一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法
阅读：161发布：2020-05-11
专利汇可以提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 有源矩阵 有机发光 二极管 显示器 及其制作方法，该制作方法包括：使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行 图案化 处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分；或者使用所述第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第二部分；所述第二过孔包括第一部分和第二部分。本发明的有源矩阵 有机 发光二极管 显示器 及其制作方法，能够减少掩膜工艺，降低生产成本。，下面是一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成柔性层、隔离层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、第一层间绝缘层；
使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分；
或者使用所述第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第二部分；所述非显示区域的第一层间绝缘层设置有第二过孔；所述第二过孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分上；以及
在经过图案化处理后的第一层间绝缘层上依次形成第二层间绝缘层、源/漏极、平坦层、阳极、像素定义层及光阻间隙物，其中所述两个第一过孔的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，还用于使位于所述显示区域的第一层间绝缘层形成第三过孔，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩阵有机发光二极管显示器的显示区域。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分的步骤包括：
在所述第一层间绝缘层上涂布第一光刻胶，使用所述第一掩膜板对所述第一光刻胶进行曝光显影，以限定出第一蚀刻区域；
对所述第一蚀刻区域对应的第一层间绝缘层进行蚀刻，以形成所述两个第一过孔和所述第一部分。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分的步骤之后，所述方法还包括：
使用第二掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成所述第二部分。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第二部分的步骤之前，所述方法还包括：
使用第二掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成所述第一部分。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述两个第一过孔分别用于连接所述源极与所述有源层、以及连接所述漏极与所述有源层。
7.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述平坦层上形成有第四过孔，所述第四过孔用于连接所述阳极与所述漏极。
8.一种有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，包括：
依次位于衬底基板上的柔性层、隔离层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、源/漏极、平坦层、阳极、像素定义层以及光阻间隙物；
位于显示区域的所述第一层间绝缘层设置有两个第一过孔以及位于非显示区域的所述第一层间绝缘层设置有第二过孔；所述第二过孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分上，所述两个第一过孔的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应；
其中所述第一过孔和所述第一部分是使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的；或者所述第一过孔和所述第二部分是使用所述第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的；
位于所述显示区域的所述第一层间绝缘层还设置有第三过孔，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩阵有机发光二极管显示器的显示区域。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一过孔、所述第一部分以及所述第三过孔是使用所述第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的。
