비결정 규소 박막 트랜지스터 매트릭스 어드레스 지정 액정 디스플레이용 비동일 평면 전극 처리 및 구조
阅读：784发布：2021-01-11
专利汇可以提供비결정 규소 박막 트랜지스터 매트릭스 어드레스 지정 액정 디스플레이용 비동일 평면 전극 처리 및 구조专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且내용 없음，下面是비결정 규소 박막 트랜지스터 매트릭스 어드레스 지정 액정 디스플레이용 비동일 평면 전극 처리 및 구조专利的具体信息内容。
액정 디스플레이 장치에 사용하기 위한 전계효과 트랜지스터 및 픽셀 전극 구조물에 있어서, 졀연 기판상에 용착된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 및 상기 기판 상부에 용착된 절연 물질층과 ; 상기 게이트 전극 상부에 용착되도록 상기 절연 물질상에 용착된 투명한 전구 물질 조각과; 상기 비결정 규소 아릴랜드의 상부에 용착된 도프형 비결정 규소층을 구비하는데, 그 층은 내부에 갭을 가지며, 그 갭은 상기 게이트 전극 상부에 용착되며, 또한 상기 도프형 비결정 규소층을 다른 두 부분으로 분할되도록 용착되며; 상기 두개의 도프형 비결정 규소 부분중 첫 부분상에 용착된 제 1 전극과 ; 상기 도프형 비결정 규소 부분중 둘째부분상에 용착된 제 2 전극을 부비하는데, 그 제 2 전극은 또한 상기 투명한 전도 물질과 접촉되도록 용착되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 및 픽셀전극 구조물.
제 1 항에 있어서, 상기 절연 물질은 질소 규소와 산화규소로 구성되는 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구조물.
제 1 항에 있어서, 상기 절연기판은 유리 및 세라믹으로 구성되는 그룹중에서 선택되는 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 구조물.
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 알루미늄, 티타늄, 금, 크롬 및 텅스텐으로 구성되는 그룹중에서 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 구조물.
제 1 항에 있어서, 상기 투명한 전도 물질은 산화 인듐주석, 산화주석 및 산화티타늄으로 구성되는 그룹 중에서 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 구조물.
액정 디스플레이 장치에 사용하기 위한 전계 효과 트랜지스터 및 픽셀 전극 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 절연 기판상에 기이트 전극은 용착시키는 단계와; 상기 게이트 전극 및 상기 기판 상부에 절연 물질층을 용착시키는 단계와; 상기 절연 물질 전체에 비결정 규소, 도프형 비결정 규소 및 전도 물질층을 각각 용착시키는 단계와; 상기 게이트 전극 상부에 아일랜드 구조물을 형성하도록 상기 전도 물질, 상기 도프형 비결정 규소 및 상기 비결정 규소층을 패턴화 시키는 단계와; 상기 아일랜드 근처의 상기 절연 물질상에 투명한 전도물질 조각을 용착시키는 단계와; 상기 아일랜드, 투명한 전도 물질 및 상기 절연 물질 상부에 전도 물질 층을 용착시키는 단계와; 상기 아일랜드 상에 한쌍의 접점을 형성하도록 상기 전도 물질과 상기 도프형 비결정 규소를 패턴화시켜서, 상기 접점은 상기 게이트 전극과 중첩하여 갭을 소유한 상기 도프형 비결정 규소 층의 두 부분상에 용착시키는 단계를 포함하는데, 상기 접점 중 하나는 상기 투명한 전도 조각과 전기적 접촉을 이루는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 및 픽셀 전극 구조물 제조방법.
제 6 항에 있어서, 상기 절연 물질은 질화규소 및 산화규소로 구성되는 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 6 항에 있어서, 상기 절연 물질은 유리 및 세라믹으로 구성되는 그룹중에서 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
제 6 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 알루미늄, 티타늄, 금 크롬 및 텅스텐으로 구성되는 그룹중에서 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
제 6 항에 있어서, 상기 투명한 전도물질은 산화 인듐주석, 산화주석 및 산화티타늄으로 구성되는 그룹중에서 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
비결정 규소 박막 트랜지스터 매트릭스 어드레스지정 액정 디스플레이용 비동일 평면 전극 처리 및 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 최초 처리 단계를 나타내는 측면도로서, 특히, 게이트 전극의 형성을 나타내는 도면. 제 2 도는 제 1 도와유사한 측면도로서, 특히 게ㅐ이트 전극 및 기판 상부에 유전층을 용착시키는 것을 나타낸 도면. 제 7 도는 제 6도와 유사한 측면도로서, 특히 주변 픽셀 전극과 접속된 전계 효과 트랜지스터를 형성하도록 상부 레벨 금속화를 패턴화시키는 것을 나타낸 도면. 제 8 도는 제 7 도와 유사한 측단면도로서, 특히 비활성 물질의 최상부층의 적용상태를 나타낸 도면.
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