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显示器及其制备方法

阅读:1030发布:2020-06-04

专利汇可以提供显示器及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种显示器及其制备方法,所述制备方法包括:S10提供 基板 ;S20形成第一 电极 层及 像素 定义层于所述基板上;S30形成 量子点 层,对应所述第一电极层,配置于所述像素定义层定义的凹槽中;S40形成 缓冲层 于所述像素定义层及所述量子点层上;S50溅 镀 形成 氧 化锌层于所述缓冲层上;以及S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。,下面是显示器及其制备方法专利的具体信息内容。

1.一种显示器,其特征在于,包括;
基板
量子点层配置于所述基板上;
缓冲层配置于所述量子点层上;以及
化锌层配置于所述缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的显示器,其特征在于,在所述基板与所述量子点层之间,所述显示器更包括:
第一电极层及像素定义层,配置于所述基板上,
其中所述像素定义层在所述基板上定义出凹槽,且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置,以及
所述量子点层对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中;以及所述显示器更包括:
第二电极层配置于所述氧化锌层上。
3.根据权利要求2所述的显示器,其特征在于,
所述缓冲层配置于所述像素定义层及所述量子点层上;
所述氧化锌层配置于所述缓冲层上;以及
所述第二电极层配置于所述氧化锌层上。
4.根据权利要求1所述的显示器,其特征在于,所述缓冲层包括有机电子传输层材料,以及所述基板包括电晶体基板。
5.一种显示器的制备方法,包括:
S10提供基板;
S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上,其中所述像素定义层在所述基板上构成凹槽,且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置;
S30形成量子点层,对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中;
S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上;
S50以溅方式形成氧化锌层于所述缓冲层上;以及
S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。
6.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,步骤S20包括:
S201形成第一电极材料层于所述基板上;
S202对所述第一电极材料层进行图案化,以形成第一电极层;以及
S203形成像素定义层于所述第一电极层之间,使所述第一电极层与所述像素定义层交错配置,且所述像素定义层在所述基板上构成凹槽。
7.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,在步骤S30中,对应第一电极层,以打印的方式形成量子点层于所述凹槽中。
8.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,
在步骤S40中,以蒸镀的方式,形成所述缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上;
在步骤S50中,以溅镀的方式,形成所述氧化锌层于所述缓冲层上;以及在步骤S60中,以蒸镀的方式,形成所述第二电极层于所述氧化锌层上。
9.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,在步骤S50中,以溅镀的方式,在氩气及氧气的环境下,形成所述氧化锌层于所述缓冲层上,其中溅镀环境的气压为
0.1Pa至10Pa,所述氧气的分压占比为0.1%至10%的所述溅镀环境的气压,以及所述氧化锌层的厚度为5-50nm。
10.根据权利要求5所述的显示器的制备方法,其特征在于,所述缓冲层包括有机电子传输层材料,以及所述基板包括电晶体基板。

说明书全文

显示器及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种显示器及其制备方法,尤其涉及一种量子点发光二极体显示器及其制备方法。

背景技术

[0002] 化锌(ZnO)具有和量子点(quantum-dot,QD)匹配的导带能级和更高的载流子迁移率,是适用于量子点发光二极体(quantum-dot light-emitting diode,QLED)的最佳电子传输(electron transporting,HT)材料。一般ZnO薄膜都是通过溶液沉积的方式制备,且量产着重的方向在于开发适合喷墨打印(ink-jet printing,IJP)的ZnO墨。但目前开发的ZnO墨水并不成熟,器件性能和打印性能无法兼顾,而且需要低温保存,稳定性较差,限制QLED的商业化。溅(sputter)虽然能沉积致密均一的ZnO薄膜,但通常需要高温热退火来提高ZnO薄膜性能,QDs层一般无法承受退火温度,同时,溅镀制程产生的高能粒子可能会破坏下面的QDs层,影响器件性能。
[0003] 为了解决在实际喷墨打印的量子点发光二极体显示器中,以溅镀的方式形成氧化锌薄膜而对量子点层的破坏,亟需一种崭新的显示器及显示器的制备方法来解决上述问题。