10.根据权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第一过孔、所述第二部分以及所述第三过孔是使用所述第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的。
一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法
【技术领域】
[0002] OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED)和有源OLED(AMOLED)。其中，有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)显示器通常
是由低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)驱动背板和电激发光层组成自发
光组件。低温多晶硅具有较高的电子迁移率，对AMOLED而言，采用低温多晶硅材料具有高分
辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等优点。
是由低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)驱动背板和电激发光层组成自发
光组件。低温多晶硅具有较高的电子迁移率，对AMOLED而言，采用低温多晶硅材料具有高分
辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等优点。
[0003] 现有AMOLED显示器的制作方法主要包括如下步骤：在衬底基板上沉积缓冲层、有缘层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层、源/漏极、平坦层、阳极、像素定义层、及光阻间隙物，但是现有的制作方法需要11道光罩，因此会占用曝光机较多的产能，降低了生产效率，增大了生产成本。
[0004] 因此，有必要提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法，能够减少掩膜工艺，提高生产效率，降低生产成本。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
[0007] 在衬底基板上依次形成柔性层、隔离层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、第一层间绝缘层；
[0009] 或者使用所述第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝
缘层形成第二部分；其中所述两个第一过孔的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对
应；所述非显示区域的第一层间绝缘层设置有第二过孔；所述第二过孔包括第一部分和第
二部分，所述第一部分位于所述第二部分上；以及
缘层形成第二部分；其中所述两个第一过孔的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对
应；所述非显示区域的第一层间绝缘层设置有第二过孔；所述第二过孔包括第一部分和第
二部分，所述第一部分位于所述第二部分上；以及
[0010] 在经过图案化处理后的第一层间绝缘层上依次形成第二层间绝缘层、源/漏极、平坦层、阳极、像素定义层及光阻间隙物。
[0011] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法中，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，还用于使位于所述显示区域的第一层间绝缘层形
成第三过孔，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩阵有机发光二极管显示器的显示区域。
成第三过孔，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩阵有机发光二极管显示器的显示区域。
[0012] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法中，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两
个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分的步骤包括：
个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分的步骤包括：
[0014] 对所述第一蚀刻区域对应的第一层间绝缘层进行蚀刻，以形成所述两个第一过孔和所述第一部分。
[0015] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法中，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两
个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分的步骤之后，所述
方法还包括：
个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第一部分的步骤之后，所述
