块1、2、3与外部环境之间的热阻(例如R9、R61…)及环境温度节点，不过增加了三种符号：×、◆及★。
[0039] 如图5及图6所示，每个功能区块1、2、3都具有四种边界温度，其包含各所述功能区块1、2、3与环境接触的表面温度(Tsur_I)(以×表示)、各所述功能区块1、2、3与相邻功能区块接触的表面温度(Tsur_II)(以▲表示)、各所述功能区块1、2、3与环境接触的角落温度(Tcor_I)(以◆表示)及各所述功能区块1、2、3与相邻功能区块接触的角落温度(Tcor_II)(以★表示)。上述这四种边界温度Tsur_I、Tsur_II、Tcor_I及Tcor_II可以由热分析单元S1通过以下的算式来得到，例如：
[0040] T7(Tsur_I)＝[(Tamb×R9)+T1×(R7//R8)]/[R9+(R7//R8)]，
[0041] T8(Tsur_II)＝(T1×R2+T2×R1)/(R1+R2)]，
[0042] T6(Tcor_I)＝(T7×R11+T5×R10)/(R10+R11)]，
[0043] T10(Tcor_II)＝(T1/R12+T2/R13+T3/R14)/(1/R12+1/R13+1/R14)]。
[0044] 需注意的是，图5及图6并未显示全部的热阻及边界温度的符号，只显示与上述提到的热分析计算式有关的热阻及边界温度，本领域的技术人员应可由上下文的说明及图4至图6中得知所有的热阻、边界温度及其相对关系。另外，以上的算式只是举例，本领域的技术人员也可由上述例子推知功能区块1、2、3的所有边界温度(Tsur_I、Tsur_II、Tcor_I及Tcor_II)的计算。
[0045] 另外，请再参照图2A、图2B并配合图7至图8D所示，其中，图7为布局C的功能区块模式热模型的另一等效电路示意图，图8A为图7的功能区块2的示意图，图8B为图8A的功能区块2的中心点温度和边界温度的示意图，图8C及图8D分别为图8B的功能区块2被区分为多个网格的示意图。其中，图7显示了所有热阻及温度符号，但未标示代号。
[0046] 在步骤S02得到了功能区块1、2、3的所有边界温度之后，如图2所示，接着执行步骤S03：由网格数量分析单元S2决定各所述功能区块1、2、3的网格数量。在此，仍以功能区块2为例来说明，以由上述四种边界温度得到功能区块2的最佳网格数量，其算式可如下所示：
[0047]
[0048]
[0049] 如图8B及图8C所示，gy、gx分别为功能区块2在垂直方向(直立方向)及水平方向的网格数量。以垂直方向为例，先找出垂直方向最大的温度密度。在此，垂直方向的温度密度的表示式为：
[0050]
[0051] 其中， 是功能区块2在垂直方向的边界温度差，例如为T5-T3、T3-T0、T7-T4、T4-T2。而di，j是该边界温度差的距离，例如图8B的T3-T0的边界温度差的距离即为d0，3。依照上述的算式可得到垂直方向最大的温度密度，之后，乘以功能区块2的垂直长度(wblock)，再除以温度分辨率ResT，以得到功能区块2在垂直方向的最佳网格数量。其中，温度分辨率ResT为已知的值，即使用者想观察芯片内部的温度点分辨率所设定的值。举例而言，假设使用者将温度分辨率设定为0.1℃，则表示使用者设定每个相邻网格的温差基本都不超过0.1℃。
[0052] 另外，在水平方向的网格数量的计算中， 是功能区块2在水平方向的边界温度差，而功能区块2的水平长度为lblock。在此，水平方向的网格数量的计算可参照上述垂直方向网格数量的说明，不再赘述。因此，通过上述计算式可得到功能区块2在垂直方向及水平方向的最佳网格数量。
[0053] 如图8C所示，本实施例得到的功能区块2在垂直方向的最佳网格数量例如为4，而水平方向的最佳网数量例如也为4，故可将功能区块2区分成16个网格。同样地，可依照上述的算式及说明得到功能区块1、3在垂直方向及水平方向的最佳网格数量，在此不再多作说明。特别注意的是，上述实施例将功能区块2区分成16个网格，而功能区块1、3被区分的网格数量可与功能区块2的数量相同或不相同，并不限制。