发明内容

[0004] 有鉴于此,本发明提供一种显示器及其制备方法,采用溅镀的方式取代喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术制备氧化锌薄膜,溅镀制程需要对工作压、氧分压和薄膜厚度进行精确调控,才能得到高结晶度和导电性的氧化锌薄膜。本发明在所提供的量子点发光二极体显示器中,另增加了缓冲层,既能保护量子点层,又能调控载流子平衡,如此一来,避免了因溅镀氧化锌而对量子点层造成的破坏,可显着改善薄膜均一性,从而改善显示器亮度均一性和色度均匀性,提高器件性能。
[0005] 据此,依据本发明的一实施例,本发明提供了一种显示器,包括;基板;量子点层配置于所述基板上;缓冲层配置于所述量子点层上;以及氧化锌层配置于所述缓冲层上。
[0006] 在本发明的一实施例中,在所述基板与所述量子点层之间,所述显示器更包括:第一电极层及像素定义层,配置于所述基板上,其中所述像素定义层在所述基板上定义出凹槽,且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置,以及所述量子点层对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中。
[0007] 在本发明的一实施例中,所述显示器更包括:第二电极层配置于所述氧化锌层上。
[0008] 在本发明的一实施例中,所述缓冲层配置于所述像素定义层及所述量子点层上;所述氧化锌层配置于所述缓冲层上;以及所述第二电极层配置于所述氧化锌层上。
[0009] 在本发明的一实施例中,所述缓冲层包括有机电子传输层材料,以及所述基板包括电晶体基板。
[0010] 依据本发明的另一实施例,本发明提供了一种显示器的制备方法,包括:S10提供基板;S20形成第一电极层及像素定义层于所述基板上,其中所述像素定义层在所述基板上构成凹槽,且所述第一电极层与所述像素定义层交错配置;S30形成量子点层,对应所述第一电极层且配置于所述凹槽中;S40形成缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上;S50以溅镀方式形成氧化锌层于所述缓冲层上;以及S60形成第二电极层于所述氧化锌层上。
[0011] 在本发明的一实施例中,步骤S20包括:S201形成第一电极层于所述基板上;S202对所述第一电极材料层进行图案化,以形成第一电极层;以及S203形成像素定义层于所述第一电极层之间,使所述第一电极层与所述像素定义层交错配置,且所述像素定义层在所述基板上构成凹槽。
[0012] 在本发明的一实施例中,在步骤S30中,对应第一电极层,以打印的方式形成量子点层于所述凹槽中。
[0013] 在本发明的一实施例中,在步骤S40中,以蒸镀的方式,形成所述缓冲层于所述像素定义层及所述量子点层上。
[0014] 在本发明的一实施例中,在步骤S50中,以溅镀的方式,形成所述氧化锌层于所述缓冲层上。
[0015] 在本发明的一实施例中,在步骤S60中,以蒸镀的方式,形成所述第二电极层于所述氧化锌层上。
[0016] 在本发明的一实施例中,在步骤S50中,以溅镀的方式,在氩气及氧气的环境下,形成所述氧化锌层于所述缓冲层上,其中溅镀环境的气压为0.1Pa至10Pa,所述氧气的分压占比为0.1%至10%的所述溅镀环境的气压,以及所述氧化锌层的厚度为5-50nm。
[0017] 在本发明的一实施例中,所述缓冲层包括有机电子传输层。附图说明
[0018] 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019] 图1为依据本发明的一实施例之显示器的制备方法,于各步骤中显示器的结构示意图。
[0020] 图2为依据本发明的一实施例之显示器的结构示意图。