方法还包括：
[0016] 使用第二掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成所述第二部分。
[0017] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法中，所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两
个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第二部分的步骤之前，所述
方法还包括：
个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成第二部分的步骤之前，所述
方法还包括：
[0018] 使用第二掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成所述第一部分。
[0019] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法中，所述两个第一过孔分别用于连接所述源极与所述有源层、以及连接所述漏极与所述有源层。
[0020] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器的制作方法中，所述平坦层上形成有第四过孔，所述第四过孔用于连接所述阳极与所述漏极。
[0021] 本发明还提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器，其包括：
[0022] 依次位于衬底基板上的柔性层、隔离层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、源/漏极、平坦层、阳极、像素定义层以及光阻间隙物；
[0023] 位于显示区域的所述第一层间绝缘层设置有两个第一过孔以及位于非显示区域的所述第一层间绝缘层设置有第二过孔；所述第二过孔包括第一部分和第二部分，所述第
一部分位于所述第二部分上，所述两个第一过孔的位置分别与所述源极和所述漏极的位置
对应；
一部分位于所述第二部分上，所述两个第一过孔的位置分别与所述源极和所述漏极的位置
对应；
[0024] 其中所述第一过孔和所述第一部分是使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的；或者所述第一过孔和所述第二部分是使用所述第一掩膜板对所述第
一层间绝缘层进行图案化处理得到的。
一层间绝缘层进行图案化处理得到的。
[0025] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器中，位于显示区域的所述第一层间绝缘层还设置有第三过孔，所述第一过孔、所述第一部分以及所述第三过孔是使用所述第一
掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩
阵有机发光二极管显示器的显示区域。
掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩
阵有机发光二极管显示器的显示区域。
[0026] 在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器中，位于显示区域的所述第一层间绝缘层还设置有第三过孔，所述第一过孔、所述第二部分以及所述第三过孔是使用所述第一
掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩
阵有机发光二极管显示器的显示区域。
掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理得到的，所述第三过孔用于弯曲所述有源矩
阵有机发光二极管显示器的显示区域。
[0027] 本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法，通过使用同一道掩膜板对第一层间绝缘层进行图案化处理，以形成显示区域的源漏极孔和显示区域外的孔，从而
减少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
【附图说明】
减少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
【附图说明】
[0028] 图1为本发明AMOLED显示器的第一种剖面结构示意图；
[0029] 图2为图1的AMOLED显示器的第一种制作方法第五步中第一分步骤的结构示意图；
[0030] 图3为图1的AMOLED显示器的第一种制作方法第五步中第二分步骤的结构示意图；
[0031] 图4为图1的AMOLED显示器的第一种制作方法第六步的结构示意图；
[0032] 图5为图1的AMOLED显示器的第二种制作方法第五步的结构示意图；
[0033] 图6为图1的AMOLED显示器的第二种制作方法第六步的结构示意图；
[0034] 图7为本发明AMOLED显示器的第二种剖面结构示意图；
[0035] 图8为图7的AMOLED显示器制作方法第五步的结构示意图。
[0036] 图9为图7的AMOLED显示器制作方法第六步的结构示意图。【具体实施方式】