[0054] 因此，在步骤S03中，依据各所述功能区块1、2、3的边界温度(包含表面温度Tsur_I、Tsur_II及角落温度Tcor_I、Tcor_II)以及使用者设定的温度分辨率ResT来决定各所述功能区块1、2、3的网格数量。
[0055] 得到各功能区块1、2、3的网格数量之后，接着，执行步骤S04：由热分析单元S1依据各所述功能区块1、2、3的边界温度计算各所述功能区块1、2、3内的每一个网格的边界温度。在此，热分析单元S1通过内插法得到各所述功能区块1、2、3内的每一个网格的边界温度。
[0056] 在本实施例中，由于已得到功能区块2在垂直方向的最佳网格数量为4，而水平方向的最佳网格数量也为4，因此，可通过内插法求得功能区块2内部网格与边界接触的每个网格的角落温度。例如图8C的网格与环境接触的角落温度：TC1至TC8(四周边界上的菱形)可由角落温度：T0、T2、T5、T7(四个角落的星形)经内插法而得到(TC1、TC2可由T0、T5经内插得到…)。另外，没有与边界接触的每个网格的角落温度则是利用功能区块2的边界温度使用内插法而得到。例如图8D的左上角的网格的角落温度TC9(及该列水平方向的角落温度)可通过TC1和TC6使用内插法求得；同样地，也可通过TC3与TC8使用内插法得到该行垂直方向的所有网格的角落温度，因此，角落温度TC9会得到两个温度值，再将这两个温度值求其平均，得到最终的角落温度TC9的值，其它者以此类推，即可得到每个功能区块2内部的每个网格的四个角落温度(菱形)。同样地方法，也可得到功能区块1、3内部的每个网格的四个角落温度。
[0057] 最后，进行步骤S05：由热分析单元S1依据各所述功能区块1、2、3内的每一个网格的边界温度计算各所述功能区块1、2、3内的每一个网格的中心点温度。在步骤S04中已得到所有功能区块1、2、3内的每一个网格的边界温度(角落温度)，则这些功能区块1、2、3内的每一网格的中心点温度为该网格的所有边界温度的平均值。本实施例将功能区块1、2、3内每个网格的四个角落温度的加权平均(相加后除以4)后得到每个网格的中心点温度，例如T8等于(TC1+TC9+TC8+T5)/4，以此类推。
[0058] 承上，本发明的集成电路热模拟装置及热模拟方法采用混合尺寸的规则网格模式热分析方式，以将集成电路上每个功能区块区分成不同数量的规则网格，并求得每个网格的中心点温度来代表这些网格的发热点。其中，通过使用者设定的温度分辨率参数自动决定每个功能区块的最佳网格的数量，以减少不必要的网格温度运算，进而加速热分析的速度。另外，本发明使每个功能区块内的网格温度与其它功能区块内的网格温度都具有独立性，因而可利用平行运算技术提升其热分析速度。因此，相较于公知的功能区块模式热分析以功能区块为单位进行热分析而言，本发明可明显提高温度分析的精度及准确性。另外，相较于公知的规则网格模式热分析而言，本发明利用混合架构模式减少热分析计算的复杂度，避免通过运算一个巨大矩阵来求得每个网格的温度，因此，不仅可大幅缩短热分析的时间，也可降低集成电路的开发时间及成本。
[0059] 综上所述，因为在本发明的集成电路热模拟装置及热模拟方法中，是先计算各功能区块的中心点温度后，再计算各功能区块的边界温度，之后，在决定各功能区块的最佳网格数量后，再依据各功能区块的边界温度计算各功能区块内的每一个网格的边界温度后，进而得到各功能区块内的每一个网格的中心点温度。因此，本发明的集成电路热模拟装置及热模拟方法采用一种混合大小的规则网格模式热分析方式，以将集成电路上每个功能区块区分成不同数量的规则网格，并求得每个网格的中心点温度，相较于公知的功能区块模式热分析以功能区块为单位进行热分析而言，本发明可明显提高温度分析的精度及准确性。另外，相较于公知的结构性网格模式热分析而言，本发明利用混合架构模式减少热分析计算的复杂度，避免通过运算一个巨大矩阵来求得每个网格的温度，因此，不仅可大幅缩短热分析的时间，也可降低集成电路的开发时间及成本。
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