具体实施方式

[0021] 为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式作详细说明。
[0022] 以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[纵向]、[横向]、[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0023] 在实际喷墨打印的量子点发光二极体显示器中,以溅镀的方式形成氧化锌薄膜,会对氧化锌薄膜下方的量子点层的造成破坏,本发明提供一种显示器及其制备方法,采用溅镀的方式取代喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术制备氧化锌薄膜,溅镀制程需要对工作压力、氧分压和薄膜厚度进行精确调控,才能得到高结晶度和导电性的氧化锌薄膜。本发明实施例在所提供的量子点发光二极体显示器中,另增加了缓冲层,既能保护量子点层,又能调控载流子平衡,如此一来,避免了因溅镀氧化锌而对量子点层造成的破坏,可显着改善薄膜均一性,从而改善显示器亮度均一性和色度均匀性,提高器件性能。
[0024] 据此,依据本发明的一实施例,本发明实施例提供了一种显示器的制备方法,参见图1及图2。图1为依据本发明的一实施例之显示器的制备方法,于各步骤中显示器的结构示意图。图2为依据本发明的一实施例之显示器的结构示意图。如图1及图2所示,具体而言,本发明实施例所提供的显示器100的制备方法,包括:
[0025] S10提供基板1;
[0026] S20形成第一电极层2及像素定义层3于所述基板1上,其中所述像素定义层3在所述基板1上构成凹槽R,且所述第一电极层2与所述像素定义层3交错配置;
[0027] S30形成量子点层6,对应所述第一电极层2且配置于所述凹槽R中;
[0028] S40形成缓冲层7于所述像素定义层3及所述量子点层6上;
[0029] S50以溅镀方式形成氧化锌层8于所述缓冲层7上;以及
[0030] S60形成第二电极层9于所述氧化锌层8上。
[0031] 继续参见图1,在本发明的一实施例中,步骤S20包括:
[0032] S201形成第一电极材料层于所述基板1上;
[0033] S202对所述第一电极材料层进行图案化,以形成第一电极层2;以及[0034] S203形成像素定义层3于所述第一电极层2之间,使所述第一电极层2与所述像素定义层3交错配置,且所述像素定义层3在所述基板1上构成凹槽R。
[0035] 在本发明的一实施例中,在步骤S30中,对应第一电极层2,以打印的方式形成量子点层6于所述凹槽R中,如图1所示。
[0036] 在本发明的一实施例中,在步骤S40中,以蒸镀的方式,形成所述缓冲层7于所述像素定义层3及所述多个量子点层6上,如图1所示。
[0037] 参见图1及图2,在本发明的一实施例中,在步骤S50中,以溅镀的方式,形成所述氧化锌层8于所述缓冲层7上。
[0038] 参见图1及图2,在本发明的一实施例中,在步骤S60中,以蒸镀的方式,形成所述第二电极层9于所述氧化锌层8上。
[0039] 在本发明的一实施例中,在步骤S50中,以溅镀的方式,在氩气及氧气的环境下,保形地形成所述氧化锌层8于所述缓冲层7上,其中溅镀环境的气压为0.1Pa至10Pa,所述氧气的分压占比为0.1%至10%的所述溅镀环境的气压,以及所述氧化锌层8的厚度为5-50nm;优选地,所述溅镀环境的气压为1Pa至10Pa,所述氧气的分压占比为1%至10%,以及所述氧化锌层8的厚度为15-50nm。
[0040] 依据本发明的另一实施例,本发明提供了一种显示器,参见图1及图2。如图1及图2所示,具体而言,本发明所提供的显示器100包括:基板1;量子点层6配置于所述基板1上;缓冲层7配置于所述多个量子点层6上;以及氧化锌层8配置于所述缓冲层7上。
[0041] 如图1所示,在本发明的一实施例中,在所述基板1与所述多个量子点层6之间,所述显示器更包括:第一电极层2及像素定义层3,配置于所述基板1上,其中所述像素定义层3在所述基板1上定义出凹槽R,且所述第一电极层2与所述多像素定义层3交错配置,以及所述量子点层6对应所述第一电极层2且配置于所述凹槽R中。
[0042] 在上述实施例中,所述像素定义层3除了配置于第一电极层2之间的基板1上以外,所述像素定义层3还进一步地配置于所述第一电极层2的侧壁及邻近侧壁的上表面上,如图1所示。
[0043] 如图2所示,在本发明的一实施例中,所述显示器更包括:第二电极层9配置于所述氧化锌层8上。
[0044] 如图2所示,在本发明的一实施例中,在所述第一电极层2及所述量子点层6之间,所述显示器更包括:空穴注入层4配置于所述第一电极层2上;空穴传输层5配置于所述空穴注入层4上。
[0045] 如图1及图2所示,第二电极层9对应所述第一电极层2。所述空穴注入层4及所述空穴传输层5的数量可为一或多个。
[0046] 参见图1及图2,在本发明的一实施例中,所述缓冲层7配置于所述像素定义层3及所述量子点层6上;所述氧化锌层8配置于所述缓冲层7上;以及所述第二电极层9保形地配置于所述氧化锌层8上。
[0047] 在上述实施例中,所述缓冲层7可由有机电子传输层材料所构成,以及所述基板1可为电晶体基板。
[0048] 如图1所示,在上述实施例中,所述多个量子点层6与所述第一电极层2可具有相同图案。
[0049] 据此,本发明实施例提供一种显示器及其制备方法,采用溅镀的方式取代喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术制备氧化锌薄膜,溅镀制程需要对工作压力、氧分压和薄膜厚度进行精确调控,才能得到高结晶度和导电性的氧化锌薄膜。本发明在所提供的量子点发光二极体显示器中,另增加了缓冲层,既能保护量子点层,又能调控载流子平衡,如此一来,避免了因溅镀氧化锌而对量子点层造成的破坏,可显着改善薄膜均一性,从而改善显示器亮度均一性和色度均匀性,提高器件性能。
[0050] 综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
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