[0037] 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以
限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0038] 现有AMOLED显示器的结构与图1相同，其制作方法主要包括如下步骤：
[0039] S101、在衬底基板11上依次沉积柔性层12、隔离层13以及缓冲层14。
[0040] S102、在缓冲层14上形成有缘层15，通过一道光罩制程对该有缘层15进行图案化处理形成沟道。
[0041] 具体地，通过掩膜板对该有缘层15进行曝光显影以形成沟道。
[0042] S103、在有源层15上形成第一栅绝缘层16和第一金属层17，通过一道光罩制程对该第一金属层17进行图案化处理形成第一栅极。
[0043] S104、在第一金属层17上形成第二栅绝缘层18和第二金属层19，通过一道光罩制程对该第二金属层19进行图案化处理形成第二栅极。
[0044] S105、在第二金属层19上形成第一层间绝缘层20，通过三道光罩制程形成显示区域外的过孔、初始源极过孔以及初始漏极过孔。
[0045] 具体地，由于显示区域101外(非显示区域)的过孔深度比较深，因此需要进行二次光罩制程对第一层间绝缘层20进行图案化处理，形成显示区域外的过孔。比如通过一道光
罩制程对非显示区域的第一层间绝缘层20进行第一次图案化处理后，使得显示区域外的过
孔从第一层间绝缘层20延伸到缓冲层14，也即过孔的底部位于缓冲层14。再通过一道光罩
制程对非显示区域的缓冲层14进行第二次图案化处理，使该过孔的深度变深，比如使该过
孔的底部位于隔离层13。之后，再通过一道光罩制程对显示区域内的第一层间绝缘层20进
行第三次图案化处理后，形成初始的源极和漏极孔。
罩制程对非显示区域的第一层间绝缘层20进行第一次图案化处理后，使得显示区域外的过
孔从第一层间绝缘层20延伸到缓冲层14，也即过孔的底部位于缓冲层14。再通过一道光罩
制程对非显示区域的缓冲层14进行第二次图案化处理，使该过孔的深度变深，比如使该过
孔的底部位于隔离层13。之后，再通过一道光罩制程对显示区域内的第一层间绝缘层20进
行第三次图案化处理后，形成初始的源极和漏极孔。
[0046] S106、在第一层间绝缘层20形成第二层间绝缘层21，通过一道光罩制程对显示区域内的第二层间绝缘层21进行图案化处理形成最终的源、漏极过孔202、203。
[0047] S107、在第二层间绝缘层21上形成第三金属层22，通过一道光罩制程对该第三金属层22进行图案化处理形成源极和漏极，其中源极和漏极与源极孔和漏极孔的位置对应。
[0048] S108、在第三金属层22上形成平坦层23、通过一道光罩制程对该平坦层22进行图案化处理形成过孔204。
[0049] S109、在平坦层23上形成导电层24，通过一道光罩制程对该导电层24进行图案化处理形成阳极。
[0050] S110、在导电层24上形成像素定义层25和光阻间隔层，通过一道光罩制程对该像素定义层25和光阻间隔层进行图案化处理形成预设图案的像素定义层25和光阻间隔物26。
[0051] 可见，现有的制作方法需要11道掩膜工艺，因此占用曝光机较多的产能，降低了生产效率，增大了生产成本。
[0052] 请参照图1-3，图1为本发明AMOLED显示器的第一种剖面结构示意图。
[0053] 本发明第一实施例提供一种AMOLED显示器，该AMOLED显示器比如为静态弯曲型AMOLED。如图1所示，该AMOLED显示器的制作方法包括：
[0054] S201、在衬底基板11上依次沉积柔性层12、隔离层13以及缓冲层14。
[0055] S202、在缓冲层14上形成有缘层15，通过一道光罩制程对该有缘层15进行图案化处理形成沟道。
[0056] 具体地，通过在有缘层15上涂布光刻胶，再使用掩膜板对该光刻胶进行曝光显影，并对有源层15蚀刻后形成沟道。
[0057] S203、在有源层15上形成第一栅绝缘层16和第一金属层17，通过一道光罩制程对该第一金属层17进行图案化处理形成第一栅极。
[0058] S204、在第一金属层17上形成第二栅绝缘层18和第二金属层19，通过一道光罩制程对该第二金属层19进行图案化处理形成第二栅极。
[0059] S205、在第二金属层19上形成第一层间绝缘层20，使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层20进行图案化处理，以使位于显示区域101的所述第一层间绝缘层形成两个第一
过孔以及使位于非显示区域(101以外的部分)的所述第一层间绝缘层20形成第一部分。
过孔以及使位于非显示区域(101以外的部分)的所述第一层间绝缘层20形成第一部分。
[0060] 结合图2至4，所述非显示区域的第一层间绝缘层20设置有第二过孔201；所述第二过孔包括第一部分201’和第二部分(201’至201之间的部分)，所述第一部分201’位于所述
第二部分上。该第二过孔201用于对非显示区域进行弯曲。
第二部分上。该第二过孔201用于对非显示区域进行弯曲。
[0061] 该步骤也即：在制作第二过孔201’的第一阶段同步制作两个第一过孔202’和203’。如图3所示，所述两个第一过孔为202’和203’，其位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应，所述两个第一过孔202’和203’用于连接所述源极与所述有源层15、以及连接所
