专利汇可以提供一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称 波形 离子迁移谱仪,该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区;其中检测区由两部分组成:一部分是敏感极,作为敏感元件直接连接微弱 电流 检测 电路 ,另外一部分是偏转极,用直流源来提供 电压 ,这两部分均为导电材料。敏感极的长度小于或等于偏转 电极 的长度,偏转极四周封闭并嵌套在敏感极外侧,偏转极与敏感极之间留有用于气流通过的间隙。本 发明 提供的高场非对称波形离子迁移谱仪能大大降低外界以及偏转电极上施加的电压对敏感极的干扰,显著提高仪器的 信噪比 ,屏蔽效果好,同时结构简单,易于集成。,下面是一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪专利的具体信息内容。
1.一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪,包括离子源(2)、迁移区(3)和检测区(10);所述检测区包括法拉第筒、直流源(14)和微弱电流检测电路(13);其特征在于:所述的法拉第筒采用嵌套式结构,该法拉第筒包括敏感极(12)和嵌套在敏感极外周的偏转极(11),该偏转极为外周封闭,且偏转极与敏感极之间留有用于气流通过的间隙;
所述直流电源(14)与所述的偏转极(11)电连接,所述的敏感极(12)直接与微弱电流检测电路(13)相连。
2.按照权利要求1所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:所述偏转极(11)与敏感极(12)之间的间隙为大于零小于等于5cm。
3.按照权利要求1或2所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:所述敏感极(12)沿样品气流动方向的长度小于或等于偏转极(11)在此方向的长度。
4.如权利要求3所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:所述敏感极(12)沿样品气流动方向的长度为大于零小于等于10cm。
5.按照权利要求1所述的一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪,其特征在于:法拉第筒的嵌套式结构为长方体套筒式、圆柱体套筒式或球体套筒式。
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