Manufacture of semiconductor device
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain a semiconductor device which can eliminate the stage error at the boundary part between the impurity diffusion layer and other region to eliminate the defact occurrence at the boundary part in the subsequent metalizing process and can identify the boundary part in the photo resist matching process.
CONSTITUTION: Silicon oxide film 2 to be a mask is deposited selectively on the surface of N-type Si single-crystal substrate 1 containing a mirror surface and featuring the specific resistance of 10Ω-cm. Then the area which is not covered with film 2 on substrate is removed through etching by the depth of about 500W1000Å, and then the p-type impurity is diffused to form impurity diffusion region 3. After removing the silicon oxide film is removed completely on substrate 1, insulating layer 4 is provided on the entire surface of the substrate along with impurity layer 5
COPYRIGHT: (C)1979,JPO&Japio，下面是Manufacture of semiconductor device专利的具体信息内容。
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