述漏极与所述有源层15。该第一层间绝缘层20的材料为绝缘材料。
述漏极与所述有源层15。该第一层间绝缘层20的材料为绝缘材料。
[0062] 所述使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层20进行图案化处理的步骤包括：
[0063] S2051、在所述第一层间绝缘层上涂布光刻胶，使用第一掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，以限定蚀刻区域。
[0064] 例如，如图2所示，在第一层间绝缘层20上涂布光刻胶27，之后使用同一道掩膜板对所述光刻胶27进行曝光显影，以限定形成蚀刻区域271，具体地该蚀刻区域271与两个第
一过孔和第二过孔的位置对应。
一过孔和第二过孔的位置对应。
[0065] 该步骤中使用的掩膜板30包括多个透光区域31(也即白色部分)和多个不透光区域32(黑色部分)。其中透光区域31的位置与过孔的位置对应，也即分别与两个第一过孔和
第二过孔对应的位置设置有透光区域31。
第二过孔对应的位置设置有透光区域31。
[0066] S2052、对所述蚀刻区域对应的第一层间绝缘层20进行蚀刻，以形成所述两个第一过孔202’、203’和第二过孔的第一部分201’。
[0067] 在蚀刻完成后，再去除光刻胶。如图3所示，图3给出去除光刻胶后的示意图，经过上述步骤后，非显示区域的过孔201’的深度比较浅，该过孔从第一层间绝缘层20延伸到缓
冲层14，也即过孔201’的底部位于缓冲层14。因此需要再通过一道光罩制程对非显示区域
的第一层间绝缘层20进行第二次图案化处理，使该过孔的深度变深。
冲层14，也即过孔201’的底部位于缓冲层14。因此需要再通过一道光罩制程对非显示区域
的第一层间绝缘层20进行第二次图案化处理，使该过孔的深度变深。
[0068] S206、使用第二掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层形成所述第二部分。
[0069] 例如，再次在所述第一层间绝缘层20上涂布光刻胶，使用第二掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，以限定出另一蚀刻区域，之后对该蚀刻区域对应的第一部分201’的下方
进行蚀刻，使第二过孔的深度加深，以形成第二部分，也即完成第二过孔201的制程。在蚀刻完成后，去除所述光刻胶。如图4所示，图4给出去除光刻胶后的示意图，使最终第二过孔201的底部位于隔离层13。
进行蚀刻，使第二过孔的深度加深，以形成第二部分，也即完成第二过孔201的制程。在蚀刻完成后，去除所述光刻胶。如图4所示，图4给出去除光刻胶后的示意图，使最终第二过孔201的底部位于隔离层13。
[0070] 该步骤中的蚀刻区域与第二过孔201的位置对应。其中该第二掩膜板仅在第二过孔201对应的位置设置有透光区域。
[0071] S207、在第一层间绝缘层20形成第二层间绝缘层21，通过一道光罩制程对第二层间绝缘层21进行图案化处理形成最终的源、漏极过孔202、203。
[0072] 所述第二层间绝缘层21的材料为光刻胶。
[0073] S208、在第二层间绝缘层21上形成第三金属层22，通过一道光罩制程对该第三金属层22进行图案化处理形成源极和漏极，其中源极和漏极分别与源极孔和漏极孔的位置对
应。
应。
[0074] S209、在第三金属层22上形成平坦层23、通过一道光罩制程对该平坦层22进行图案化处理形成过孔204，也即第四过孔。
[0075] 该第四过孔204用于连接所述阳极与所述漏极。
[0076] S210、在平坦层23上形成导电层24，通过一道光罩制程对该导电层24进行图案化处理形成阳极。
[0077] S211、在导电层24上形成像素定义层25和光阻间隔层，通过一道光罩制程对该像素定义层25和光阻间隔层进行图案化处理形成预设图案的像素定义层25和光阻间隔物26。
[0078] 本实施例提供一种AMOLED显示器，其包括依次位于衬底基板11上的柔性层12、隔离层13、缓冲层14、有源层15、第一栅极绝缘层16、第一栅极(是对第一金属层17进行图案化处理得到的)、第二栅极绝缘层18、第二栅极(是对第二金属层19进行图案化处理得到的)、
第一层间绝缘层20、第二层间绝缘层21、源/漏极(是对第三金属层22进行图案化处理得到
的)、平坦层23、阳极24、像素定义层25及光阻间隙物26。
第一层间绝缘层20、第二层间绝缘层21、源/漏极(是对第三金属层22进行图案化处理得到
的)、平坦层23、阳极24、像素定义层25及光阻间隙物26。
[0079] 其中，位于显示区域101的所述第一层间绝缘层20设置有两个第一过孔以及位于非显示区域的所述第一层间绝缘层20设置有第二过孔；所述第二过孔201包括第一部分
201’和第二部分，所述第一部分201’位于所述第二部分上，所述两个第一过孔202’和203’的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应；其中所述第一过孔202’、203’和所述第一
部分201’使用同一掩膜板30对所述第一层间绝缘层20进行曝光显影得到的。
201’和第二部分，所述第一部分201’位于所述第二部分上，所述两个第一过孔202’和203’的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应；其中所述第一过孔202’、203’和所述第一
部分201’使用同一掩膜板30对所述第一层间绝缘层20进行曝光显影得到的。
[0080] 所述两个第一过孔202’、203’分别用于连接所述源极与所述有源层15、以及连接所述漏极与所述有源层15。
[0081] 所述平坦层22上设置有第四过孔204，所述第四过孔204用于连接所述阳极与所述漏极。
[0082] 本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法，通过使用同一道掩膜板对第一层间绝缘层进行图案化处理，形成显示区域的源漏极孔和显示区域外的孔，从而减
少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
[0083] 请参照图5-6，本发明第二实施例提供一种AMOLED显示器，该AMOLED显示器比如为静态弯曲型AMOLED。该AMOLED显示器的制作方法与上一实施例的区别在于：形成第一过孔
的顺序不同，也即与上一实施例的步骤S205和S206不同。上述步骤S205和S206分别替换为：
的顺序不同，也即与上一实施例的步骤S205和S206不同。上述步骤S205和S206分别替换为：
[0084] S301、在第二金属层19上形成第一层间绝缘层20，使用第二掩膜板对所述第一层间绝缘层20进行图案化处理，使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层20形成所述第一部
分201’。
分201’。
[0085] 例如，在所述第一层间绝缘层20上涂布光刻胶，使用第二掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，以限定出蚀刻区域，该蚀刻区域与第二过孔的位置对应，其中该第二掩膜板仅
在第二过孔201对应的位置设置有透光区域。之后对该蚀刻区域对应的第一层间绝缘层20
进行蚀刻，以形成第一部分201’。在蚀刻完成后，去除所述光刻胶。如图5所示，图5给出去除光刻胶后的示意图，该第一部分201’的底部位于缓冲层14。
在第二过孔201对应的位置设置有透光区域。之后对该蚀刻区域对应的第一层间绝缘层20
进行蚀刻，以形成第一部分201’。在蚀刻完成后，去除所述光刻胶。如图5所示，图5给出去除光刻胶后的示意图，该第一部分201’的底部位于缓冲层14。
[0086] 经过上述步骤后，该非显示区域的过孔201’的深度比较浅，该过孔从第一层间绝缘层20延伸到缓冲层14，也即过孔201’的底部位于缓冲层14。因此需要再通过一道光罩制
程对非显示区域的第一层间绝缘层20进行第二次图案化处理，使该过孔的深度变深。
程对非显示区域的第一层间绝缘层20进行第二次图案化处理，使该过孔的深度变深。
[0087] S302、使用所述第一掩膜板对所述第一层间绝缘层进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔以及使位于非显示区域的所述第一层间
绝缘层形成第二部分。该步骤具体可包括：
绝缘层形成第二部分。该步骤具体可包括：
[0088] S3021、在所述第一层间绝缘层20上涂布光刻胶，使用第一掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，以限定蚀刻区域；
[0089] 例如，如图6所示，在第一层间绝缘层20上涂布光刻胶27，之后使用同一道掩膜板对所述光刻胶27进行曝光显影，以限定形成另外的蚀刻区域271，具体地该蚀刻区域271与
两个第一过孔和第二过孔的位置对应。该步骤中使用的掩膜板30与步骤S2051中掩膜板的
结构相同。
两个第一过孔和第二过孔的位置对应。该步骤中使用的掩膜板30与步骤S2051中掩膜板的
结构相同。
[0090] S3022、对蚀刻区域对应的第一层间绝缘层20进行蚀刻，以形成所述两个第一过孔202’、203’和第二过孔的第二部分。
[0091] 返回图4，对左侧的蚀刻区域对应的第一层间绝缘层20进行蚀刻，以形成所述两个第一过孔202’、203’，以及对右侧的蚀刻区域对应的第一部分201’的下方进行蚀刻，使第二过孔的深度加深，以形成第二部分，也即完成第二过孔201的制程。在蚀刻完成后，再去除光刻胶。
[0092] 本实施例的AMOLED显示器与上一实施例的区别在于，所述第一过孔202’、203’和所述第二部分是使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层20进行图案化处理得到的。
[0093] 本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法，通过使用同一道掩膜板对第一层间绝缘层进行图案化处理，形成显示区域的源漏极孔和显示区域外的孔，从而减
少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
[0094] 请参照图7至9，图7为本发明AMOLED显示器的第二种剖面结构示意图。
[0095] 本发明第三实施例提供一种AMOLED显示器，该AMOLED显示器比如为动态弯曲型AMOLED。如图8所示，该AMOLED显示器的制作方法与上一实施例的区别在于：第一层间绝缘
层的图案化处理过程不同，也即与上一实施例的步骤S205不同。上述步骤S205替换为：
层的图案化处理过程不同，也即与上一实施例的步骤S205不同。上述步骤S205替换为：
[0096] S401、在第二金属层19上形成第一层间绝缘层40，使用第一掩膜板对所述第一层间绝缘层40进行图案化处理，以使位于显示区域101的所述第一层间绝缘层40形成两个第
一过孔、第三过孔以及位于非显示区域(虚线框以外的部分)的所述第一层间绝缘层40形成
第一部分。
一过孔、第三过孔以及位于非显示区域(虚线框以外的部分)的所述第一层间绝缘层40形成
第一部分。
[0097] 例如，如图8所示，在第一层间绝缘层40上涂布光刻胶28，之后使用同一道掩膜板对所述光刻胶28进行曝光显影，以限定形成蚀刻区域281，具体地该蚀刻区域281与两个第
一过孔202’、203’、第二过孔201以及第三过孔205的位置对应。
一过孔202’、203’、第二过孔201以及第三过孔205的位置对应。
[0098] 该步骤中使用的掩膜板50包括多个透光区域51(也即白色部分)和多个不透光区域52(黑色部分)。其中透光区域的位置与过孔的位置对应，也即分别与两个第一过孔202’、
203’、第二过孔201以及第三过孔205对应的位置设置有透光区域51。
203’、第二过孔201以及第三过孔205对应的位置设置有透光区域51。
[0099] 当然在显影后还需要对蚀刻区域281对应的第一层间绝缘层40进行蚀刻，从而使得第一层间绝缘层40在蚀刻后形成过孔202’、203’、205以及第二过孔的第一部分。
[0100] 由于对第二过孔的深度要求比较深，因此还需要对第二过孔进行再次蚀刻，以形成最终的第二过孔201，具体与步骤S206相同，在此不再赘述。
[0101] 如图9所示，所述两个第一过孔为202’、203’，其位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应，所述两个第一过孔202’、203’用于连接所述源极与所述有源层15、以及连接所述漏极与所述有源层15。
[0102] 所述第三过孔205用于弯曲所述有源矩阵有机发光二极管显示器的显示区域。
[0103] 本发明实施例也提供一种AMOLED显示器，其与第一实施例的区别在于，位于显示区域101的所述第一层间绝缘层40设置有两个第一过孔202’、203’、第三过孔205以及位于
非显示区域的所述第一层间绝缘层20设置有第二过孔201；所述两个第一过孔202’、203’的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应；所述第一过孔202’、203’和所述第三过孔205以及所述第二过孔的第一部分是使用第一掩膜板50对所述第一层间绝缘层40进行曝光显
影得到的。
非显示区域的所述第一层间绝缘层20设置有第二过孔201；所述两个第一过孔202’、203’的位置分别与所述源极和所述漏极的位置对应；所述第一过孔202’、203’和所述第三过孔205以及所述第二过孔的第一部分是使用第一掩膜板50对所述第一层间绝缘层40进行曝光显
影得到的。
[0104] 本实施例的有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法，通过使用同一道掩膜板对第一层间绝缘层进行图案化处理，形成显示区域的源漏极孔、弯曲孔和显示区域外的
孔，从而减少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
孔，从而减少了掩膜工艺，提高了生产效率，降低了生产成本。
[0105] 本发明第四实施例提供一种AMOLED显示器，该AMOLED显示器比如为动态弯曲型AMOLED。该AMOLED显示器的制作方法与上一实施例的区别在于：形成第三过孔的顺序不同，
也即与上一实施例的步骤S401不同。结合图7和8，具体替换为：
也即与上一实施例的步骤S401不同。结合图7和8，具体替换为：
[0106] S501、在第二金属层19上形成第一层间绝缘层40，使用第二掩膜板对所述第一层间绝缘层40进行图案化处理，使位于非显示区域的所述第一层间绝缘层40形成所述第一部
分。具体步骤与S301相同。
分。具体步骤与S301相同。
[0107] 之后，使用所述第一掩膜板50对所述第一层间绝缘层40进行图案化处理，以使位于显示区域的所述第一层间绝缘层形成两个第一过孔、第三过孔以及使位于非显示区域的
所述第一层间绝缘层形成第二部分。该步骤中使用的掩膜板50与步骤S401的掩膜板的结构
相同，具体步骤与S302类似，在此不再赘述。
所述第一层间绝缘层形成第二部分。该步骤中使用的掩膜板50与步骤S401的掩膜板的结构
相同，具体步骤与S302类似，在此不再赘述。
[0108] 本发明实施例也提供一种AMOLED显示器，其与上一实施例的区别在于，所述第一过孔202’、203’和所述第三过孔205以及所述第二过孔的第二部分是使用第一掩膜板50对
所述第一层间绝缘层40进行曝光显影得到的。
所述第一层间绝缘层40进行曝光显影得到的。
[0109] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润
饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
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